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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置和其制造方法-CN202080003452.9有效
发明人：张安邦 -专利权人： 英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置和其制造方法。所述半导体装置包含第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、经掺杂III‑V族半导体层和栅极层。所述第一氮化物半导体层具有第一表面。所述第二氮化物半导体层形成于所述第一氮化物半导体层的第一表面上并且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙。所述经掺杂III‑V族半导体层处于所述第二氮化物半导体层上方。所述经掺杂III‑V族半导体层包含具有不同厚度的第一部分和第二部分。所述栅极层安置于所述经掺杂III‑V族半导体层的所述第一部分和所述第二部分上。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180003555.X有效
发明人：陈扶;郝荣晖;黄敬源 -专利权人： 英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、源极电极、漏极电极、栅极电极以及第一和第二应力调制层。第一氮基半导体层具有第一厚度。第二氮基半导体层的带隙小于第一氮基半导体层的带隙，以在其间形成异质结。第二氮基半导体层具有第二厚度，并且第一厚度与第二厚度的比例在0.5到5的范围内。第一和第二应力调制层分别对第二氮基半导体层的第一和第二漂移区域提供应力，从而在第一和第二漂移区域内分别引致出第一和第二2DHG区域。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202180004469.0有效
发明人：赵起越;石瑜 -专利权人： 英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：所述半导体装置包含第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、第一源极/漏极(S/D)电极、第二S/D电极、第一栅极电极、第二栅极电极、第一钝化层、导电层和第二钝化层。所述第二氮化物基半导体层安置在所述第一氮化物基半导体层上。所述第一和第二S/D电极以及所述第一和第二栅极电极安置于所述第二氮化物基半导体层上方。所述第一钝化层覆盖所述第一和第二栅极电极。所述导电层安置在所述第一钝化层上方且包含电极部分和场板部分。所述第二钝化层安置在所述导电层上且穿透所述导电层以与所述第一钝化层接触。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]基于氮化物的半导体器件和其制造方法-CN202180003505.1在审
发明人：董志文;赵起越;李茂林 -专利权人： 英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种基于氮化物的半导体器件，其包括第一基于氮化物的半导体层、第二基于氮化物的半导体层、栅极电极、第一源极电极、第二源极电极和漏极电极。所述第二基于氮化物的半导体层包括掺杂的漂移区、第一势垒区和第二势垒区。所述第一势垒区和所述第二势垒区从所述第二基于氮化物的半导体层的顶面向下延伸并且通过所述漂移区的一部分彼此间隔开。所述栅极电极被安置于所述第一势垒区上。所述第一源极电极被安置于所述漂移区的所述部分上。所述第二源极电极被安置于所述第二势垒区上并且与所述第一源极电极电耦合。所述漏极电极与所述第一基于氮化物的半导体层连接。
基于氮化物半导体器件制造方法

[发明专利]氮基半导体器件及其制造方法-CN202180004532.0有效
发明人：杜卫星;游政昇 -专利权人： 英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括第一氮基半导体层、第二物基半导体层、源极电极和漏极电极、栅极结构、第一钝化层、第二钝化层和场板。第二氮基半导体层设置在第一氮基半导体层上。源极电极、漏极电极和栅极结构布置在第二氮基半导体层上方。第一钝化层设置在第二氮基半导体层上方并覆盖栅极结构。第二钝化层布置在第一钝化层之上并且在源极和漏极之间的区域中。场板布置在第二钝化层上方以及源极和漏极之间的区域中，其中场板与第一钝化层上方的至少一个封闭气隙接触。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]氮化物基半导体模块及其制造方法-CN202180004494.9有效
发明人：姚卫刚;周春华 -专利权人： 英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：包括可移除地压配在形成于印刷电路板(50A)中的腔(510A)中的半导体装置(30A)的半导体模块(10A)及其制造方法。所述半导体装置(30A)和所述印刷电路板(50A)的腔(510A)可彼此配合并分别充当电插头和电插座。可以免去在所述印刷电路板(50A)上焊接所述半导体装置(30A)。因此，封装过程可以更加灵活，且焊料接头的可靠性问题可被去除。
氮化物半导体模块及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180003767.8有效
发明人：何川;蒲小庆;郝荣晖;章晋汉;黄敬源 -专利权人： 英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、栅极电极、第一和第二场板以及第一介电层。第一场板设置在第二氮基半导体层上方。第二场板是不连续的，并且设置在第二氮基半导体层上方，并且位于高于第一场板的位置。第二场板包括其不连续区域中的一个或多个封闭不连续。第一介电层设置在第二场板上方。第一介电层覆盖并贯穿不连续区域中的第二不连续场板，使得第二场板在其一个或多个封闭的不连续轮廓内围绕第一介电层的至少一部分。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于制造III族氮化物薄膜的层流MOCVD装置-CN202180004424.3有效
发明人：李启珍 -专利权人： 英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：一种用于制造III族氮化物基层的CVD装置，其具有晶圆载体转盘。晶圆载体转盘位于反应腔体的内部，且用以接收氮气源和III族元素气体源的混合物。多个凹陷形成于晶圆载体。每一个凹槽包括厚度为x的卫星盘，其用于容纳厚度为t的晶圆。卫星盘包括高度为a的周边凹口，且凹口厚度为x‑a＝b。周边挡圈包括延伸出距离为e+f的垂直上升部分和横向延伸部分。横向延伸部分与卫星盘凹口嵌合。在衬底和卫星盘的表面之间形成间隙c。满足a+b+c+t＝b+e+f的关系式，使得层流发生于挡圈的区域。
用于制造 iii 氮化物薄膜层流 mocvd 装置

