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[实用新型]一种农业田间点穴播种机用种子掩埋结构-CN202222083470.1有效
发明人：娄冬梅;娄方健 -专利权人：娄冬梅
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： A01C5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及播种掩埋装置技术领域，具体地说就是一种农业田间点穴播种机用种子掩埋结构，包括固定架、掩埋板和掩埋轮，所述掩埋板与固定架前端可拆卸的连接，所述固定架后端设有伸缩限位机构，所述掩埋轮的轴心两端设有连接轴在固定架的前端设置掩埋板，固定架的后端设置掩埋轮，通过掩埋板对播种位置两侧的土壤进行拨动，对种子进行掩埋，掩埋后通过掩埋轮进行压实，提高掩埋效果，可根据不同的农作物播种需求更换不同形状、不同重量的掩埋轮
一种农业田间点穴播种机种子掩埋结构

[实用新型]一种果园开沟施肥机-CN201920481580.9有效
发明人：王英俊;张宏伟;宋占宝;张宇明;张天也;盖彦华;谭文文;王东风;冯楷斌;李梦媛 -专利权人：承德市农业经济作物管理站
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： A01C15/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及农业机械技术领域，特别是涉及一种果园开沟施肥机，在使用果园开沟施肥机对果园进行施肥时，通过掩埋前板和掩埋后板形成锐角，掩埋前板与掩埋后板的远离端与开沟刀接近，斜向设置的掩埋前板和掩埋后板将开沟刀犁出的土向内推入土沟，通过压实轮将土压实，盖住肥料，从而节省人力，提高施肥效率；包括机架、支架、肥料箱、上料管、行走轮、行走支杆、开沟刀、开沟支杆、连接架和连接钩；还包括掩埋横杆、掩埋竖杆、掩埋连接杆、掩埋前板、掩埋后板、
一种果园施肥

[发明专利]一种基于合成孔径声纳的水底目标埋深深度计算方法-CN202110896058.9在审
发明人：钮彪;钱斌;毕坤 -专利权人：苏州桑泰海洋仪器研发有限责任公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G01S15/89 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于合成孔径声纳的水底目标埋深深度计算方法，该方法包括：步骤1：获取至少两次合成孔径声纳在探测区域的探测数据，根据探测数据，确定掩埋目标在成像图中的图像坐标，并根据图像坐标确定探测信息；步骤2，根据探测信息，采用遍历掩埋深度变量的方式，计算使掩埋目标定位坐标的位置偏差最小的掩埋预计深度，将掩埋预计深度记作掩埋目标的掩埋深度。通过本申请中的技术方案，基于双频合成孔径声纳的成像特点和目标定位特点，确定掩埋目标相应的定位信息，以有效计算掩埋目标的掩埋深度信息。
一种基于合成孔径声纳水底目标深深计算方法

[发明专利]半导体器件-CN201110318482.1有效
发明人：川岛义也 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，意在防止外阱通过沟槽栅电极与单元区域的阱分离，同时抑制栅极电阻的增加，其中在与栅极接触区重叠的方向上延伸的掩埋栅电极的掩埋栅电极仅延伸到栅电极之前，以没有与栅电极重叠，在图中的垂直方向上，位于每个掩埋栅电极之间的源极接触形成为比掩埋栅电极短，栅电极的一侧上的掩埋栅电极的端部通过布置在栅电极之前的掩埋连接电极彼此连接，掩埋连接电极在与半导体器件的长边平行的方向上延伸，并且掩埋连接电极没有连接到与接触侧掩埋栅电极相邻的接触的一侧上的掩埋栅电极
半导体器件

[发明专利]形成半导体光学器件的方法及半导体光学器件-CN201710028587.0有效
发明人：渡边孝幸 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2017-01-16 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01S5/227 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器二极管类型的掩埋异质结构(BH‑LD)。LD设置有台面、第一掩埋层和第二掩埋层，这里，掩埋层设置在台面两侧，以使台面顶部露出。台面包括下包覆层、有源层和上包覆层，这里，包覆层具有彼此相反的导电类型，并与掩埋层结合地构成载流子限制结构。第二掩埋层具有与第一掩埋层的平坦面叠置的平坦面，并且掩埋层的平坦面的部分的厚度比除了平坦面之外的部分的厚度薄。
形成半导体光学器件方法

