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[实用新型]氧化物半导体薄膜晶体管基板-CN201320516839.1有效
发明人：张锡明 -专利权人：华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种氧化物半导体薄膜晶体管基板，包含基板、源极及漏极、图案化透明导电层、氧化物半导体层、栅极及栅介电层。源极及漏极位于基板上；图案化透明导电层包含第一透明电极、第二透明电极及像素电极；第一及第二透明电极分别覆盖源极的上表面及漏极的上表面；像素电极连接漏极；氧化物半导体层接触第一及第二透明电极；栅介电层夹设于氧化物半导体层与栅极之间
氧化物半导体薄膜晶体管

[发明专利]一种新型微波氮化镓高电子迁移率晶体管-CN201810509325.0在审
发明人：贾护军;朱顺威;胡梅;赵玥阳;李涛;仝宜波;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型微波氮化镓高电子迁移率晶体管；包括：自下而上排列的半绝缘衬底、氮化铝成核层、氮化镓缓冲层和铝镓氮势垒层；所述铝镓氮势垒层上有源极帽层和漏极帽层，所述源极帽层上表面为源电极，所述漏极帽层的表面为漏电极；所述源电极和漏电极之间，且靠近源电极端设置有栅电极；所述源极帽层和漏极帽层之间设置有高栅，其上表面比底面高出5nm，所述源电极和栅电极间的正下方与氮化镓缓冲层上表面，形成具有凹陷形成的左凹陷区域，所述漏电极和栅电极间的正下方与氮化镓缓冲层上表面形成具有凹陷形成的右凹陷区域
上表面氮化镓缓冲层漏极帽层源极帽层漏电极源电极氮化镓高电子迁移率晶体管铝镓氮势垒层凹陷区域新型微波栅电极间凹陷饱和输出功率氮化铝成核层频率特性直流特性半绝缘饱和区电极端靠近源栅电极衬底底面

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板-CN201810380871.9有效
发明人：宋振;王国英 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，包括：依次设置于衬底上的底栅电极、第一栅绝缘层、有源层、第二栅绝缘层、顶栅电极、有机绝缘层和源电极、漏电极；所述底栅电极、所述第一栅绝缘层、所述第二栅绝缘层和所述顶栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间；所述有源层包括位于所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层之间的沟道区、分别位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；所述源极区和所述漏极区由所述有机绝缘层支撑；所述源电极通过过孔与所述源极区接触，所述漏电极通过过孔与所述漏极区接触
一种薄膜晶体管及其制备方法阵列

[发明专利]一种石墨烯晶体管的制备方法-CN201780072495.0有效
发明人：梁晨;吴燕庆;张臣雄 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：方法包括：在衬底上覆盖石墨烯层形成第一样品；在第一样品中的石墨烯层上制备源极电极和漏极电极，形成第二样品；在第二样品上沉积第一栅介质，形成第三样品，第一栅介质覆盖源极电极、漏极电极和石墨烯层；对第三样品进行自对准刻蚀，形成第四样品，第四样品包含衬底、源极电极、漏极电极、沟道区域以及第二栅介质，沟道区域为石墨烯层经过自对准刻蚀后形成的用于连接源极电极和漏极电极的导电区域，第二栅介质为第一栅介质经过自对准刻蚀后形成的覆盖源极电极、漏极电极和沟道区域的栅介质；在第四样品中的第二栅介质上制备栅极电极，形成石墨烯晶体管。
一种石墨晶体管制备方法

[发明专利]自旋场效应逻辑装置-CN201410120822.3有效
发明人：洪起夏;金钟燮;申在光 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-01-13 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种自旋场效应逻辑装置，所述逻辑装置包括：第一沟道，包括磁材料，第一沟道被构造为选择性地传输自旋极化的电子；源极，在第一沟道上；第一栅电极，在第一沟道上；第一漏极，被构造为输出从源极传输的电子；输出电极，被构造为输出从源极传输的电子；第二沟道，在第一沟道上，第一栅电极和第一漏极在第二沟道上，在第二沟道上的第一栅电极被构造为控制第二沟道的磁化方向；第三沟道，在第一沟道上；第二栅电极，在第三沟道上，第二栅电极被构造为控制第三沟道的磁化方向；第二漏极，在第三沟道上；第一电压源，并联地连接到第一漏极和第二漏极，其中，源极、第二沟道和第三沟道分开，输出电极连接在第一电压源和第一漏极之间。
自旋场效应逻辑装置