[发明专利]氮基半导体器件及其制造方法-CN202180004530.1有效
发明人：游政昇;杜卫星 -专利权人： 英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮基半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、源极电极和漏极电极、栅极结构、钝化层和场板。钝化层设置在第二氮基半导体层之上并覆盖栅极结构，并且在栅极结构和漏极电极之间具有封闭的气隙。场板设置在钝化层上方，并且具有位于栅极结构正上方的第一部分和位于气隙正上方的第二部分。第二部分通过钝化层的至少一个电介质与气隙分离。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件结构及其制造方法-CN202080005344.5有效
发明人：张安邦;黃敬源 -专利权人： 英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本揭露提供了半导体器件结构及其制造方法。所述半导体器件结构包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、栅极结构、第一间隔物、第二间隔物和漏电极。所述第一氮化物半导体层安置在所述衬底上。所述第二氮化物半导体层安置在所述第一氮化物半导体层上。所述栅极结构安置在所述第二氮化物半导体层上。所述第一间隔物安置于邻近所述栅极结构的第一表面处。所述第二间隔物安置于邻近所述栅极结构的第二表面安置处。与所述第一间隔物相比，所述漏电极相对邻近于所述第二间隔物安置。所述第一间隔物具有第一长度，且所述第二间隔物具有大于沿着所述第一方向的所述第一长度的第二长度。
半导体器件结构及其制造方法

[发明专利]氮基半导体器件及其制造方法-CN202180001179.0有效
发明人：郝荣晖;何清源;陈扶;黄敬源 -专利权人： 英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-05-03 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种氮基半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、掺杂的III‑V族半导体层、栅极电极、第一和第二源极/漏极(S/D)电极。掺杂的III‑V族半导体层设置于第二氮基半导体层上，并且具有从掺杂的III‑V族半导体层的顶面向下延伸的第一和第二漏电流阻挡部。栅极电极设置于掺杂的III‑V族半导体层之上，其中栅极电极在第一和第二漏电流阻挡部之间具有一对相对的边缘。栅极电极的一个边缘与第一漏电流阻挡部分重合。第一漏电流阻挡部位于第一S/D电极和栅极电极之间。第二漏电流阻挡部位于第二S/D电极和栅极电极之间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211537170.4在审
发明人：杜子明;李长安;杜卫星;游政昇 -专利权人： 英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一氮基半导体层、第二氮基半导体层、一群负电荷离子和场板。第二氮基半导体层设置在第一氮基半导体层上，并且其具有的带隙大于第一氮基半导体层的带隙，以便在它们之间形成具有二维电子气(2DEG)区域的异质结。栅极电极和漏极电极设置在第二氮基半导体层上方，以界定它们之间的漂移区。将负电荷离子群注入漂移区，并与栅极电极和漏极电极正下方的区域隔开，以在第二氮基半导体层中形成至少一个高电阻区块。场板设置在栅极电极上，并在栅极电极和高电阻区块之间的区域中延伸。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置和其制造方法-CN202080005209.0有效
发明人：张安邦;黄敬源 -专利权人： 英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置和其制造方法。所述半导体装置包含第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、栅极结构、第一间隔件和第二间隔件。所述第二氮化物半导体层形成于所述第一氮化物半导体层上并且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙。所述栅极结构安置于所述第二氮化物半导体层上。所述第一间隔件安置于所述第二氮化物半导体层上。所述第二间隔件安置于所述第二氮化物半导体层上并且通过所述栅极结构与所述第一间隔件间隔开。所述第一间隔件的底部具有第一宽度，所述第二间隔件的底部具有第二宽度，且所述第一宽度不同于所述第二宽度。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202080005364.2有效
发明人：毛丹枫;黃敬源;章晋汉;张晓燕;王伟;盛健健 -专利权人： 英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含：衬底；第一氮化物半导体层，其设置在所述衬底上；第二氮化物半导体层，其设置在所述第一氮化物半导体层上且具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更大的带隙。所述半导体器件进一步包含第一栅极导体，其设置在所述第二氮化物半导体层的第一区上；钝化层，其覆盖所述第一栅极导体；以及第二栅极导体，其设置在所述钝化层和所述第二氮化物半导体层的第二区上，其中所述第一区与所述第二区横向间隔开。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]氮化物基半导体双向切换器件和其制造方法-CN202180004407.X有效
发明人：赵起越;周春华;李茂林;高吴昊;杨超;杨观深;程绍鹏 -专利权人： 英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本公开提供一种具有衬底电位管理能力的氮化物基双向切换器件。所述器件具有控制节点、第一电力/负载节点、第二电力/负载节点和主衬底，且包括：氮化物基双侧晶体管；和衬底电位管理电路，其配置成用于管理所述主衬底的电位。通过实施所述衬底电位管理电路，可将衬底电位稳定到所述双侧晶体管的第一源极/漏极和第二源极/漏极的电位中的较低一个，而不管所述双向切换器件在哪个方向上操作。因此，所述双侧晶体管可在两个方向上以稳定衬底电位操作以用于传导电流。
氮化物半导体双向切换器件制造方法

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