专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202210287351.X在审
  • 田宇;许建华 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2022-03-22 - 2022-06-24 - H01L29/417
  • 本申请提供一种半导体器件及其制备方法,涉及半导体技术领域,包括:衬底以及位于衬底上的功能层,在功能层顶面设置有源结构、漏结构和鱼骨栅结构,结构和漏结构用于配合鱼骨栅结构形成多个晶体管器件;在衬底底面开设有从衬底底面贯穿至功能层顶面的孔;结构包括第一子电极和覆盖孔位于功能层顶面开孔的第二子电极,第一子电极通过连接桥与第二子电极电性连接。如此,通过取消第一子电极上的孔,使得第一子电极的宽度可以进行减小,从而减少整个结构的占用面积,使得整个器件能够有效降低面积和制造成本,而第一子电极的引出可以由连接桥连接至第二子电极,由第二子电极覆盖的孔对应引出至衬底底面
  • 一种半导体器件及其制备方法
  • [发明专利]感光组件-CN201010264267.3有效
  • 李威龙;王文哲 - 华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司
  • 2009-04-21 - 2011-01-26 - H01L31/10
  • 本发明涉及一种感光组件,其特征在于:包含一闸极、闸极绝缘层、一半导体层、一、一汲以及一位于该与该汲间的通道部。该与该汲皆设于该半导体层上,且该与该汲分别具有至少一第一长梳齿电极及至少一第一短梳齿电极与至少一第二长梳齿电极及至少一第二短梳齿电极,且该第一长梳齿电极和该第一短梳齿电极与该第二长梳齿电极和该第二短梳齿电极皆以长短交错的方式排列
  • 感光组件
  • [发明专利]感光组件-CN201010262592.6有效
  • 李威龙;王文哲 - 华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司
  • 2009-04-21 - 2011-01-26 - H01L31/10
  • 本发明涉及一种感光组件,其特征在于:包含一闸极、闸极绝缘层、一半导体层、一、一汲以及一位于该与该汲间的通道部。该与该汲皆设于该半导体层上,且该与该汲分别具有至少一第一长梳齿电极及至少一第一短梳齿电极与至少一第二长梳齿电极及至少一第二短梳齿电极,且该第一长梳齿电极和该第一短梳齿电极与该第二长梳齿电极和该第二短梳齿电极皆以长短交错的方式排列
  • 感光组件
  • [发明专利]感光组件-CN200910111517.7有效
  • 李威龙;王文哲 - 华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司
  • 2009-04-21 - 2009-09-16 - H01L31/113
  • 本发明涉及一种感光组件,其特征在于:包含一闸极、闸极绝缘层、一半导体层、一、一汲以及一位于该与该汲间的通道部。该与该汲皆设于该半导体层上,且该与该汲分别具有至少一第一长梳齿电极及至少一第一短梳齿电极与至少一第二长梳齿电极及至少一第二短梳齿电极,且该第一长梳齿电极和该第一短梳齿电极与该第二长梳齿电极和该第二短梳齿电极皆以长短交错的方式排列
  • 感光组件
  • [发明专利]感光组件-CN201010261666.4有效
  • 李威龙;王文哲 - 华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司
  • 2009-04-21 - 2011-01-26 - H01L31/10
  • 本发明涉及一种感光组件,其特征在于:包含一闸极、闸极绝缘层、一半导体层、一、一汲以及一位于该与该汲间的通道部。该与该汲皆设于该半导体层上,且该与该汲分别具有至少一第一长梳齿电极及至少一第一短梳齿电极与至少一第二长梳齿电极及至少一第二短梳齿电极,且该第一长梳齿电极和该第一短梳齿电极与该第二长梳齿电极和该第二短梳齿电极皆以长短交错的方式排列
  • 感光组件
  • [发明专利]薄膜晶体管和电子装置-CN201110048664.1有效
  • 小野秀树;野元章裕;八木岩 - 索尼公司
  • 2011-02-28 - 2011-09-21 - H01L51/05
  • 所述薄膜晶体管包括:有机半导体层;以及保护层及电极和漏电极,所述保护层及所述电极和所述漏电极形成在所述有机半导体层上。所述保护层至少设置在所述电极与所述漏电极之间的区域中。根据本发明,在所述电极和所述漏电极的形成步骤(蚀刻步骤)中,由于所述有机半导体层被所述保护层保护着,因此所述有机半导体层不会被上述蚀刻步骤所损坏。
