“邹颜”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果66个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]消除串扰信号的方法及其装置、电子设备-CN202211354494.4有效
发明人：杨彦伟;刘宏亮;陆一锋;邹颜 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F18/10 文献下载
摘要：本申请提供给了消除串扰信号的方法及其装置、电子设备。其中方法包括获取第一反射信号的第一特征信息；其中，第一反射信号为根据发射光于显示屏反射形成的第一反射光得到的。获取第二反射信号的第二特征信息；其中，第二反射信号为根据发射光于待检测物反射形成的第二反射光得到的。根据第一特征信息与第二特征信息得到第一反射信号为串扰信号。根据第二反射信号得到待检测物至显示屏的距离信息。本申请提供的方法简单、可分辨出哪种信号是串扰信号，从而不处理第一信号，只处理第二信号，消除串扰信号的影响，进而提高了处理结果的准确性。
消除信号方法及其装置电子设备

[发明专利]一种光刻方法-CN202011622052.4有效
发明人：张续朋;杨彦伟;邹颜 -专利权人：深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻方法，属于芯片加工技术领域。本发明的光刻方法包括晶片，晶片包括第一台面与第二台面，第一台面的高度大于第二台面的高度，所述方法包括：在晶片表面均匀涂覆光刻胶，形成光刻胶膜层；在光刻胶膜层的上方设置第一掩膜版，在第一掩膜版的上方向晶片表面进行第一曝光，第一曝光在第一预设曝光量下进行；去除第一掩膜版；在光刻胶膜层的上方设置第二掩膜版，在第二掩膜版的上方向晶片表面进行第二曝光，第二曝光在第二预设曝光量下进行；其中，第一掩膜版上设置有与第一台面对应的图形，第二掩膜版上设置有与第二台面对应的图形。本发明的光刻方法可以有效解决高低台式芯片光刻工艺中的曝光不均匀的问题，提高光刻曝光的质量。
一种光刻方法

[实用新型]显示装置及电子设备-CN202222892371.8有效
发明人：刘宏亮;杨彦伟;陆一锋;邹颜 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2022-10-29 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G01S17/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种显示装置及电子设备。显示装置包括显示屏、光吸收件以及光电传感器，显示屏具有非显示面；光吸收件设于显示屏内；光电传感器设于靠近非显示面的一侧，光电传感器包括间隔设置的发射件和接收件。其中，发射件用于发射检测光线，检测光线包括第一检测光线以及第二检测光线，第一检测光线与发射件的出光面的夹角大于第二检测光线与发射件的出光面的夹角；第一检测光线穿过显示屏至待测物并在待测物的表面反射形成的反射光线，接收件接收反射光线，第二检测光线射至光吸收件，光吸收件吸收第二检测光线。光吸收件将会射至显示屏并反射形成串扰光线的第二检测光线吸收，提高光电传感器的测量精度，进而提高光电传感器的测量效果。
显示装置电子设备

[实用新型]显示组件、电子设备-CN202222886507.4有效
发明人：杨彦伟;刘宏亮;陆一锋;邹颜 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2022-10-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K59/60 文献下载
摘要：本申请提供了显示组件、电子设备。显示组件包括显示屏、光电传感器、及增透层。显示屏具有非显示面。光电传感器设于非显示面的一侧，光电传感器包括发射件与接收件。增透层装设于显示屏。其中，发射件用于发出探测光，接收件用于接收探测光在待测物的表面反射形成的反射光，探测光能够穿过显示屏与增透层。本申请提供的显示组件具有增透层，增透层能够增加光电传感器发出的探测光的光线透过率，使更多探测光、或者全部探测光穿过显示屏，减少串扰光的数量，从而提高光电传感器的测量精度。
显示组件电子设备

[实用新型]光电传感器、显示组件及电子设备-CN202222875094.X有效
发明人：杨彦伟;刘宏亮;陆一锋;邹颜 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2022-10-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：本申请提供了一种光电传感器、显示组件及电子设备。所述光电传感器用于设于显示屏的非显示面的一侧，所述光电传感器包括：发射件，所述发射件用于发出探测光，所述探测光的一部分用于穿过所述显示屏至待测物，所述探测光的另一部分用于在所述显示屏上发生反射并形成串扰光；接收件，所述接收件用于接收所述探测光在所述待测物的表面反射形成的反射光，所述接收件还用于接收所述串扰光；及阻光件，所述阻光件设于所述发射件与所述接收件之间，用于阻挡所述串扰光进入所述接收件。本申请提供的光电传感器能够减少甚至消除串扰信号以提高距离探测质量。
光电传感器显示组件电子设备

