专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法、具备其的液晶显示装置-CN201911040109.7有效
  • 美崎克纪 - 夏普株式会社
  • 2019-10-29 - 2023-08-18 - H01L27/12
  • 本发明的薄膜晶体管基板具备基底基板和薄膜晶体管,上述薄膜晶体管具有:上述基底基板上的栅极电极;栅极绝缘层;源极电极和漏极电极;以及氧化物半导体层,其至少隔着上述栅极绝缘层与上述栅极电极相对,并且第1端部和第2端部分别重叠在上述源极电极和上述漏极电极上从而连接到上述源极电极和上述漏极电极,上述源极电极和上述漏极电极各自具有第1导电层和包覆上述第1导电层的第2导电层,上述第2导电层包含从包括钼、钽、钨以及镍的组中选择的至少1种元素,上述源极电极与上述漏极电极之间的区域下的上述栅极绝缘层的膜厚比上述源极电极下的上述栅极绝缘层的膜厚小,并且比上述漏极电极下的上述栅极绝缘层的膜厚小。
  • 薄膜晶体管及其制造方法具备液晶显示装置
  • [发明专利]有源矩阵基板以及具备其的X射线拍摄面板-CN201910979618.X有效
  • 美崎克纪 - 夏普株式会社
  • 2019-10-15 - 2023-08-08 - H01L27/146
  • 本发明提供一种有源矩阵基板以及具备其的X射线拍摄面板、以及有源矩阵基板的制造方法。有源矩阵基板(1)具备TFT(13)。TFT(13)具有:栅电极(13a);半导体层(13b),其隔着栅极绝缘膜(102)而与栅电极(13a)重叠;源电极(13c),其配置于半导体层(13b)上;以及漏电极(13d)。源电极(13c)、漏电极(13d)、半导体层(13b)被第一绝缘膜(103)覆盖。栅极绝缘膜(102)在覆盖栅电极(13a)的周缘部的部分具有第一高低差部(1021)。第一绝缘膜(103)在第一高低差部(1021)处,在俯视观察时与未被源电极(13c)和漏电极(13d)覆盖的部分重叠的位置具有第一开口(103b)。
  • 有源矩阵以及具备射线拍摄面板
  • [发明专利]TFT基板和具备TFT基板的扫描天线-CN201880022608.0有效
  • 美崎克纪 - 夏普株式会社
  • 2018-03-29 - 2023-07-07 - H01L29/786
  • TFT基板(106)具有电介质基板(1)和在电介质基板上排列的多个天线单位区域(U)。多个天线单位区域各自具有:TFT(10);贴片电极(15),其电连接到TFT的漏极电极(7D);辅助电容电极(7C),其与漏极电极电连接;第1辅助电容相对电极(3C),其隔着电介质层(4)与辅助电容电极相对;以及第2辅助电容相对电极(15C),其位于辅助电容电极的与第1辅助电容相对电极相反的一侧,隔着其它电介质层(11)与辅助电容电极相对。
  • tft具备扫描天线
  • [发明专利]TFT基板、具备TFT基板的扫描天线、以及TFT基板的制造方法-CN201910081931.1有效
  • 美崎克纪 - 夏普株式会社
  • 2019-01-28 - 2023-07-04 - H01L27/12
  • 提供能够抑制天线特性的降低的扫描天线、用于这种扫描天线的TFT基板、及这种TFT基板的制造方法。TFT基板(101A)具有半导体层(5)、包含栅极电极(3G)的栅极金属层(3)、栅极绝缘层(4)、包含源极电极(7S)及漏极电极的源极金属层(7)、以及包含源极接触部(6S)和漏极接触部(6D)的接触层(6)。源极金属层具有包含下部源极金属层(S1)和上部源极金属层(S2)的层叠结构,下部源极金属层的边缘位于比上部源极金属层的边缘靠内侧的位置。从电介质基板的法线方向观察时,至少多个天线单位区域的下部源极金属层的边缘及上部源极金属层的边缘中的不与源极接触部漏极接触部重叠的部分由至少两个无机层覆盖。
  • tft基板具备扫描天线以及制造方法
  • [发明专利]TFT基板和具备TFT基板的扫描天线-CN201880015402.5有效
  • 美崎克纪 - 夏普株式会社
  • 2018-02-27 - 2023-06-30 - H01L29/786
  • TFT基板(106)具有:电介质基板(1);多个天线单位区域(U),其排列在电介质基板上,各自具有:TFT(10);贴片电极(15),其电连接到TFT的漏极电极(7D);辅助电容电极(7C),其与漏极电极电连接;以及辅助电容相对电极(3C),其隔着绝缘层与辅助电容电极相对;以及多个CS总线(CL),其各自连接到辅助电容相对电极中的任意一个辅助电容相对电极。多个CS总线各自包含在其间隔着绝缘层配置的至少2个导电层(3CL、15CL)。
