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[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制造方法-CN202310915038.0在审
发明人：黄兴杰;郝荣晖;陈扶;赵杰;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供高电子迁移率晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，高电子迁移率晶体管包括：衬底；外延层，安置在衬底上；衬底和外延层形成原始结构；原始结构被分为第一结构、第二结构和离子隔离区；第一结构和第二结构中的任一结构均包括衬底和外延层；第一结构的外延层上安置有栅极结构、源极和漏极；第二结构的外延层上安置有第一电极和第二电极；其中，第二结构作为结温测试结构，第一电极和第二电极之间的电阻用于反馈第一结构的结温。本申请的高电子迁移率晶体管中包括作为结温测试结构的第二结构，第二结构的第一电极和第二电极之间的电阻可以反馈第一结构的结温，从而实现高电子迁移率晶体管工作温度的原位实时检测。
电子迁移率晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体制冷结构及其于SMAR温漂校正领域的用途-CN201911139127.0有效
发明人：王哲明;范亚明;陈扶;黄宏娟;赵佳豪;云小凡;张晓东;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10N10/85 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体制冷结构及其于SMAR温漂校正领域的用途。所述半导体制冷结构，包括主要由至少一个P型半导体和至少一个N型半导体电连接组成的回路，所述P型半导体包括一个以上共振态掺杂的P型AlGaN/GaN超晶格结构，所述超晶格结构所含受主包括Mg离子。本发明实施例提供的一种基于共振态掺杂实现的半导体制冷器，以P‑AlGaN/GaN超晶格阵列的方式来进行半导体制冷；其中，P‑AlGaN/GaN是基于共振态即自电离态进行的P‑N结超晶格结构，且不依赖其厚度的极化效应，且自电离效率较高。
半导体制冷结构及其 smar 校正领域用途

[实用新型]一种内压缩制氧系统主冷积液速度提升系统-CN202320630560.X有效
发明人：郭彪;宁宗轲;靳明;李准;李斌;陈扶;高振山;李健;李飞;李媛媛;许文科;周应奇;邵红灵 -专利权人：河南开祥精细化工有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： F25J3/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及内压缩制氧技术领域，特别涉及一种内压缩制氧系统主冷积液速度提升系统。其结构包括液氧储槽和精馏塔，所述的精馏塔上部设置主冷凝蒸发器，所述的液氧储槽通过进液管线连接精馏塔的一侧，所述精馏塔的另一侧通过管路连接增压机，所述的增压机用于为精馏塔输入增压空气，精馏塔与增压机之间的管路上设置有第一膨胀机组和第二膨胀机组，所述的第一膨胀机组和第二膨胀机组相互并联，精馏塔与液氧储槽之间设置有返充管线，所述的返充管线与所述的进液管线相互并联。本实用新型通过设置的两级膨胀机和主冷凝蒸发器积液过程进行优化，有效的缩短内压缩制氧系统的启动时间，降低系统开车成本，提升系统节能效果。
一种压缩系统积液速度提升

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180003555.X有效
发明人：陈扶;郝荣晖;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、源极电极、漏极电极、栅极电极以及第一和第二应力调制层。第一氮基半导体层具有第一厚度。第二氮基半导体层的带隙小于第一氮基半导体层的带隙，以在其间形成异质结。第二氮基半导体层具有第二厚度，并且第一厚度与第二厚度的比例在0.5到5的范围内。第一和第二应力调制层分别对第二氮基半导体层的第一和第二漂移区域提供应力，从而在第一和第二漂移区域内分别引致出第一和第二2DHG区域。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]氮基半导体器件及其制造方法-CN202180001179.0有效
发明人：郝荣晖;何清源;陈扶;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-05-03 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种氮基半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、掺杂的III‑V族半导体层、栅极电极、第一和第二源极/漏极(S/D)电极。掺杂的III‑V族半导体层设置于第二氮基半导体层上，并且具有从掺杂的III‑V族半导体层的顶面向下延伸的第一和第二漏电流阻挡部。栅极电极设置于掺杂的III‑V族半导体层之上，其中栅极电极在第一和第二漏电流阻挡部之间具有一对相对的边缘。栅极电极的一个边缘与第一漏电流阻挡部分重合。第一漏电流阻挡部位于第一S/D电极和栅极电极之间。第二漏电流阻挡部位于第二S/D电极和栅极电极之间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202310064113.7在审
发明人：郝荣晖;陈扶;何川;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：半导体器件包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一源极/漏极电极、第二源极/漏极电极以及栅极电极。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上。第一源极/漏极电极设置在第二氮化物半导体层上，并包括第一共形层以及第一导电填充物。第一共形层从高于第二氮化物半导体层的位置延伸到缓冲体。第一导电填充物设置在第一共形层上。第二源极/漏极电极设置在第二氮化物半导体层上，并包括第二共形层以及第二导电填充物。第二共形层从高于第二氮化物半导体层的位置延伸到第二氮化物半导体层，其中第一共形层延伸至低于第二共形层的位置，使得第一共形层的厚度小于第二共形层的厚度。第二导电填充物设置在第二共形层上。
半导体器件

