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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]薄膜晶体管及包括薄膜晶体管的平板显示器-CN200610079397.3有效
发明人：安泽;徐旼彻;具在本 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-04-21 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：能减小泄露电流和能防止在相邻的TFT之间串扰的TFT包括：衬底；安置在衬底上的栅极电极；彼此分开并与栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极；以及与栅极电极绝缘的半导体层，接触源极和漏极电极的每一个，并且具有将在源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的每个槽至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分，并且由至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分的每个槽投影到源极和漏极电极时而生成的投影图像覆盖除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分以外的源极和漏极电极
薄膜晶体管包括平板显示器

[发明专利]高电子迁移率晶体管及高压半导体装置-CN202010623811.2在审
发明人：黄嘉庆;陈志谚;吴俊仪;萧智仁 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管，包括基底、三五族沟道层、三五族阻挡层、三五族盖层、源极电极、第一漏极电极、第二漏极电极、以及连接部。其中，三五族沟道层、三五族阻挡层、及三五族盖层依序设置于基底上。源极电极设置于三五族盖层的一侧，第一漏极电极及第二漏极电极设置于三五族盖层的另一侧。第一漏极电极的底面分离于第二漏极电极的底面，且第一漏极电极的组成不同于第二漏极电极的组成。连接部电连接至第一漏极电极以及第二漏极电极。
电子迁移率晶体管高压半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201710073456.4有效
发明人：林立凡;杨竣杰 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置包含主动层、源极电极、漏极电极、栅极电极、第一绝缘层、栅极金属层、贯穿结构、第一源极金属层、漏极金属层与第二源极金属层。源极电极、漏极电极与栅极电极置于主动层上。栅极电极置于源极电极与漏极电极之间。第一绝缘层置于源极电极、漏极电极与栅极电极上。栅极金属层置于栅极电极与第一绝缘层上。栅极金属层包含窄部与宽部。贯穿结构置于栅极金属层与栅极电极之间。第一源极金属层置于源极电极与第一绝缘层上。漏极金属层置于漏极电极与第一绝缘层上。第二源极金属层置于栅极金属层与漏极金属层之间。
半导体装置

[发明专利]薄膜晶体管-CN201210194975.3无效
发明人：赵圣行;朴在佑;金度贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极电极、栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的氧化物半导体层、位于氧化物半导体层上并彼此隔开的漏极电极和源极电极。所述漏极电极包括在氧化物半导体层上的第一漏极子电极和在第一漏极子电极上的第二漏极子电极。所述源极电极包括在氧化物半导体层上的第一源极子电极和在第一源极子电极上的第二源极子电极。第一漏极子电极和第一源极子电极包括镓锌氧化物(GaZnO)，第二源极子电极和第二漏极子电极包括金属原子。
薄膜晶体管

[发明专利]背面漏极引出的HEMT器件及其制备方法-CN202111591604.4在审
发明人：王黎明 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供一种背面漏极引出的HEMT器件及其制备方法，该器件包括：由下向上依次层叠的漏极电极、衬底、沟道层及势垒层；位于元胞区的源极、栅极及漏极；位于源极及栅极上方的源极电极及栅极电极；漏极互连金属柱，贯穿元胞区外的终端隔离区，一端与漏极电连接，另一端与漏极电极接触连接。通过漏极互连金属柱将漏极电极引到器件背面，形成源极电极及栅极电极形成在器件正面，漏极电极形成在器件背面的结构，该结构可形成芯片正反两面的散热通道，大大提高电极利用率；同时背面漏极电极的实现可以兼容已有的封装方式，更有利于HEMT器件的封装设计；再者，将漏极互连金属柱设置于元胞区外的终端隔离区不会在工艺过程中对元胞区产生损伤。
背面引出 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管-CN201210095497.0无效
发明人：曾坚信 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2012-04-02 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，包括基板、活性层、栅极、源极电极以及漏极电极。所述活性层设置在基板上，其包括沟道层及分别位于该沟道层相对两侧的源极及漏极。所述源极电极和漏极电极分别对应设置在源极及漏极上。源极与源极电极之间以及漏极与漏极电极之间还设有载流子浓度高于活性层的N型III族氮化物导电层。由N型III族氮化物导电层可以有效降低源极与源极电极之间以及漏极与漏极电极之间的接触电阻。
薄膜晶体管

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211534560.6在审
发明人：杜子明;李长安;杜卫星;游政昇 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括第一、第二氮基半导体层、栅极电极、源极电极、漏极电极和一群负电荷离子。栅极电极设置在第二氮基半导体层上方。源极电极和漏极电极设置在第二氮基半导体层上方。栅极电极位于源极电极和漏极电极之间，以界定栅极电极和漏极电极之间的漂移区。将一群负电荷离子注入漂移区和2DEG区，并与栅极电极和漏极电极隔开，与栅极电极和漏极电极正下方的区隔开。栅极电极比漏极电极更接近负电荷离子，以使负电荷离子耗尽栅极电极附近的2DEG区域的至少一部分。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]有源矩阵基板、显示面板和显示装置-CN201280007738.X有效
发明人：胜井宏充;近间义雅;中村涉;田中哲宪;纪藤贤一 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-01-31 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：漏极电极（17）包括：以覆盖半导体层（14）的上表面的一部分的方式层叠的下层漏极电极（17a）和上层漏极电极（17b），半导体层（14）、下层漏极电极（17a）和上层漏极电极（17b）构成为台阶状，在构成为上述台阶状的部分，下层漏极电极（17a）的周边与上层漏极电极（17b）的周边的距离大于0.4μm且小于1.5μm。
有源矩阵显示面板显示装置