  • 薄膜晶体管电子装置
  • [发明专利]带位置输入功能的显示装置-CN202210527392.1在审
  • 森永润一 - 夏普株式会社
  • 2018-02-08 - 2022-07-15 - G06F3/044
  • 一种带位置输入功能的显示装置,具备:多个像素电极(11g);多个配线(11j),其分别传送供应给多个像素电极(11g)的信号,与像素电极(11g)相邻;共用电极(11h),其至少一部分隔着层间绝缘膜(21)与多个像素电极(11g)重叠;触摸电极(14),其是将共用电极(11h)分割而成,检测手指的输入位置;以及多个触摸配线(15),其介于配线(11j)与像素电极(11g)之间且将至少多个像素电极(11g)和多个配线(11j)夹在中间,多个配线(11j)配置为,将像素电极(11g)和触摸配线(15)夹在中间的一对配线的间隔比将像素电极(11g)夹在中间的一对配线的间隔宽。
  • 位置输入功能显示装置
  • [发明专利]带位置输入功能的显示装置-CN201880010291.9有效
  • 森永润一 - 夏普株式会社
  • 2018-02-08 - 2022-06-03 - G02F1/1368
  • 液晶显示装置(10)具备:多个像素电极(11g);多个配线(11j),其分别传送供应给多个像素电极(11g)的信号,与像素电极(11g)相邻;共用电极(11h),其至少一部分隔着层间绝缘膜(21)与多个像素电极(11g)重叠;触摸电极(14),其是将共用电极(11h)分割而成的,检测手指的输入位置;以及多个触摸配线(15),其介于配线(11j)与像素电极(11g)之间且将至少多个像素电极(11g)和多个配线(11j)夹在中间,多个配线(11j)配置为,将像素电极(11g)和触摸配线(15)夹在中间的一对配线(11j)的间隔比将像素电极(11g)夹在中间的一对配线(11j)的间隔宽。
  • 位置输入功能显示装置
  • [发明专利]半导体装置、发光装置和电子设备-CN201110081419.0有效
  • 松田邦宏;松本广;田中幸一 - 卡西欧计算机株式会社
  • 2011-03-31 - 2011-10-05 - H01L27/02
  • 半导体装置具有在基板上设置的第一晶体管和第二晶体管,上述第一晶体管的第一电极和第一漏电极沿第一方向配置,上述第二晶体管的第二电极和第二漏电极沿上述第一方向并按与上述第一电极和上述第一漏电极相反的顺序配置上述第一电极和上述第二电极通过连接布线连接,上述第一漏电极和上述第二漏电极通过漏连接布线连接,上述第一栅电极和上述第二栅电极通过栅极连接布线连接,上述连接布线和上述漏连接布线设置在除了与上述第一栅电极、上述第二栅电极以及上述栅极连接布线重叠的区域之外的区域。
  • 半导体装置发光电子设备
  • [发明专利]摄像装置-CN201710075462.3有效
  • 平濑顺司;佐藤好弘;高见义则;高濑雅之;村上雅史 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2017-02-13 - 2023-10-03 - H01L27/146
  • 像素单元具备:第1导电型的杂质区域,位于半导体层内;光电变换部,位于半导体层的上方,电连接于杂质区域;第1晶体管,具有第1、第1漏及第1栅极电极,第1及第1漏的一方与杂质区域电连接;第2晶体管,具有第2、第2漏及第2导电型的第2栅极电极,包含杂质区域作为第2及第2漏的一方,第2栅极电极与杂质区域电连接;第3晶体管,具有第3、第3漏及第3栅极电极,第3栅极电极与光电变换部电连接
  • 摄像装置
  • [发明专利]三维半导体存储器件-CN201910342853.6有效
  • 郑恩宅;申重植;尹智慧 - 三星电子株式会社
  • 2019-04-26 - 2023-09-12 - H10B41/41
  • 一种三维(3D)半导体存储器件包括:结构,设置在水平半导体层上,并包括顺序地堆叠在水平半导体层上的第一导电图案和第二导电图案;电极结构,包括垂直堆叠在结构上的多个电极;以及穿透电极结构和结构的垂直半导体图案,其中垂直半导体图案的侧壁的一部分与结构接触。第一导电图案包括不连续界面,不连续界面在水平半导体层的顶表面与第二导电图案的底表面之间的水平处。
  • 三维半导体存储器件

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