[发明专利]半导体装置和其制造方法-CN202180003945.7有效
发明人：郝荣晖;陈扶;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置包含第一基于氮化物的半导体层和第二基于氮化物的半导体层、源极电极、漏极电极、钝化层、应力调制层和栅极电极。所述应力调制层安置在所述第二基于氮化物的半导体层上方，且沿着所述钝化层的至少一个侧壁延伸以与所述第二基于氮化物的半导体层接触，以便形成界面。所述栅极电极安置在所述应力调制层上方和所述源极电极与所述漏极电极之间。所述栅极电极位于所述应力调制层与所述第二基于氮化物的半导体层的所述界面正上方。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202211359364.X在审
发明人：郝荣晖;陈扶;何川;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：氮化物型的半导体器件，包括缓冲体、第一氮化物半导体层、屏蔽层、第二氮化物半导体层、源极/漏极电极和栅极电极。第一氮化物半导体层设置在缓冲体上。屏蔽层设置在缓冲体和第一氮化物半导体层之间，并且包括第一隔离化合物，其中第一隔离化合物的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙，且第一隔离化合物至少包括第三族元素和氧元素。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上，其具有的带隙小于第一隔离化合物的带隙且大于第一氮化物半导体层的带隙。一对源极/漏极电极和栅极电极设置述第二氮化物半导体层上，其中栅极电极位于源极/漏极电极之间，且源极/漏极电极和栅极电极于缓冲体上的垂直投影完全落在屏蔽层于缓冲体上的垂直投影内。
半导体器件

[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法-CN202110398809.4有效
发明人：郝荣晖;陈扶;何川;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：氮化物型的半导体器件包括衬底、缓冲体、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、栅极电极、第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极。缓冲体设置在衬底上，并包括至少一层的氮化物半导体化合物。氮化物半导体化合物掺杂有受体，并位于缓冲体的最顶部。第一氮化物半导体层设置在缓冲体上。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上。栅极电极、第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极设置在第二氮化物半导体层上。第一源极/漏极电极的轮廓和第二源极/漏极电极的轮廓相对于栅极呈现不对称，使得第一源极/漏极电极的底面相对于栅极电极比第二源极/漏极电极的底面更深。
半导体器件以及制造方法