[发明专利]一种基于侧扫型声呐的水下掩埋物掩埋深度估测方法-CN202110366414.6在审
发明人：汪格璇;张春华 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01S15/89 文献下载
摘要：本发明公开了基于侧扫型声呐的水下掩埋物掩埋深度估测方法，用于估测水下点类掩埋物体的掩埋深度；所述方法包括：设置侧扫型声呐沿第一直线航迹匀速前进，对待测掩埋物体所在区域进行第一次扫测，接收待测掩埋物体散射的回波信号；设置侧扫型声呐沿第二直线航迹匀速前进，对待测掩埋物体所在区域进行第二次扫测，接收待测掩埋物体散射的回波信号；所述第一直线航迹与第二直线航迹平行且相距一定距离，并均与所扫测区域的水‑沉积层界面平行；根据两次扫测的回波信号得到两次扫测的掩埋物散射回波的回波时延；结合两次扫测时声呐距水‑沉积层界面垂直距离，两条直线航迹的水平距离估算待测掩埋物体的掩埋深度。
一种基于侧扫型声呐水下掩埋深度估测方法

[发明专利]半导体器件-CN202110591093.X在审
发明人：金镇南;金石镐;罗勋奏;文光辰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，具有其上设置有有源区的第一表面和与第一表面相反的第二表面；掩埋导线，在一个方向上延伸并具有被掩埋在有源区中的部分；覆盖掩埋导线的绝缘部分；设置在绝缘部分上并连接到掩埋导线的接触结构；从第二表面延伸到绝缘部分并暴露掩埋导线的掩埋部分的贯穿孔；设置在掩埋导线的侧表面上并暴露掩埋部分的底表面和与底表面相邻的侧表面的绝缘隔离膜；接触掩埋导线的底表面和相邻的侧表面的贯穿通路；围绕贯穿通路的绝缘衬层
半导体器件

[发明专利]用于FinFET器件的掩埋金属和方法-CN201811446618.5有效
发明人：周雷峻;陈志良;曾健庭;赖志明;刘如淦;杨超源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：半导体器件包括：掩埋金属线，设置在半导体衬底中；第一介电材料，位于掩埋金属线的第一侧壁上，和第二介电材料，位于掩埋金属线的第二侧壁上；第一多个鳍，设置为邻近掩埋金属线的第一侧壁；第二多个鳍，设置为邻近掩埋金属线的第二侧壁；第一金属栅极结构，位于第一多个鳍上和掩埋金属线上，其中第一金属栅极结构延伸穿过第一介电材料以接触掩埋金属线，以及第二金属栅极结构，位于第二多个鳍上和掩埋金属线上。本发明的实施例还涉及用于FinFET器件的掩埋金属和方法。
用于 finfet 器件掩埋金属方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法以及用于生成布局图的系统-CN202110502362.0有效
发明人：陈志良;吴国晖;田丽钧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体器件包括具有有源区的半导体衬底和设置在半导体衬底下方的第一掩埋金属层。该第一掩埋金属层包括第一掩埋导电轨、从第一掩埋导电轨延伸的第一组掩埋导电指和与第一组掩埋导电指交错的第二组掩埋导电指。第一组和第二组掩埋导电指在有源区中的多于一个下方延伸。以这种方式，第一组和第二组掩埋导电指可用于在具有减小的电阻的首标电路中分配不同电压，诸如非门控参考电压TVDD和门控参考电压VVDD。
半导体器件及其制造方法以及用于生成布局系统

[发明专利]可拆式电力杆安装结构-CN201410578570.9在审
发明人：任佳宇 -专利权人：无锡市金力电力成套设备有限公司
申请日： 2014-10-24 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： E04H12/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种可拆式电力杆安装结构，包括电力杆体，电力杆体通过掩埋基础固定于地面上，掩埋基础掩埋于地面下，所述掩埋基础的上端面带有内螺纹孔，电力杆体的下端带有外螺纹孔，电力杆体与掩埋基础通过所述内外螺纹螺旋连接；掩埋基础的上端两侧分别带有斜螺纹孔，所述斜螺纹孔中螺旋装置有紧固螺钉。本发明采用斜螺钉将电力杆与掩埋基础固定连接，其连接稳固，便于更换，降低了更换成本，提高安装效率。
可拆式电力安装结构

