“源极电极”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1360769个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]摄像装置及照相机系统-CN201810244783.6在审
发明人：平濑顺司;村上雅史 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：具备像素和第1电压供给电路；像素包括：光电变换部，包括像素电极、对置电极、和位于两者之间将光变换为电荷的光电变换膜；放大晶体管，具有第1源极、第1漏极及第1栅极，第1栅极连接于像素电极；复位晶体管，具有第2源极、第2漏极及第2栅极，第2源极及第2漏极的一方被连接到像素电极；反馈晶体管，具有第3源极及第3漏极，第3源极及第3漏极的一方被连接到第2源极及第2漏极的另一方；第1电压供给电路向对置电极供给第1电压；如果在第2源极及第2漏极的一方与第2栅极之间供给限幅电压以上的电压则复位晶体管关闭；限幅电压比第1电压小。
漏极源极像素电极电压供给电路复位晶体管光电变换部对置电极摄像装置限幅电压像素反馈晶体管放大晶体管照相机系统高密度化光电变换栅极连接电荷高电压施加

[发明专利]驱动电路、光电装置和电子设备-CN200710151755.1无效
发明人：上条治雄;西村元章;野村猛 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2007-09-27 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：用于驱动光电装置的源极线的驱动电路包括：第一及第二源极短路电路，各源极短路电路用于使第一及第二源极线的各源极线和预设的源极短路节点短路；源极电荷存储用短路电路，用于使连接有源极用电容器的一端的源极电荷存储节点和源极短路节点短路；电压设定电路，用于向源极电荷存储节点提供预设的电压；节点短路电路，用于使对置电极电压输出节点和源极短路节点短路，其中，在对置电极电压输出节点上外加有向对置电极输出的电压，对置电极是与光电装置的像素电极隔着光电元件而设置的
驱动电路光电装置电子设备

[发明专利]制造机电晶体管的方法-CN201310524587.1有效
发明人：曹庆;李正文;刘菲;章贞 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：在所述晶片的表面上形成彼此相对的源极电极和漏极电极，其中在所述源极电极和所述漏极电极之间存在间隙。在所述晶片的所述表面上在所述源极电极和所述漏极电极之间的所述间隙的相对侧上形成第一栅极电极和第二栅极电极。将至少一个Janus部件设置在所述源极电极和所述漏极电极之间的所述间隙中，其中所述Janus部件包括具有导电材料的第一部分和具有电绝缘材料的第二部分。
制造机电晶体管方法

[发明专利]铁电存储器件、神经网络装置以及电子装置-CN202211432876.4在审
发明人：南胜杰;裵鹤烈;许镇盛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：一种铁电存储器件可以包括：源极；漏极；沟道层，在源极和漏极之间并且连接到源极和漏极；第一栅电极和第二栅电极，位于沟道层上以彼此间隔开；以及铁电层，在沟道层和第一栅电极之间以及在沟道层和第二栅电极之间。不同的电压可以被施加到第一栅电极和第二栅电极。
存储器件神经网络装置以及电子

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201811474472.5有效
发明人：陈志谚 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包含通道层、第一阻障层、第二阻障层、源极电极、漏极电极、以及栅极结构。通道层、第一阻障层、第二阻障层依序堆迭于基底之上。源极电极、漏极电极、和栅极结构至少延伸穿过部分的第二阻障层。源极电极、漏极电极、和栅极结构具有位于大抵相同的水平高度且邻近第一阻障层的各自底面。本发明可避免通道耦合效应，降低半导体装置的通道电阻。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]像素结构与其制造方法-CN200510082152.1有效
发明人：刘圣超;尤建盛;李春生 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2005-07-04 - 公布日： 2005-12-21 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：一种像素结构，包括形成于基板上的薄膜晶体管与储存电容，薄膜晶体管具有栅极电极以及有源层，有源层至少包括源极区以及漏极区，且源极区以及漏极区掺杂第一掺杂物；以及储存电容，形成于基板上，储存电容具有下电极以及上电极，下电极掺杂第二掺杂物，第一掺杂物以及第二掺杂物为相异型，且源极区以及漏极区与下电极不相连。
像素结构与其制造方法

[发明专利]高耐压沟槽MOS晶体管及其制造方法-CN200710161225.5无效
发明人：林敬司 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-09-25 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种高耐压晶体管及其制造方法，该高耐压晶体管具有：栅电极，设置于形成在半导体衬底上的沟槽上；分别从栅电极隔开预定的间隔在栅电极的两侧所形成的源极以及漏极；沿沟槽的源极侧的侧壁与沟槽的漏极侧的侧壁所形成的电场缓和层；在栅电极与源极之间、和栅电极与漏极之间形成的电场缓和层。
耐压沟槽 mos 晶体管及其制造方法

[发明专利]像素结构与其制造方法-CN201410202925.4无效
发明人：徐文义;陈茂松;黄国有 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2014-05-14 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种像素结构包含栅极、栅极介电层、硅通道层、源极硅欧姆接触层、漏极硅欧姆接触层、源极辅助欧姆接触层、漏极辅助欧姆接触层、透明导电部、透明像素电极、源极与漏极。栅极介电层覆盖栅极。源极硅欧姆接触层与漏极硅欧姆接触层分开设置于硅通道层上。源极辅助欧姆接触层、透明导电部与源极依序置于源极硅欧姆接触层上。漏极辅助欧姆接触层置于漏极硅欧姆接触层上。至少部分透明像素电极置于漏极辅助欧姆接触层上。漏极置于透明像素电极上，并置于漏极辅助欧姆接触层上方。
像素结构与其制造方法