[发明专利]氮基半导体器件及其制造方法-CN202180001630.9有效
发明人：郝荣晖;陈扶;黃敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮基半导体器件，包括第一氮基半导体层、第二氮基半导体层、源极电极、漏极电极、栅极电极和单场板。源极电极、漏极电极和栅极电极设置在第二氮基半导体层上。栅极电极位于源极电极和漏极电极之间。单场板设置在栅极电极上并向漏极电极延伸。场板具有第一端部、第二端部和中间部分。第一和第二端部的高度实质上相同。中间部分的多个部分位于比第一和第二端部低的位置，并且第一端部以大于栅极电极的宽度的长度横向地延伸。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180003554.5有效
发明人：陈扶;郝荣晖;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括第一至第三氮基半导体层、源极电极、漏极电极和栅极电极。第二氮基半导体层设置于第一氮基半导体层上，并且其具有的带隙小于第一氮基半导体层的带隙，以便在其间形成具有二维空穴气体(2DHG)区域的异质结。第三氮基半导体层嵌入于第二氮基半导体层中，并与第一氮基半导体层隔开。第三氮基半导体层被掺杂以使其具有的第一导电类型不同于第二氮基半导体层的导电类型。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法-CN202110398808.X有效
发明人：郝荣晖;陈扶;何川;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：氮化物型的半导体器件包括缓冲体、第一氮化物半导体层、屏蔽层、第二氮化物半导体层、源极/漏极电极和栅极电极。第一氮化物半导体层设置在缓冲体上。屏蔽层设置在缓冲体和第一氮化物半导体层之间，并包括第一隔离化合物，第一隔离化合物的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。第一隔离化合物由至少一二维材料制成。二维材料包括金属元素。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上，其具有的带隙小于第一隔离化合物的带隙且大于第一氮化物半导体层的带隙。源极/漏极电极和栅极电极设置在第二氮化物半导体层上。栅极电极位在源极/漏极电极之间，且源极/漏极电极和栅极电极于缓冲体上的垂直投影完全落在屏蔽层于缓冲体上的垂直投影内。
半导体器件以及制造方法

[实用新型]一种冷冻水系统在线清理装置-CN202220216249.6有效
发明人：郭彪;李建立;和进伟;李准;李少峰;李斌;张广欣;陈扶;王佳佳;张欣;高振山;李健;李媛媛;周应齐;许文科;李飞;张欢欢 -专利权人：河南开祥精细化工有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： F28G9/00 文献下载
摘要：本实用新型属于制冷装置清理技术领域，尤其为一种冷冻水系统在线清理装置，包括进料箱本体，进料箱本体的一侧固定连接有冷冻水箱，冷冻水箱的底部固定连接有底座，还包括安装在冷冻水箱一侧的清理机构；启动抽水泵，在支撑管道和引流管的带动下，对冷冻水箱内部的混合液进行循环引水并对冷冻水箱的内部进行循环清理，由于管道之间形成循环，在引流的过程中减小了水流的阻力，从而提高清理效率；过滤孔开设有广口部和细口部，广口部和细口部在水流动的过程中，水先从广口部流向细口部，从而对水流有一个聚流并引导的效果，从而更有效的防止连接管内部的堵塞。
一种冷冻水系在线清理装置

[发明专利]极化超结的Ⅲ族氮化物二极管器件及其制作方法-CN201711383701.8有效
发明人：于国浩;陈扶;宋亮;郝荣晖;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种极化超结的Ⅲ族氮化物二极管器件及制作方法。所述器件包括：包括第一、第二半导体的第一异质结，所述第一异质结构中形成有二维电子气；包括所述第二半导体和第三半导体的第二异质结，所述第二异质结中形成有二维空穴气；形成于所述第二半导体上的第四半导体，所述第四半导体与第三半导体在水平方向上紧密连接；所述第四半导体为p型掺杂，可以将所述第一异质结中的二维电子气耗尽；与第一异质结连接的阳极和阴极，所述阳、阴极与所述第一异质结中二维电子气电连接，所属阳极同时与第四半导体形成电连接。
极化氮化物二极管器件及其制作方法

[发明专利]氮基半导体器件及其制造方法-CN202180003499.X在审
发明人：何清源;郝荣晖;陈扶;章晋汉;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种氮基半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、源极电极、栅极电极和漏极结构。漏极结构包括第一掺杂的氮基半导体层、欧姆接触电极和导电层。第一掺杂的氮基半导体层与第二氮基半导体层接触以形成第一接触界面。欧姆接触电极与第二氮基半导体层接触以形成第二接触界面。导电层包括金属并与第二氮基半导体层接触以在其间形成金属‑半导体接面。导电层连接第一掺杂的氮基半导体层和欧姆接触电极，并且欧姆接触界面比第一接触界面和第二接触界面离栅极电极更远。
半导体器件及其制造方法

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