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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]有机薄膜晶体管-CN200880010563.1有效
发明人：堀田定吉;J·H·伯勒斯;G·L·怀廷 -专利权人：剑桥显示技术有限公司;松下电器产业株式会社
申请日： 2008-04-03 - 公布日： 2011-03-02 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：一种有机薄膜晶体管，其包括：衬底；限定沟道的源极电极和漏极电极；布置在源极电极和漏极电极之上的绝缘材料层；延伸穿过沟道的有机半导电材料层；电介质材料层；以及布置在电介质材料层之上的栅极电极。
有机薄膜晶体管

[发明专利]微型化发光装置-CN201711347916.4在审
发明人：向瑞杰;陈志强 -专利权人：宏碁股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型化发光装置，其包括源极线、地线、主发光二极管，及备援发光二极管。主发光二极管包括第一电极和第二电极，备援发光二极管包括第三电极和第四电极。当主发光二极管能正常点亮时，第一电极电性连接至源极线，第二电极电性连接至地线，而第三电极和第四电极至少其中之一和源极线与地线都电性分离。当主发光二极管无法正常点亮时，第一电极和第二电极至少其中之一和源极线与地线都电性分离，第三电极电性连接至源极线，且第四电极电性连接至地线。
源极线地线主发光二极管微型化第二电极第三电极第一电极电性连接发光装置发光二极管电性分离电极备援点亮修补超高分辨率反应速度快色彩饱和度电极电性低功耗高效率良率制程架构

[发明专利]半导体结构-CN201910476359.9在审
发明人：林鑫成;陈志谚;黄嘉庆 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构，包含：衬底、设置于衬底上的栅极结构、位于此栅极结构两侧的源极结构及漏极结构、以及第一介电层。栅极结构包含设置于衬底上的栅极电极以及与此栅极电极电连接并作为栅极场板的栅极金属层。源极结构包含设置于衬底上的源极电极以及与此源极电极电连接并且沿着栅极电极至漏极结构的方向延伸的第一源极金属层。其中第一源极金属层的电位与栅极金属层的电位不同，并且第一源极金属层至少露出一部分位于栅极金属层正上方的第一介电层。本发明实施例所提供的半导体结构，不仅具有击穿电压与栅极至漏极电容之间的良好平衡，更能有效降低开关损失，进而提升半导体结构的效能。
半导体结构

[发明专利]显示面板及其制作方法-CN201910269044.7在审
发明人：胡小波 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种显示面板，包括衬底基板、有源层、结构层、饨化层及像素电极层。有源层设于所述衬底基板上。结构层设于有源层上，并包括源极及漏极层，及半导体层。饨化层设于结构层上，及像素电极层设于钝化层上，并连接于结构层。源极及漏极层注入钛离子，并包括由光刻工艺形成的源极电极及漏极电极。
结构层源层像素电极层衬底基板显示面板漏极层化层源极半导体层光刻工艺漏极电极源极电极钝化层钛离子制作

[发明专利]薄膜晶体管-CN201210000096.2有效
发明人：管炜 -专利权人：管炜
申请日： 2012-01-03 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，包括基板，设置在基板上的栅极，覆盖所述栅极的栅绝缘层以及覆盖在栅绝缘层表面的活性层，活性层包括沟道层，源极和漏极。源极和漏极分别设置在沟道层的相对两侧并与其对应的源极电极和漏极电极电连接。沟道层的表面依次设置有第一蚀刻阻挡层和第二蚀刻阻挡层。第二蚀刻阻挡层中部形成有凹槽以暴露第一蚀刻阻挡层。所述源极电极从源极的表面延伸至覆盖第一区域，所述漏极电极从漏极的表面延伸至覆盖第二区域。上述结构可有效防止源极电极或漏极电极的金属原子发生扩散或电子迁移而对沟道层的导电性能造成影响，提高了其可靠性。
薄膜晶体管

