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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]显示装置-CN201910493069.5有效
发明人：津野仁志 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种根据本公开的显示装置，包括：基板；多个像素，配置为布置在基板上，其中，像素中的每个像素包括发光单元、第一晶体管、第二晶体管、电容器和第一布线层；并且其中，发光单元包括第一电极、设置在第一电极上的有机层和设置在有机层上的第二电极；第一晶体管包括顶部栅极电极、虚拟栅极电极、第一源极或漏极区域以及第二源极或漏极区域；第二晶体管包括栅极电极、第三源极或漏极区域以及第四源极或漏极区域；第一晶体管的顶部栅极电极经由第一接触部分连接到第一布线层；第二晶体管的第三源极或漏极区域经由第二接触部分连接到第一布线层；并且第一晶体管的虚拟栅极电极面对第一晶体管的沟道区域。
显示装置

[发明专利]单层多晶硅多次编程单元及其擦除方法和编程方法-CN201811503917.8在审
发明人：金秀珍;金明奭;郑仁彻;金宁培;金承国;李桢焕 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：该单层多晶硅多次编程(MTP)单元包括：第二导电型阱；包括漏极、感测栅极和源极的感测晶体管；连接至漏极的漏电极；连接至源极的源电极；连接至感测晶体管的感测栅极的控制栅极；以及控制栅电极，其中，感测晶体管、漏电极、源电极、控制栅极以及控制栅电极位于第二导电型阱上。
多次编程多晶硅单层感测晶体管控制栅电极导电型阱控制栅极漏电极源电极擦除感测漏极源极编程晶体管

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN200510007523.X有效
发明人：白木一郎;中岛睦;吉田圭介;安藤晶一;井上雅之;胜瀬浩文;山田淳一 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2005-02-05 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：本发明提供一种可以容易地进行辅助电容电极导致的短路缺陷的显示不良的修正的显示装置及其制作方法(缺陷修正方法)。在设置有供给显示用信号的源极线(2)、显示用的像素电极(8)、以及切换源极线(2)与像素电极(8)的电气连接的TFT(5)的显示装置中，TFT(5)包括电连接于源极线(2)的源极(4b)、电连接于像素电极(8)的漏极(4c)、以及控制源极(4b)和漏极(4c)间的电气连接的栅极(1a)，在漏极(4c)上，连接着第1辅助电容电极(4d)和第2辅助电容电极(4e)，漏极(4c)与这些辅助电容电极(4d和4e
显示装置及其制造方法

[发明专利]集成电路存储单元及制备方法-CN200480041851.5无效
发明人： A·帕特森 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2004-12-15 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种集成电路存储单元，包括复合的第一电容器电极和第一晶体管源极/漏极(28)、第二电容器电极(20)、第一和第二电极之间的电容器电介质(24)、以及第一源极/漏极之上并包括该第一源极/漏极的垂直晶体管(第二源极/漏极可以被包括在连接数位线(38)到垂直晶体管的晶体管沟道的数位线内部导体(40)中。沟道可以包括复合的第一电极和第一源极/漏极的半导电的向上延伸。存储单元可以包括在多个这种存储单元的阵列中，其中第二电极是多个存储单元的公共电极。存储单元可以提供第一电极和数位线之间的直线导电路径，该路径经过垂直晶体管延伸。
集成电路存储单元制备方法

[发明专利]基于Ⅲ族氮化物的晶体管器件-CN202110464442.1在审
发明人： A·比尔纳;H·布雷希;J·特怀南 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：在实施例中，基于III族氮化物的晶体管器件包括：位于基于III族氮化物的底部层的第一主表面上的源极电极、漏极电极和栅极电极，其中栅极被在横向上布置在源极电极和漏极电极之间；被布置在第一主表面上的钝化层；以及耦合到源极电极的场板，场板具有被布置在钝化层上的下表面。场板被在横向上布置在栅极电极和漏极电极之间并且在横向上与栅极电极和漏极电极间隔开。
基于氮化物晶体管器件

[实用新型]一种氧化物半导体薄膜晶体管-CN201420516491.0有效
发明人：司红康;金一琪 -专利权人：六安市华海电子器材科技有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管，在所述源漏极金属电极层与所述源漏极区域接触的区域引入氢浓度分布。在所述源极金属电极层与所述源极区域界面处，以及所述漏极金属电极与所述漏极区域的界面处引入的氢浓度最高，并且在远离界面处的方向上引入的氢浓度逐渐变小。进一步的，在靠近所述沟道区域的所述源漏极区域部分没有覆盖所述源漏极金属电极层，且在所述源漏极金属电极层远离所述源漏极区域的一端以及沟道区域内没有引入的氢浓度分布，本实用新型在不导致氧化物薄膜晶体管性能下降的情况下
一种氧化物半导体薄膜晶体管

[发明专利]半导体装置-CN201080061354.7有效
发明人：山崎舜平;小山润;加藤清 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：半导体装置包括源极位线、第一信号线、第二信号线、字线、以及连接在源极位线之间的存储器单元。存储器单元包括第一晶体管、第二晶体管和电容器。第二晶体管被形成为包括氧化物半导体材料。第一晶体管的栅极电极、源极和漏极电极中的一个、以及电容器的一个电极彼此电连接。源极位线同第一晶体管的源极电极彼此电连接。与上述源极位线相邻的另一源极位线同第一晶体管的漏极电极彼此电连接。
半导体装置