[发明专利]透射型液晶显示器件及其制造方法-CN96111648.X无效
发明人：岛田尚幸;梶谷優;岡本昌也;片山幹雄;咲花由和;山本明弘;中田幸伸;锦博彦;近藤直文;嶋田吉祐 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 1996-08-12 - 公布日： 2003-02-12 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：一种透射型液晶显示器件，包括门极引线；源极引线和排列在近每一门极引线和每一源极引线的交叉点处的开关元件，每一开关元件的门极与门极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关每一开关元件的门极与门极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关元件、门极引线和源极引线的上方具有高透射率有机膜形成的中间层绝缘膜，中间层绝缘膜上具有透明导电膜形成的像素电极
透射液晶显示器件及其制造方法

[发明专利]静电放电保护电路以及半导体电路-CN202011117318.X在审
发明人：王裕凯;李建兴;林昌民 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：半导体元件具有第一漏/源极电极以及第二漏/源极电极，且由深阱包围。静电放电保护电路包括控制电路以及放电电路。控制电路电连接于第一漏/源极电极与电源端之间，具有电连接深阱的控制端，且产生控制信号。放电电路电连接第一漏/源极电极与电源端之间，且受控于控制信号。当于第一漏/源极电极上发生一静电放电事件时，控制电路根据深阱的电位状态以及第一漏/源极电极的电位状态来产生控制信号，且放电电路根据控制信号提供介于第一漏/源极电极与电源端之间的一放电路径。
静电放电保护电路以及半导体

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110254979.5在审
发明人：陈奕寰;郑光茗;周建志;亚历山大卡尔尼斯基;刘思贤;袁焕之 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：源极区和漏极区布置于阱区的相对侧上的衬底内。栅极电极布置于阱区上方，栅极电极具有布置于衬底的最顶部表面下方且在源极区与漏极区之间延伸的底部表面。沟槽隔离结构包围源极区、漏极区以及栅极电极。栅极介电结构将栅极电极与阱区、源极区、漏极区以及沟槽隔离结构分离。栅极电极结构具有中心部分和拐角部分。中心部分具有第一厚度，且拐角部分具有大于第一厚度的第二厚度。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种氮化镓HEMT器件及其制备方法-CN202210972571.6在审
发明人：黄汇钦;吴龙江;曾健忠 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种氮化镓HEMT器件及其制备方法，氮化镓开关器件包括：衬底层、缓冲层、氮化镓层、势垒层、源极层、栅极层、漏极层、源极电极、栅极电极以及漏极电极，通过由相邻的N型掺杂区和P型掺杂区组成衬底层，并使得P型掺杂区与源极电极接触，N型掺杂区与漏极电极接触，使得在氮化镓HEMT器件的漏极端与源极端之间形成二极管，在器件导通时，其负载电感上的能量转换使得器件漏极和源极之间的电压达到二极管的雪崩电压时，二极管导通，将器件漏极和源极之间的电压固定，避免栅极被打开，从而使得器件可以承受更大的电感能量转换，提升氮化镓HEMT器件应用于高负载电感场景时的可靠性。
一种氮化 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件-CN201280051561.3有效
发明人：星真一;水野祥司;加地徹;上杉勉;富田一义;伊藤健治 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：一种半导体器件：包括HEMT（10，20，21，30，31，32）和二极管（60，70）。所述HEMT包括：具有GaN层（13）和AlGaN层（14）的衬底（10），所述GaN层生成二维电子气且用作沟道层，所述AlGaN层在所述GaM层上且用作阻挡层；源极电极（30），所述源极电极在所述AlGaN层上且与所述AlGaN层形成欧姆接触；漏极电极（31），所述漏极电极在所述AlGaN层上远离所述源极电极，且与所述AlGaN层形成欧姆接触；在所述源极电极和漏极电极之间的所述AlGaN层上的层间绝缘膜（20，21）；以及所述层间绝缘膜上的栅极电极（32）。所述二极管包括电连接至所述栅极电极的阳极和电连接至所述漏极电极的阴极。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202310373035.9在审
发明人：下山浩哉 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：感测MOSFET在平面图中形成在由主MOSFET和源极焊盘围绕的位置处，该源极焊盘连接到主MOSFET的源极区域。源极电位经由在平面图中由源极焊盘围绕的布线被提供给感测MOSFET的源极区域，场板电极与栅极电极一起形成在沟槽中，并且布线形成在源极焊盘外部。
半导体器件

[发明专利]薄膜晶体管、使用其的液晶显示器、以及其制造方法-CN200510009452.7有效
发明人：大石三真;木村聪 -专利权人： NEC液晶技术株式会社
申请日： 2005-02-08 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：位于栅极电极上用来形成在源极电极和漏极电极之间的沟道区域的半导体膜具有比位于栅极电极上的源极电极的宽度和漏极电极的宽度宽的宽度。在沟道区中的两边部分上的半导体膜的宽度方向上形成了不规则。
薄膜晶体管使用液晶显示器及其制造方法