[发明专利]氮基半导体器件及其制造方法-CN202180001630.9有效
发明人：郝荣晖;陈扶;黃敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮基半导体器件，包括第一氮基半导体层、第二氮基半导体层、源极电极、漏极电极、栅极电极和单场板。源极电极、漏极电极和栅极电极设置在第二氮基半导体层上。栅极电极位于源极电极和漏极电极之间。单场板设置在栅极电极上并向漏极电极延伸。场板具有第一端部、第二端部和中间部分。第一和第二端部的高度实质上相同。中间部分的多个部分位于比第一和第二端部低的位置，并且第一端部以大于栅极电极的宽度的长度横向地延伸。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置-CN201610639721.6在审
发明人：李少茹;汪锐;邱海军;吴海龙 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：所述阵列基板包括：衬底基板；该衬底基板上依次形成有像素电极、源漏极图形、钝化层和公共电极图形；其中，源漏极图形包括源极、漏极和导电极，像素电极分别与导电极和源极电连接，公共电极图形包括相互绝缘的测试电极和公共电极，测试电极与导电极电连接，导电极与像素电极在衬底基板上的正投影存在重叠区域，且重叠区域位于测试电极在衬底基板上的正投影内。本发明通过对公共电极图形的设计，在不改变像素开口率的情况下，实现了对采用H‑ADS技术的阵列基板的TFT性能测试。
阵列及其制造方法显示装置

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板、其制造方法、及液晶显示装置-CN201010109263.8有效
发明人：永野慎吾;升谷雄一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2010-01-22 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明的薄膜晶体管阵列基板具备：源极布线(44)，在覆盖栅极布线(43)的栅极绝缘膜(11)上形成；半导体层(2)，在栅极绝缘膜(11)上形成，配置在漏极电极(5)下的大致整个面、源极电极(4)下的大致整个面、源极布线(44)下的大致整个面、栅极电极的对面；像素电极(6)，在漏极电极(5)上直接重叠形成；透明导电图案(6a)，在源极电极(4)和源极布线(44)上，通过与像素电极(6)相同的层直接重叠形成；对置电极(8)，在覆盖像素电极(6)和透明导电图案(6a)的层间绝缘膜(12)上形成，在与像素电极(6)之间使边缘电场产生。
薄膜晶体管阵列制造方法液晶显示装置

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板、其制造方法、及液晶显示装置-CN201210007092.7有效
发明人：永野慎吾;升谷雄一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2010-01-22 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明的薄膜晶体管阵列基板具备：源极布线(44)，在覆盖栅极布线(43)的栅极绝缘膜(11)上形成；半导体层(2)，在栅极绝缘膜(11)上形成，配置在漏极电极(5)下的大致整个面、源极电极(4)下的大致整个面、源极布线(44)下的大致整个面、栅极电极的对面；像素电极(6)，在漏极电极(5)上直接重叠形成；透明导电图案(6a)，在源极电极(4)和源极布线(44)上，通过与像素电极(6)相同的层直接重叠形成；对置电极(8)，在覆盖像素电极(6)和透明导电图案(6a)的层间绝缘膜(12)上形成，在与像素电极(6)之间使边缘电场产生。
薄膜晶体管阵列制造方法液晶显示装置

[发明专利]具有双功函数掩埋栅电极的晶体管及其制造方法-CN201410641409.1有效
发明人：吴泰京;金秀浩;李桭烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：具有双功函数掩埋栅电极的晶体管及其制造方法。一种晶体管具有：源极区和漏极区，其分开地形成在衬底中；沟槽，其被限定在所述源极区和所述漏极区之间的衬底中；以及栅电极，其形成在所述沟槽中。栅电极包括：第一电极，其被掩埋在沟槽的底部之上；第二电极，其形成在第一电极之上；以及内衬电极，其具有界面部分和侧面部分，界面部分位于第一电极和第二电极之间，而侧面部分位于第二电极的侧壁上且与源极区和漏极区重叠
具有函数掩埋电极晶体管及其制造方法