[发明专利]液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法-CN201280037025.8有效
发明人：内田诚一;金子诚二;小川康行;山本薰;田中耕平;高丸泰;森重恭 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶显示装置，为了抑制像素电极与源极线间的串扰从而减少闪烁，包括：设置成格子状的栅极线(102)和源极线(105)；像素电极(111)，其与栅极线(102)和源极线(105)的交叉位置对应地设置成矩阵状；透明辅助电容电极(109)；开关元件(121)，其根据从栅极线(102)赋予的扫描信号，将从源极线(105)供给的图像信号电压施加至像素电极(111)，所述开关元件(121)使用氧化物半导体层(104)构成，透明辅助电容电极(109)设置于源极线(105)与像素电极(111)之间。
液晶显示装置制造方法

[发明专利]半导体装置以及半导体模块-CN202011145820.1有效
发明人：安田英司;今井俊和;大河亮介;今村武司;坂本光章;吉田一磨;平子正明;升元康之;曾田茂稔;太田朋成 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明的半导体装置及半导体模块，具有：半导体基板，包括第一导电型的杂质；低浓度杂质层，形成于半导体基板的正面，包括浓度比半导体基板低的第一导电型的杂质；背面电极，形成于半导体基板的背面，由金属材料构成；第一、第二晶体管，分别形成于低浓度杂质层内的邻接的第一、第二区域，并在低浓度杂质层的正面具有源极电极及栅极电极；半导体基板作为共同漏极区域发挥功能，作为多个第一源极电极中的一个的第三源极电极与作为多个第二源极电极中的一个的第四源极电极分别是相对于第一区域与第二区域的边界最近的源极电极
半导体装置以及模块

[发明专利]场效应晶体管、其制造方法、显示元件、显示设备以及系统-CN201880017391.4在审
发明人：新江定宪;安藤友一;中村有希;安部由希子;松本真二;曾根雄司;植田尚之;早乙女辽一;草柳岭秀 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：(实现目的的手段)一种场效应晶体管，包括在基底上形成的半导体膜、在所述半导体膜的一部分上形成的栅极绝缘膜、在所述栅极绝缘膜上形成的栅极电极，以及与所述半导体膜接触形成的源极电极和漏极电极，其中所述源极电极和所述漏极电极的厚度小于所述栅极绝缘膜的厚度，并且所述栅极绝缘膜包括不与所述源极电极或所述漏极电极接触的区域。
栅极绝缘膜场效应晶体管半导体膜漏极电极源极电极显示设备显示元件栅极电极基底制造

[发明专利]基于铁电掺杂的负电容场效应晶体管-CN202110501037.2在审
发明人：刘艳;姜昊;周久人;韩根全;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：其自下而上包括衬底(1)、沟道(2)、栅极绝缘介质层(9)、栅极铁电层(10)、栅极金属电极(11)，沟道两侧为源区(3)和漏区(4)，该源、漏区的上方分别为源极金属电极(12)和漏极金属电极(13)，该源区的左侧依次设有源极铁电层(5)和源极掺杂电极(7)；该漏区的右侧依次设有漏极铁电层(6)和漏极掺杂电极(8)，该源极掺杂电极和漏极掺杂电极上施加有极性相同的脉冲电压。
基于掺杂电容场效应晶体管