[发明专利]半导体装置-CN201710203142.1有效
发明人：林立凡;杨竣杰 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置，包含主动层、源极电极、漏极电极、栅极电极、第一绝缘层、第二绝缘层、第一源极垫与第一漏极垫。源极电极、漏极电极与栅极电极置于主动层上。第一绝缘层置于源极电极、漏极电极与栅极电极上。第二绝缘层置于第一绝缘层上。第一源极垫电性连接源极电极且包含第一下源极分支与第一源极本体。第一下源极分支置于第一绝缘层与第二绝缘层之间。第一源极本体置于第二绝缘层上。第一漏极垫电性连接漏极电极且包含第一下漏极分支与第一漏极本体。第一下漏极分支置于第一绝缘层与第二绝缘层之间。第一漏极本体置于第二绝缘层上。
半导体装置

[发明专利]半导体装置、有源矩阵基板以及显示装置-CN201180023044.0有效
发明人：冈崎庄治;家根田刚士;中村涉;胜井宏充 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-04-27 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体装置（18）具备：设于基板（101）上的栅极电极（102）；半导体层（104），其设于栅极电极（102）的上方，包含源极区域、漏极区域以及沟道区域；源极电极（106），其在半导体层（104）的上方连接到源极区域；以及漏极电极（107），其在半导体层（104）的上方连接到漏极区域，半导体层（104）在与漏极电极（107）重叠的部分具有沿着从漏极电极（107）引出的漏极配线延伸的方向向外侧突出的凸部，半导体层（104）在被漏极电极（107）和源极电极（106）夹着的沟道区域的外侧具有半导体层（104）的周缘位于比栅极电极（102）的周缘靠内侧的调整部。
半导体装置有源矩阵以及显示装置

[发明专利]具有主动衬底偏置的双向开关-CN202210004256.4在审
发明人：弗朗索瓦·赫伯特 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：在衬底上的双向开关包含第一源极/漏极电极、第二源极/漏极电极、第一源极/漏极电极与第二源极/漏极电极间的延伸区、及栅极结构。在衬底上的衬底偏置开关包含栅极结构、耦接到第一衬底接触件的第一源极/漏极电极、耦接到双向开关的第一源极/漏极电极的第二源极/漏极电极、及横向地位于栅极结构与第一源极/漏极区间的延伸区。
具有主动衬底偏置双向开关

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN200710182177.8有效
发明人：入江由季子 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-09-13 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该显示装置包括像素电极；像素开关元件，其具有第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域和栅极电极；保持电容元件，其具有形成为在其间夹置电介质膜的第一电极和第二电极，第二电极与第二源极/漏极区域相连；像素电极接续部，其由导电材料形成，像素电极和第二源极/漏极区域通过像素电极接续部彼此相连；和与第一源极/漏极区域连接的信号配线；当通过反转驱动保持像素电位时，信号配线和第二源极/漏极区域变为电位彼此不同，且像素电极接续部和第二源极/漏极区域变为电位彼此相等。
显示装置及其制造方法

[发明专利]一种氮化镓开关器件及其制备方法-CN202210972637.1在审
发明人：黄汇钦;吴龙江;曾健忠 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种氮化镓开关器件及其制备方法，氮化镓开关器件包括：衬底层、缓冲层、氮化镓层、势垒层、源极层、栅极层、漏极层、源极电极、栅极电极以及漏极电极，衬底层、缓冲层、氮化镓层、势垒层从下至上依次层叠设置，源极层、栅极层以及漏极层设于势垒层上，源极电极、栅极电极以及漏极电极分别设于源极层、栅极层以及漏极层上，通过将栅极电极与漏极电极设置为指叉状金属场板，且栅极电极和漏极电极的指叉金属条交替设置
一种氮化开关器件及其制备方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其控制方法-CN201710393405.X有效
发明人：谌伟;赵永亮;吴旭;周厚峰;宁智勇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管包括:基板；栅极，设置于基板上；栅极绝缘层，覆盖于栅极和基板的表面；有源层，设置于栅极绝缘层上；源极与漏极，设置于有源层上，源极包括为两个源极电极，漏极包括两个漏极电极，两个漏极电极平行设置在两个源极电极之间，源极电极与相邻的漏极电极之间形成主沟道，两个漏极电极之间形成副沟道；当任一主沟道出现短路时，切断出现短路的主沟道对应的漏极电极，切断的漏极电极作为出现短路的主沟道对应的源极电极的一部分使用，将两个漏极电极之间形成的副沟道作为新主沟道使用
一种薄膜晶体管及其控制方法

[发明专利]半导体装置及电源转换电路-CN201810383439.5在审
发明人：白井伸幸;松浦伸悌 -专利权人：力祥半导体股份有限公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：半导体装置包括半导体基板、栅极电极、漏极电极及源极电极。栅极电极、漏极电极及源极电极形成在半导体基板上。源极电极的面积大于栅极电极的面积与漏极电极的面积。部分的源极电极呈现凸状而设置于栅极电极与漏极电极之间。本发明的半导体装置及电源转换电路可维持开关切换时的各种特性并可高速进行开关切换。
半导体装置漏极电极源极电极栅极电极电源转换电路半导体基板开关切换凸状

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