  • tft具备扫描天线
  • [发明专利]摄像面板及其制造方法-CN201780062797.X有效
  • 美崎克纪 - 夏普株式会社
  • 2017-10-06 - 2023-06-30 - H01L27/146
  • 提供能抑制光电转换层的漏电流的X射线的摄像面板及其制造方法。摄像面板(1)基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像。摄像面板(1)在基板(101)上具备:薄膜晶体管(13);绝缘膜(103),其覆盖薄膜晶体管(13);光电转换层(15),其将闪烁光转换为电荷;上部电极(14b);下部电极(14a),其与薄膜晶体管(13)连接;以及保护膜(142),其覆盖下部电极(14a)的侧端部。
  • 摄像面板及其制造方法
  • [发明专利]TFT基板、具备TFT基板的扫描天线以及TFT基板的制造方法-CN201880046310.3有效
  • 美崎克纪 - 夏普株式会社
  • 2018-07-09 - 2023-06-27 - H01L21/336
  • TFT基板的制造方法是源极电极(7S)和漏极电极(7D)各自包含下部源极金属层(S1)和上部源极金属层(S2)的TFT基板(101A)的制造方法。TFT基板的制造方法包含:将第1抗蚀剂层(81)作为蚀刻掩模对上部导电膜(S2’)进行蚀刻,从而形成上部源极金属层的工序;对下部导电膜(S1’)进行蚀刻,从而形成下部源极金属层的工序;将第1抗蚀剂层除去,以覆盖上部源极金属层的方式形成第2抗蚀剂层(82)的工序;以及将第2抗蚀剂层作为蚀刻掩模,通过干式蚀刻对接触层(6)进行蚀刻,从而形成源极接触部(6S)和漏极接触部(6D)的工序。
  • tft基板具备扫描天线以及制造方法
  • [发明专利]摄像面板及其制造方法-CN201780080214.6有效
  • 美崎克纪 - 夏普株式会社
  • 2017-12-22 - 2023-06-27 - H04N25/70
  • 提供能提高生产性的X射线摄像面板及其制造方法。摄像面板(1)基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像。摄像面板(1)在基板(101)上具有有源区域和端子区域。在有源区域中具备:薄膜晶体管;第1绝缘膜,其设置于薄膜晶体管之上;光电转换元件,其设置于第1绝缘膜之上;第2绝缘膜,其分开配置于光电转换元件的上层,具有接触孔;以及导电膜,其经由接触孔与上述光电转换元件连接。光电转换元件包含光电转换层,该光电转换层包含第1半导体层、本征非晶质半导体层以及第2半导体层。端子区域具备:第1导电层(100),其包括与薄膜晶体管的栅极电极或源极电极相同的材料;端子用第1绝缘膜(103),其包括与第1绝缘膜相同的材料,在第1导电层(110)的一部分之上分开设置,具有开口;端子用半导体层(1501),其设置于端子用第1绝缘膜(103)之上,包括与光电转换层的至少一部分半导体层相同的材料;以及第2导电层(1702),其设置于端子用半导体层(1501)之上,包括与上述导电膜相同的材料,在端子用第1绝缘膜(103)的开口中与第1导电层(100)连接。
  • 摄像面板及其制造方法
  • [发明专利]摄像面板及其制造方法-CN201880011123.1有效
  • 美崎克纪 - 夏普株式会社
  • 2018-02-07 - 2023-06-06 - H01L27/146
  • 提供能提高生产率的X射线摄像面板及其制造方法。摄像面板(1)在基板(101)具有有源区域和端子区域。端子区域具备:第1导电层(100);端子用第1绝缘膜(103),其包括与有源区域的第1绝缘膜相同的材料,具有第1开口;第2导电层(1701),其包括与有源区域的导电膜相同的材料,在设置有第1开口的位置与第1导电层(100)重叠;以及覆盖层,其在设置有第1开口的位置配置在第1导电层(100)与第2导电层(1701)之间。第1导电层(100)包括与有源区域的薄膜晶体管的栅极电极或源极电极、以及下部电极中的任意1个元件相同的材料。覆盖层包括与有源区域的源极电极、下部电极以及偏置配线中的、相比于包括与第1导电层(100)相同的材料的元件配置在上层的至少1个元件相同的材料。