[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置-CN201410340346.6有效
发明人：刘耀;白金超;李梁梁;丁向前;刘晓伟;郭总杰;陈曦 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可避免形成阻挡层时源漏极间隙尺寸均匀性差，减少阻挡层成本，解决金属缺失信号不导通的问题。该阵列基板包括衬底基板上方的包括栅极、栅线的栅金属层，栅绝缘层，有源层，包括源极、漏极、数据线的源漏金属层，源漏金属层包括铜金属层和/或铜合金层；包括与漏极直接接触的像素电极、与源极直接接触的第一像素电极保留图案、与数据线直接接触的第二像素电极保留图案的像素电极层；像素电极与漏极直接接触的区域、第一像素电极保留图案位于有源层与源漏金属层之间；像素电极未与漏极直接接触的区域、第二像素电极保留图案位于栅绝缘层的上/
一种阵列及其制备方法显示装置

[发明专利]微型发光二极管显示器装置和微型发光二极管驱动电路-CN201910497433.5在审
发明人：陈立宜 -专利权人：美科米尚技术有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种微型发光二极管显示器装置，其包含驱动晶体管和微型发光二极管。驱动晶体管包含基板、底栅极、栅极绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡层、汲极电极、源极电极和绝缘层。汲极电极为环形且汲极电极和半导体层之间的接触部分围绕半导体层。源极电极接触半导体层并被汲极电极所包围。绝缘层具有一个通孔于其内，用以露出一部分的源极电极。微型发光二极管包含与其侧表面分开的电流注入通道并电性连接至源极电极。本发明所提出的非对称薄膜晶体管和包含电流注入通道的微型发光二极管的结合让驱动电压源提供的电压可大幅降低，但仍处于微型发光二极管的发光模式的工作区间内，因而实现低功率微型发光二极管显示器装置和驱动电路。
微型发光二极管显示器装置驱动电路

[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置-CN202110378794.5有效
发明人：汪涛;高锦成;钱海蛟;陈亮;赵立星;刘泽旭;张瑞锋;毛金翔;张冠永;陆文涛;姜涛 -专利权人：合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管包括依次设置在基底上的栅电极、栅绝缘层、有源层、掺杂层和源漏电极层，其中所述栅绝缘层、有源层、掺杂层和源漏电极层通过同一次图案化工艺形成，所述源漏电极层包括源电极和漏电极，在垂直基底方向上，所述薄膜晶体管包括源电极区、沟道区和漏电极区，所述掺杂层包括位于所述源电极区的源极掺杂层，以及位于所述漏电极区的漏极掺杂层，在所述源电极区，所述源极掺杂层在基底的正投影大于所述有源层在基底的正投影；在所述漏电极区，所述漏极掺杂层在基底的正投影大于所述有源层在基底的正投影。
薄膜晶体管制备方法阵列显示装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200680016084.1无效
发明人：吉持贤一 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2006-04-10 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，包括：半导体基板；多个源极区域，其在该半导体基板上形成为条纹状；多个栅电极，其在所述半导体基板上的所述条纹状的多个源极区域间形成为条纹状；绝缘膜，其覆盖所述源极区域以及栅电极，并在与所述源极区域的长度方向相关的一部分规定区域上具有使源极区域局部露出的接触孔；和源电极，其形成在该绝缘膜上，经由所述接触孔与所述源极区域电连接。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体芯片和包括半导体芯片的半导体装置-CN202110973539.5在审
发明人：金江旻;宋承砇;殷东锡;郑锡和 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：该半导体芯片包括衬底、设置在衬底上的源极结构和设置在源极结构上的支承图案。源极结构和支承图案中的每一个包括多晶硅。半导体芯片还包括设置在支承图案上的电极结构和竖直延伸穿过电极结构的多个竖直结构。电极结构包括：下电极结构，其设置在支承图案上，并且包括多个下栅电极和多个第一绝缘膜；第二绝缘膜，其设置在下电极结构上；以及上电极结构，其设置在第二绝缘膜上，并且包括多个上栅电极和多个第三绝缘膜。竖直结构在源极结构上方接触源极结构。
半导体芯片包括装置

[发明专利]场效应晶体管及其制造工艺-CN200910204465.8有效
发明人：岩崎达哉;板垣奈穗 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：场效应晶体管具有栅极电极、栅极绝缘层、沟道、以及与沟道电连接的源极电极和漏极电极，所述沟道包括氧化物半导体，所述源极电极或漏极电极包括氮氧化物。
场效应晶体管及其制造工艺