[发明专利]绝缘栅型半导体装置-CN200710140986.2有效
发明人：石田裕康;夏目正 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2007-08-15 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在现有结构中，源极区域及反向栅区域与共同的源极电极接触，不能分别控制源极区域和反向栅区域的电位。因此，在将这种MOSFET用于双向转换元件时，将两个MOSFET串联连接，由控制电路进行MOSFET的导通截止及寄生二极管的控制，阻碍了装置的小型化。在动作区域整个面上设置源极区域，在沟槽间的源极区域下方设置第一反向栅区域，在源极区域外设置与第一反向栅区域连接的第二反向栅区域。将与源极区域接触的第一电极层设置在动作区域的整个面上，将与第二反向栅区域接触的第二电极层设置在第一电极层的外周。能够分别对第一电极层和第二电极层施加电位，进行防止寄生二极管引起的逆流的控制。
绝缘半导体装置

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、驱动基板和电子设备-CN202011120951.4在审
发明人：安亚斌;张帅;贺海明;刘洋 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管包括：源极接触电极和漏极接触电极，源极接触电极和漏极接触电极的制作材料包括第一金属氧化物；半导体有源层连接源极接触电极和漏极接触电极，半导体有源层包括沟道区；阻挡层至少覆盖沟道区；栅极绝缘层位于阻挡层远离有源层的一侧，且覆盖阻挡层；栅极位于栅极绝缘层远离阻挡层的一侧，且栅极在半导体有源层的投影与沟道区交叠；层间介质层位于栅极的远离栅极绝缘层的一侧；源极和漏极位于层间介质层远离栅极的一侧，源极通过第一过孔与源极接触电极连接，漏极通过第二过孔与漏极接触电极连接。
一种薄膜晶体管及其制作方法驱动电子设备

[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管-CN201310293622.3在审
发明人：黄金海;孙伯彰;黄思齐 -专利权人：福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括基板、闸极电极、氧化物半导体层、闸极介电层、氧化物源极电极、氧化物汲极电极与金属连接组件。闸极介电层系至少部分设置于闸极电极与氧化物半导体层之间。氧化物源极电极与氧化物汲极电极系分别至少部分设置于氧化物半导体层与基板之间。金属连接组件设置于基板上，且金属连接组件于垂直于基板之垂直投影方向上与氧化物源极电极重迭。金属连接组件于垂直投影方向上不与氧化物半导体层重迭，且金属连接组件在与氧化物源极电极互相重迭之区域直接与氧化物源极电极接触而形成电性连接。
氧化物半导体薄膜晶体管

[发明专利]场效应晶体管和用于生产场效应晶体管的方法-CN201480043179.7在审
发明人：松本真二;植田尚之;中村有希;高田美树子;曾根雄司;早乙女辽一;新江定宪;安部由希子 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：为了提供一种场效应晶体管，包含：栅极电极，配置为施加栅极电压；源极电极和漏极电极，两者都配置为输出电流；有源层，由n型氧化物半导体形成，被提供为与源极电极和漏极电极接触；以及栅极绝缘层，被提供在栅极电极和有源层之间；其中，源极电极和漏极电极的功函数是4.90eV或更大，并且其中，n型氧化物半导体的电子载流子密度为4.0×10¹⁷cm^-3或更大。
场效应晶体管用于生产方法

[发明专利]电子装置-CN202210989369.4在审
发明人：王智弘;林信宏 -专利权人：睿生光电股份有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：晶体管设置于基板上且包括源极电极、漏极电极以与栅极电极。第一绝缘层设置于源极电极与栅极电极之间以及漏极电极与栅极电极之间。第一绝缘层具有第一部分与第二部分。第一部分定义为与源极电极及漏极电极重叠的部分。第二部分定义为与源极电极及漏极电极未重叠的部分。第一部分的厚度大于第二部分的厚度。本公开实施例的电子装置可降低晶体管特性偏移或改善晶体管的性能。
电子装置

[发明专利]化合物半导体开关电路装置-CN200610074646.X无效
发明人：浅野哲郎;榊原干人;日下佑一;石原秀俊 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-04-21 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H03K17/00 文献下载
摘要：在开关MMIC中，在将源极电极及漏极电极近接配置的位置产生高频信号的泄漏，存在有失真特性不良的问题。本发明的开关电路装置使栅极布线电极形成为梯形图案。另外，在开关MMIC的全部源极电极－漏极电极间配置栅极布线电极。进而在栅极布线电极和源极电极或漏极电极的交叉部，在它们之间配置相对介电常数大的氮化膜、和相对介电常数小的聚酰亚胺或中空部。另外，由于可防止漏极电极－源极电极间的高频信号的泄漏，故可使三次高谐波电平降低，且可大幅提高开关MMIC的失真特性。
化合物半导体开关电路装置

[发明专利]一种半导体器件-CN200710198800.9无效
发明人：陈郁文;陈富信;黄宗义;蔡泳田 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-12-19 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件包含位于衬底上的源极区和漏极区，其中源极区和漏极区掺杂第一种掺杂剂；在衬底上的源极区和漏极区之间形成的栅电极；在衬底上形成的栅间隙壁，栅间隙壁介于源极区和栅电极之间且紧邻栅电极
一种半导体器件

[发明专利]静电防护电路、阵列基板及显示装置-CN202211354416.4在审
发明人：刘欢;郑浩旋 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：该静电防护电路包括：第一晶体管，具有第一栅极、第一源/漏极和第二源/漏极，第一栅极与第一源/漏极电连接且作为第一输入端；第二晶体管，具有第二栅极、第三源/漏极和第四源/漏极，第二栅极与第三源/漏极电连接且作为第二输入端；第三晶体管，具有第三栅极、第五源/漏极和第六源/漏极，第五源/漏极和第六源/漏极分别电连接于第一输入端和第二输入端；第一电容器，包括第一电极和第二电极，第二源/漏极和第三栅极电连接于第二电极，第四源/漏极电连接于第一电极，以在静电释放时用于保持第三晶体管导通。
静电防护电路阵列显示装置

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