[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN202011328449.2有效
发明人：张邵华;郭广兴;杨彦涛 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种功率半导体器件及其制造方法，功率半导体器件的部分屏蔽导体与源极电极连接，屏蔽导体在与源极电极电连接的位置处，屏蔽导体从沟槽底部延伸至沟槽内两侧的栅极导体之间的位置，栅极导体和屏蔽导体之间由隔离层隔开，屏蔽导体与源极电极连接；部分屏蔽导体不与源极电极连接，屏蔽导体在不与源极电极电连接的位置处，屏蔽导体从沟槽底部延伸至沟槽上部两侧的栅极导体下方区域，减小了屏蔽导体的寄生电阻，使得寄生电阻下降几十倍。
功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]高频半导体装置-CN200910151101.8有效
发明人：川岛庆一;细见刚;平山敏和 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-07-21 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种高频半导体装置，其能够延长栅极金属线和漏极金属线的金属线长度。该高频半导体装置具备：封装件，其具有空腔；半导体芯片，其配置在该空腔底面，在上表面具有栅极电极、源极电极、以及漏极电极；栅极框，配置在该空腔底面；漏极框，配置在该空腔底面；源极框，配置在该空腔底面；栅极金属线，连接该栅极电极和该栅极框；漏极金属线，连接该漏极电极和该漏极框；以及源极金属线，连接该源极电极和该源极框。而且，该高频半导体装置的特征在于，该半导体芯片，以与将该半导体芯片配置在该空腔底面的中央部的情况相比使该栅极金属线和该漏极金属线的长度变长的方式，从该中央部离开规定的偏移而配置。
高频半导体装置

[发明专利]高频半导体装置-CN201110317683.X有效
发明人：川岛庆一;细见刚;平山敏和 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-07-21 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种高频半导体装置，其能够延长栅极金属线和漏极金属线的金属线长度。该高频半导体装置具备：封装件，其具有空腔；半导体芯片，其配置在该空腔底面，在上表面具有栅极电极、源极电极、以及漏极电极；栅极框，配置在该空腔底面；漏极框，配置在该空腔底面；源极框，配置在该空腔底面；栅极金属线，连接该栅极电极和该栅极框；漏极金属线，连接该漏极电极和该漏极框；以及源极金属线，连接该源极电极和该源极框。而且，该高频半导体装置的特征在于，该半导体芯片，以与将该半导体芯片配置在该空腔底面的中央部的情况相比使该栅极金属线和该漏极金属线的长度变长的方式，从该中央部离开规定的偏移而配置。
高频半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN202211189232.7在审
发明人：朴钟撤;罗炫旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：第一栅电极和第二栅电极，各自在衬底上并在第一方向上延伸；第一和第二源极/漏极图案，在与第一栅电极交叉的第二方向上与第一栅电极和第二栅电极间隔开的第一和第二源极/漏极图案；以及有源接触，与第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案的顶表面共同连接。有源接触包括在第一源极/漏极图案上的第一部分和在第二源极/漏极图案上的第二部分。该器件包括在第二方向上延伸以将第一栅电极与第二栅电极分隔开的绝缘分隔图案，有源接触包括第三部分，该第三部分延伸到绝缘分隔图案的底表面下方的区域以将有源接触的第一部分和第二部分彼此连接。
半导体器件

[发明专利]TFT基板、具备TFT基板的扫描天线以及TFT基板的制造方法-CN201780081158.8有效
发明人：美崎克纪 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：多个天线单位区域各自具有TFT(10)和电连接到TFT的漏极电极(7D)的贴片电极(3PE)。TFT基板具有：源极金属层(7)，其包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极以及源极总线(SL)；栅极金属层(3)，其形成在源极金属层上，包含TFT的栅极电极(3G)和栅极总线(GL)；栅极绝缘层(4)，其形成在源极金属层与栅极金属层之间；层间绝缘层(11)，其形成在栅极金属层上；以及导电层(19)，其形成在层间绝缘层上。贴片电极包含于栅极金属层。
tft 基板具备扫描天线以及制造方法

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