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[发明专利]ESD结构-CN202010423952.X有效
发明人：邓樟鹏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种ESD结构，该ESD结构基于SCR器件的优化，整体位于有由N型深阱和位于外延层中的N型埋层所构成的隔离结构中，将所述ESD结构与衬底进行隔离，SCR器件的N阱被N型深阱包围能调高击穿电压，在N型深阱的两侧再各自形成静电端P阱和接地端P阱。本结构的接地端P阱与静电端P阱的结构对称，静电端可以应用于正电压也可以应用于负电压，同时，可以通过设计不同的静电端P阱与N型深阱的间距来调节从接地端到静电端的击穿电压，通过设计不同的接地端P阱与N型深阱的间距来调节从静电端端到接地端端的击穿电压
esd 结构

[发明专利]半导体器件及制造方法-CN201410010236.3在审
发明人：伊藤明 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2014-01-09 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体器件包括注入在半导体基板中的第一阱和第二阱。所述半导体器件还包括在第一阱和第二阱之上介于凸起源极结构与凸起漏极结构之间的栅极结构。凸起源极结构位于第一阱上且与第一阱接触并且通过第一半导体鳍状结构与栅极结构连接。凸起漏极结构位于第二阱上且与第二阱接触并且与第二半导体鳍状结构连接。第二半导体鳍状结构至少包括间隙和轻掺杂部分。
半导体器件制造方法

[实用新型]半导体器件-CN201420013401.6有效
发明人：伊藤明 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2014-01-09 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体器件包括注入在半导体基板中的第一阱和第二阱。所述半导体器件还包括在第一阱和第二阱之上介于凸起源极结构与凸起漏极结构之间的栅极结构。凸起源极结构位于第一阱上且与第一阱接触并且通过第一半导体鳍状结构与栅极结构连接。凸起漏极结构位于第二阱上且与第二阱接触并且与第二半导体鳍状结构连接。第二半导体鳍状结构至少包括间隙和轻掺杂部分。
半导体器件

[发明专利]一种提高P阱栅氧化层电学厚度测量稳定性的测量结构-CN200710173159.3有效
发明人：黎坡;胡剑 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种提高P阱栅氧化层电学厚度测量稳定性的测量结构，包含P阱，P型衬底，以及衬底引出极B端和栅电极G端，还包含一围设在P阱两侧和底部的深N阱结构；该栅电极G端分别设置在P阱上端和P型衬底上端，通过引线连接构成一测量端点；该深N阱结构包含设置在P阱底部的深N阱层和分别设置在P阱两侧的N阱层；该P型衬底围设在该深N阱结构的两侧和底部。本发明提供的提高P阱栅氧化层电学厚度测量稳定性的测量结构，利用RFCMOS以及HV工艺中的深N阱工艺，大幅提高P阱栅氧化层电学厚度的测量稳定性，并可减小因测量结果超出规格而需要重新测量，或者因测量不稳定导致产品报废的情况发生
一种提高氧化电学厚度测量稳定性结构

[发明专利]用于半导体成像传感器的可调阱容量像素-CN202210510411.X在审
发明人：高云飞;吴泰锡 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H04N25/77 文献下载
摘要：提供了用于半导体成像传感器的可调阱容量像素。成像像素设计具有光电传感器块结构，该结构有助于光电二极管区域中的阱容量的动态控制(即，“阱容量调整(WCA)栅极光电传感器块”)。所述光电二极管区域包括掺杂阱，其中，光电荷响应于入射光照的曝光而累积。所述阱的容量对应于阱电势。WCA结构(例如，深沟槽区域)形成至少部分包围所述掺杂阱并与所述掺杂阱电容性耦合的壁，使得WCA结构的偏置改变阱电势和相应的阱容量。这样，所述WCA结构可以在积分期间被偏置，以将阱电势增加到用于大阱容量的高电平，并且所述WCA结构可以在光电荷传输期间被不同地偏置，以将阱电势降低到足够低的电平，从而避免滞后和/或其他传统问题。
用于半导体成像传感器可调容量像素

[实用新型]半导体测试结构-CN201420547260.6有效
发明人：许晓锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种半导体测试结构。所述半导体测试结构用于检测栅氧化层的可靠性，包括：衬底，多个检测块及栅极结构，所述衬底中形成有相邻的N阱和P阱，所述多个检测块形成于N阱和P阱中，栅极结构包括横跨相邻N阱和P阱的栅氧化层。本实用新型的测试结构通过将N阱和P阱结合在一起，有效的节省了布局(layout)空间，并且，在测试时能够直接获得N阱区域和P阱区域的相关参数，相比现有技术，减少了测试的工作量，缩短了测试时间，有利于提高工作效率
半导体测试结构

[发明专利]击穿电压增加的金属氧化物半导体器件-CN201310687279.0在审
发明人：伊藤明 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：第一阱、第二阱和分离结构。第一阱和第二阱被嵌入在半导体衬底中。分离结构也被嵌入在半导体衬底中并且将第一阱和第二阱分离，使得第一阱和第二阱彼此不接触。
击穿电压增加金属氧化物半导体器件

[发明专利]半导体器件的形成方法及半导体器件-CN202210204138.8在审
发明人：朱黄霞;李雄;郭肖林 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体器件的形成方法及半导体器件；其中，方法包括：提供衬底，所述衬底包括阱区和非阱区；在所述阱区和所述非阱区上形成间隔排布的导电层叠结构；在所述导电层叠结构上形成导电连接层，所述导电连接层连接所述阱区的导电层叠结构，所述导电连接层不与所述非阱区的导电层叠结构连接；其中，所述阱区、所述导电层叠结构和所述导电连接层形成测试结构。
半导体器件形成方法