  • 摄像面板及其制造方法
  • [发明专利]TFT基板、具备TFT基板的扫描天线以及TFT基板的制造方法-CN201880022448.X有效
  • 美崎克纪 - 夏普株式会社
  • 2018-03-30 - 2023-06-02 - H01L29/786
  • TFT基板(105A)具备包含多个天线单位区域(U)的发送接收区域(R1)和位于发送接收区域以外的区域的非发送接收区域(R2)。多个天线单位区域各自具有TFT(10)和电连接到TFT的漏极电极(7D)的贴片电极(3PE)。TFT基板具有:源极金属层(7),其包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极以及源极总线(SL);栅极金属层(3),其形成在源极金属层上,包含TFT的栅极电极(3G)、栅极总线(GL)以及贴片电极;栅极绝缘层(4),其形成在源极金属层与栅极金属层之间;以及导电层(19),其形成在栅极金属层上,在栅极金属层与导电层之间不具有绝缘层。
  • tft基板具备扫描天线以及制造方法
  • [发明专利]有源矩阵基板、具备其的X射线摄像面板及其制造方法-CN201910112791.X有效
  • 美崎克纪 - 夏普株式会社
  • 2019-02-13 - 2023-04-07 - H01L27/146
  • 本发明提供一种能够抑制由偏压配线的剥离引起的检测不良的有源矩阵基板、具备该其的X射线摄像面板及其制造方法。有源矩阵基板(1)具有配置为矩阵状的多个检测部。多个检测部中的每一个均具备:光电转换层(15);一对第一电极(14a)和第二电极(14b);保护膜(106),其覆盖光电转换层(15)的侧端部,并与第二电极(14b)的至少一部分重叠;以及偏压配线(16),其设置于光电转换层(15)的外侧,并对第二电极(14b)施加偏压。第二电极(14b)的与偏压配线(16)重叠的电极部分具有至少一个电极开口部(141h)。偏压配线(16)在光电转换层(15)的外侧与第二电极(14b)的电极部分接触,同时,在电极开口部(141h)中与保护膜(106)接触。
  • 有源矩阵具备射线摄像面板及其制造方法
  • [发明专利]有源矩阵基板及其制造方法-CN201880042329.0有效
  • 美崎克纪 - 夏普株式会社
  • 2018-06-26 - 2023-03-24 - H01L27/146
  • 一种具有像素区域的有源矩阵基板,具备:端子部(P2);保护环(P4);以及连接部(P3),其连接端子部(P2)和保护环(P4)。像素区域、端子部(P2)以及保护环(P4)具有:第1金属膜(231);第1导电层(13s),其层叠有电阻比第1金属膜(231)的电阻低的第2金属膜(232、233);第1保护层(103),其配置成与第1导电层(13s)的至少一部分重叠;以及第2保护层(105),其配置于第1保护层(103)之上。像素区域具有设置于第1保护层的上层的第2导电层。连接部(P2)具有第1金属膜(231)和配置于第1金属膜(231)之上的第2保护层(105)。端子部(P2)和保护环(P4)中的第1导电层(13s)的连接部侧的端部配置于比第1保护层(103)的连接部侧的端部靠内侧的位置。第2导电层(141)和第2金属膜(232、233)包含能用相同的蚀刻液进行蚀刻的材料。
  • 有源矩阵及其制造方法
  • [发明专利]有源矩阵基板以及具备其的X射线拍摄面板-CN201911116965.6有效
  • 美崎克纪 - 夏普株式会社
  • 2019-11-15 - 2023-02-28 - H01L31/0216
  • 有源矩阵基板(1)在基板(101)上具备第一电极(14a)、光电转换元件(15)、以及第二电极(14b)。第一电极(14a)、光电转换元件(15)、以及第二电极(14b)被在第二电极上具有第一开口(105a)的第一无机绝缘膜(105)覆盖。在第一无机绝缘膜(105)上设置有具有第二开口(106a)的第一有机绝缘膜(106),第二开口(106a)的内侧的第一有机绝缘膜(106a)的表面被具有俯视观察时与第一开口(105a)重叠的第三开口(117a)的第二无机绝缘膜(117)覆盖。在第二无机绝缘膜(117)上设置有在第一开口(105a)中与第二电极(14b)接触的导电膜(17)。
  • 有源矩阵以及具备射线拍摄面板

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