[实用新型]显示装置及电子设备-CN202222886506.X有效
发明人：杨彦伟;刘宏亮;陆一锋;邹颜 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2022-10-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01S17/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种显示装置及电子设备，显示装置包括显示、反射件以及光电传感器，显示屏具有非显示面；反射件固设于非显示面的一侧；光电传感器设于靠近反射件的一侧，光电传感器包括间隔设置的发射件和接收件。其中，发射件用于发射检测光线，检测光线的一部分用于穿过显示屏至待测物并在待测物的表面反射形成的第一反射光线，接收件用于接收第一反射光线，检测光线的另一部分用于在反射件上发生反射形成第二反射光线，第二反射光线避开接收件。本申请的显示装置在非显示面上设有反射件，可以将部分会射至显示屏并反射形成串扰光线的检测光线进行反射形成第二反射光线，且第二反射光线避开接收件，提高光电传感器的测量精度以及测量效果。
显示装置电子设备

[发明专利]光电探测器芯片、距离传感器及电子设备-CN202211407118.7有效
发明人：刘宏亮;杨彦伟;陆一锋;邹颜 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本申请提供了一种光电探测器芯片、距离传感器及电子设备。所述光电探测器芯片包括第一电极、衬底、光吸收层、顶层及第二电极；所述衬底设置于所述第一电极的一侧；所述光吸收层设置于所述衬底背离所述第一电极的一侧；所述顶层设置于所述光吸收层背离所述衬底的一侧，所述光电探测器芯片具有有源区，所述有源区用于透过探测信号，所述顶层包括对应所述有源区的第一部分，所述第一部分的厚度为2.0μm~6.0μm，以吸收波长小于1300nm的信号，且透过波长大于或等于1300nm的探测信号至所述光吸收层；所述第二电极设置于所述顶层背离所述光吸收层的一侧。
光电探测器芯片距离传感器电子设备

[发明专利]光电探测器芯片、距离传感器及电子设备-CN202211407177.4有效
发明人：杨彦伟;刘宏亮;陆一锋;邹颜 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本申请提供了一种光电探测器芯片、距离传感器及电子设备。所述光电探测器芯片包括第一电极、衬底、光吸收层、顶层、第二电极、及滤波层；衬底设置于所述第一电极的一侧；光吸收层设置于所述衬底背离所述第一电极的一侧；所述顶层设置于所述光吸收层背离所述衬底的一侧；第二电极与所述顶层接触，且所述第二电极设置于所述顶层背离所述光吸收层的一侧；所述滤波层设置于所述光吸收层背离所述衬底的一侧，且位于所述第二电极邻近所述顶层的一侧，所述滤波层用于滤除波长小于1300nm的信号，且透过波长大于或等于1300nm的探测信号至所述光吸收层。
光电探测器芯片距离传感器电子设备

[发明专利]光电传感器、显示组件、电子设备-CN202211342960.7在审
发明人：杨彦伟;刘宏亮;陆一锋;邹颜 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：本申请提供了光电传感器、显示组件、电子设备。光电传感器包括发射件、接收件、封装件、及阻光件。发射件用于发出探测光。接收件用于接收探测光在待测物的表面反射形成的反射光。封装件用于收容发射件及接收件。其中，探测光的另一部分用于在显示屏发生反射至封装件，在封装件再发生反射至显示屏，又在显示屏发生反射，经过至少三次反射并形成第一串扰光，接收件还用于接收第一串扰光。阻光件设于发射件与接收件之间，用于阻挡第一串扰光进入接收件。本申请提供的光电传感器具有阻光件，阻光件能够阻挡至少部分第一串扰光射至接收件，从而减少第一串扰光射至接收件的几率，进而提高光电传感器的测量精度。
光电传感器显示组件电子设备