[发明专利]一种量子阱结构、一种LED外延结构及其生长方法-CN201610486136.7有效
发明人：曹志芳;赵霞焱;徐现刚 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种量子阱结构、一种LED外延结构及其生长方法，包括多个量子阱单元，所述量子阱单元包括由下至上依次设置InGaN浅垒层、GaN量子垒层、第一InGaN浅阱层、InGaN量子阱层、第二InGaN浅阱层。本发明所设计的量子阱结构中，量子垒层包括通低流量TMIn源的InGaN浅垒层、不通TMIn源的GaN量子垒层，量子垒层包括通低流量TMIn源的第一InGaN浅阱层、通正常流量TMIn源的InGaN量子阱层、通低流量TMIn源的第二InGaN浅阱层，本发明设计的量子阱结构增加了通低流量TMIn源的InGaN浅垒层，使得量子垒层与量子阱层之间晶格适配度增加，减少内应力的产生。
一种量子结构 led 外延及其生长方法

[发明专利]一种具有侧边PN结的复合光电探测器及其制作方法-CN201910575712.9有效
发明人：金湘亮;曹胜果 -专利权人：湖南师范大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有侧边PN结的复合光电探测器，包括P型衬底，P型衬底上设有高压深N阱，高压深N阱内设有环形N阱，环形N阱中通过光刻、注入磷离子形成环形的N+阳极；环形N阱内设有中心圆形P阱，环形N阱与中心圆形P阱形成侧边二极管的感光结构，中心圆形P阱中设有N型TFET结构。本发明通过环形N阱与中心圆形P阱形成的侧边二极管结构作为感光区域，同时利用中心圆形P阱内的隧穿场效应晶体管结构，加快了器件的工作频率。本发明还公开了一种具有侧边PN结的复合光电探测器的制作方法。
一种具有侧边 pn 复合光电探测器及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910196130.X有效
发明人：宋春;洪中山;陈文磊;裴明俊;万宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底；在衬底内形成第一阱区和第二阱区，第二阱区位于第一阱区内，第一阱区和第二阱区的导电类型相反；在衬底上形成栅极结构，栅极结构位于部分第二阱区表面和部分第一阱区表面，栅极结构顶部在衬底的第一阱区表面具有第一投影，栅极结构底部在衬底的第一阱区表面具有第二投影，第一投影在第二投影的范围内；在栅极结构侧壁形成第一侧墙和第二侧墙，第一侧墙位于第一阱区表面上，第二侧墙位于第二阱区表面上所形成的半导体结构提升了晶体管的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202010596578.3在审
发明人：钟怡青;张睿钧;曾富群;何玉萍 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置，包括：衬底；第一阱及一第二阱，设置于衬底中且彼此邻接；隔离结构，设置于第一阱上；第一场板，设置于隔离结构上；栅极结构，横跨第一阱及第二阱，且第一场板与栅极结构之间具有开口，此开口露出隔离结构靠近栅极结构的一边缘；漏极结构，设置于第一阱中；以及源极结构，设置于第二阱中，减少或防止热载子效应。
半导体装置

[发明专利]一种用于光电器件的多量子阱结构-CN201410239646.5无效
发明人：李淼 -专利权人：西安神光皓瑞光电科技有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提出一种新的用于光电器件的多量子阱结构，其特点不在于对量子阱内的细节优化，而是着重对量子阱的阱层厚度和垒层做了整体的匹配和优化设计，可以做到对整体效率的大幅度提升。该多量子阱结构，包括若干周期的垒层结构和阱层结构，垒层结构整体上为前厚后薄，阱层结构整体上为前薄后厚。与现有技术相比，本发明并没有增加新的结构层，因此未增加源物料成本，只是通过简单的量子阱的阱层和垒层的厚度设计和匹配即达到了亮度提升的效果。
一种用于光电器件多量结构

[发明专利]半导体结构及电机驱动装置-CN201811030236.4有效
发明人：余梦霖;肖金玉;郭守誉 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构，包括：衬底，具有第一导电类型；第一区域，形成于衬底上，包含第一阱区以及从第一阱区引出的电极，第一阱区具有第二导电类型；第二区域，形成于衬底上，包含第二阱区以及从第二阱区引出的电极，第二阱区具有第二导电类型；隔离结构，形成于衬底上且位于第一区域与第二区域之间以隔离第一阱区与第二阱区；隔离结构包括2M+1个阱区以及从2M+1个阱区中各阱区引出的电极，第一阱区、第二阱区和2M+1个阱区并排设置且相邻阱区的导电类型相反通过在隔离结构中设置多个阱区，可以吸收三极管的绝大部分电子，隔离效果较好。本发明还涉及一种电机驱动装置，该电机驱动装置形成于上述半导体结构中。
半导体结构电机驱动装置

[发明专利]复式多量子阱发光层结构的生长方法及LED 外延结构-CN201310293483.4有效
发明人：张宇 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种复式多量子阱发光层结构的生长方法及相应的LED外延结构，所述外延结构的阱发光层包括6-8个单元层，每一单元层从下至上依次包括：第一阱层、第二阱层、第一磊层、第一阱层、第二阱层、第二磊层。本发明采用复式多量子阱改善了传统多量子阱由于阱磊层应力导致的波函数分离的情况，改善了传统多量子阱由于磊宽导致阱层空穴浓度过低的情况；提升了LED芯片的内部量子阱效率得到，宏观上提高中小尺寸LED芯片的亮度
复式多量发光结构生长方法 led 外延