[实用新型]一种市政电缆施工用电缆线掩埋装置-CN202122303129.8有效
发明人：修中魁;王红;王朝阳;邓芳 -专利权人：安徽前方市政集团有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H02G1/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及市政电缆施工用电缆线掩埋领域，具体而言，涉及一种市政电缆施工用电缆线掩埋装置，通过设置的车轮调节组件，车轮调节组件中的伸缩液压杆与调节液压缸，实现了通过调节液压缸将内侧的伸缩液压杆进行纵向移动，而掩埋装置动力组件会随着伸缩液压杆在纵向移动的过程中起到上升或下降的效果，从而根据土壤的状态来改变车轮的高度，解决了现有技术中土地内土壤凹凸不平而限制缆线掩埋的问题，通过设置的掩埋倒钩组件，掩埋倒钩组件内设有电缆线掩埋挖槽倒钩与倒钩三角钉耙，实现了让车轮的移动来带动电缆线掩埋挖槽倒钩通过倒钩三角钉耙将土壤抛开，从而便于将掩埋辅助轮表面的电缆本体放入土壤内进行掩埋。
一种市政电缆施工用电缆线掩埋装置

[实用新型]一种环保型灭鼠驱鼠装置-CN202221212768.1有效
发明人：靳红文 -专利权人：武汉天佑保平安有害生物防治有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： A01M23/38 文献下载
摘要：本实用新型提供一种环保型灭鼠驱鼠装置，包括掩埋腔，所述掩埋腔一侧对称设置有两组与“L”形连接板相连接的连接块，该环保型灭鼠驱鼠装置，整体由掩埋腔和“L”形连接板组成，通过掩埋腔外部卡合块与平铺板的插接，可以对掩埋腔和平铺板进行稳定组合，且通过掩埋腔与平铺板的对地掩埋放置，可以有效减少该装置对外空间的占取并提高了该装置使用中的隐蔽性，同时通过掩埋腔上端可升降“L”形连接板和提拉把手的设置，可以对掩埋腔和“L”形连接板进行稳定收缩折叠，以方便使用者对该装置进行携带使用，且在白天时通过升降“L”形连接板向掩埋腔的收缩折叠，可以避免白天中觅食鸟类的误入，提高了该装置使用中的安全性。
一种环保灭鼠装置

[发明专利]半导体结构-CN201510666469.3有效
发明人：陈柏安;陈鲁夫 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2015-10-15 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种半导体结构，用以释放一静电放电电流，并包括一衬底、一第一掩埋层、一第二掩埋层、一第一阱、一第二阱、一第一掺杂区、一沟渠式栅极以及一第二掺杂区。第一及第二掩埋层形成在衬底之上。第一阱形成在第一掩埋层之上。第二阱形成在第二掩埋层之上，重叠部分第二掩埋层。第一掺杂区形成在第一阱之中。沟渠式栅极延伸进入第二阱以及第一掩埋层。第二掺杂区形成在第二阱之中，并接触沟渠式栅极。
半导体结构

[发明专利]图像传感器-CN202211375166.2在审
发明人：崔赫洵;安待健 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：掩埋栅极结构设置在从半导体基板的第一表面朝半导体基板的内部延伸的掩埋栅极沟槽内，掩埋栅极结构包括在与浮置扩散区的第一侧部相邻的第一掩埋栅极沟槽内部的第一掩埋栅电极、以及在与第一掩埋栅极沟槽间隔开并与浮置扩散区的第二侧部相邻的第二掩埋栅极沟槽内部的第二掩埋栅电极
图像传感器

[发明专利]倾斜外延掩埋接触件-CN202180038008.5在审
发明人：李桃;康宗圣;谢瑞龙;A·雷茨尼采克;O·格鲁斯臣科夫 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了半导体器件设计，具有掩埋电源轨(602)，该掩埋电源轨具有倾斜外延掩埋接触件(1702)。在一个方面，半导体FET器件包括：至少一个栅极，设置在衬底(202)上；源极和漏极(906)，在至少一个栅极的相对侧上，其中，源极和漏极(906)中的至少一个具有倾斜表面(1402)；掩埋电源轨(602)，其嵌入在衬底(202)中；以及掩埋接触件(1702)，其将掩埋电源轨(602)连接到至少一个源极和漏极(906)的倾斜表面(1402)。侧壁间隔体(502)将掩埋电源轨(602)与衬底(202)分隔开。该至少源极和漏极(906)的倾斜表面(1402)的顶部在该掩埋接触件(1702)的顶表面上方。还提供了形成半导体FET器件的方法。
倾斜外延掩埋接触

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