[发明专利]显示装置及电子设备-CN202211340628.7在审
发明人：刘宏亮;杨彦伟;陆一锋;邹颜 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2022-10-29 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01S17/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种显示装置及电子设备。显示装置包括显示屏、光电传感器以及滤光件，显示屏具有非显示面，光电传感器设于靠近非显示面的一侧，光电传感器包括间隔设置的发射件和接收件，发射件用于发射检测光线，其中，检测光线的波长大于或等于1300nm，接收件用于接收检测光线照射至待测物被反射形成的反射光线，滤光件设于显示屏内且与光电传感器对应设置，滤光件可用于滤除反射光线外的环境光线，其中，环境光线的波长小于1300nm。本申请提供的显示装置在显示屏内设有滤光件，可以将除反射光线外的环境光线进行阻挡，避免环境光线被接收件所接收。提高光电传感器的测量精度，进而提高光电传感器的测量效果。
显示装置电子设备

[发明专利]显示屏及电子设备-CN202211342944.8在审
发明人：刘宏亮;杨彦伟;陆一锋;邹颜 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10K59/60 文献下载
摘要：本申请提供了一种显示屏及电子设备。所述显示屏包括：发光层，所述发光层包括多个发光单元，所述多个发光单元间隔设置；及光电探测器，所述光电探测器包括多个光电探测单元，所述多个光电探测单元间隔设置，每个所述光电探测单元在所述发光层上的正投影均避开所述发光单元，所述光电探测单元用于距离探测。本申请实施方式提供的显示屏具有较好的显示效果及距离探测效果。
显示屏电子设备

[发明专利]光电探测芯片制作方法-CN202011553853.X有效
发明人：邹颜;杨彦伟;刘宏亮;张续朋 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本申请涉及一种光电芯片制作方法，包括：在基片正面的标记区域内形成凹槽，所述凹槽的深度大于等于所述基片光吸收层的厚度；在所述基片的外延层表面淀积钝化膜；在所述钝化膜上形成扩散区；在所述扩散区进行扩散工艺；在所述基片表面生长增透膜；在所述扩散区内的增透膜上形成电极引线孔；在所述基片的表面淀积金属膜；在所述基片钝化膜上形成电极以及在所述凹槽内形成背面对位标记，所述电极连接所述电极引线孔；将所述基片背面进行减薄至所需厚度，以及对所述基片背面进行抛光；根据所述基片正面标记区域内的背面对位标记进行背面对准；在所述基片的背面进行背面光刻工艺。本发明工艺流程简单，背面对准精度高。
光电探测芯片制作方法

[实用新型]一种新型镀膜治具-CN202220767638.8有效
发明人：邹颜;杨彦伟 -专利权人：深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型镀膜治具，包括镀锅本体、第一盖板和第二盖板，所述镀锅本体上开设有镀槽，所述第一盖板可嵌入所述镀槽内，所述第一盖板设有圆槽，所述第二盖板可嵌入所述圆槽内。本实用新型结构简单，且设备利用率高可提高生产效率。
一种新型镀膜

[发明专利]一种腐蚀液及芯片台面的制备方法-CN201911032371.7有效
发明人：邹颜;杨彦伟;刘宏亮;陆一锋 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C09K13/04 文献下载
摘要：本发明提供一种腐蚀液及芯片台面的制备方法，涉及半导体芯片制备领域。腐蚀液，包括：溶剂和溶于所述溶剂中的重铬酸盐和卤酸。利用该腐蚀液能够解决现有芯片采用IPC干法刻蚀造成的刻蚀速率不均、刻蚀表面粗糙且刻蚀成本高的问题，使刻蚀速率更均匀，降低刻蚀成本，提高表面刻蚀质量的效果。
一种腐蚀芯片台面制备方法

[实用新型]量子阱结构、芯片及激光器-CN202023289626.9有效
发明人：杨彦伟;刘宏亮;邹颜 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本申请总体来说涉及激光技术领域，具体而言，涉及一种量子阱结构、芯片及激光器，其中量子阱结构包括，量子阱结构包括InAlAs量子阱层和InAlGaAs量子阱层，所述InAlAs量子阱层设置多层，所述InAlGaAs量子阱层的厚度与InAlAs量子阱层厚度相同，且相邻两个所述InAlAs量子阱层之间设置有所述InAlGaAs量子阱层，其中，所述InAlAs量子阱层的厚度在0.4nm‑0.6nm之间，所述InAlAs量子阱层的数量在3‑17之间，本申请方案中，InAlAs量子阱层的厚度及层数，在量子阱结构厚度不变的情况下，量子阱结构厚度与单层量子阱层厚度的比值增大了，量子阱限制参数Γ的值增大了，量子阱限制参数增大会减小了芯片阈值电流，提高芯片传输速率。
量子结构芯片激光器

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 66 条