专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果1360769个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]半导体装置-CN201710073456.4有效
  • 林立凡;杨竣杰 - 台达电子工业股份有限公司
  • 2017-02-10 - 2021-06-04 - H01L29/778
  • 一种半导体装置包含主动层、电极、漏电极、栅极电极、第一绝缘层、栅极金属层、贯穿结构、第一金属层、漏金属层与第二金属层。电极、漏电极与栅极电极置于主动层上。栅极电极置于电极与漏电极之间。第一绝缘层置于电极、漏电极与栅极电极上。栅极金属层置于栅极电极与第一绝缘层上。栅极金属层包含窄部与宽部。贯穿结构置于栅极金属层与栅极电极之间。第一金属层置于电极与第一绝缘层上。漏金属层置于漏电极与第一绝缘层上。第二金属层置于栅极金属层与漏金属层之间。
  • 半导体装置
  • [发明专利]薄膜晶体管及包括薄膜晶体管的平板显示器-CN200610079397.3有效
  • 安泽;徐旼彻;具在本 - 三星SDI株式会社
  • 2006-04-21 - 2006-11-15 - H01L29/786
  • 能减小泄露电流和能防止在相邻的TFT之间串扰的TFT包括:衬底;安置在衬底上的栅极电极;彼此分开并与栅极电极绝缘的电极和漏电极;以及与栅极电极绝缘的半导体层,接触和漏电极的每一个,并且具有将在和漏电极之间的半导体层的区域至少与相邻的每个槽至少经过与和漏电极对应的半导体层的部分,并且由至少经过与和漏电极对应的半导体层的部分的每个槽投影到和漏电极时而生成的投影图像覆盖除了面向漏电极电极的部分和面向电极的漏电极的部分以外的和漏电极
  • 薄膜晶体管包括平板显示器
  • [发明专利]薄膜晶体管-CN201210194975.3无效
  • 赵圣行;朴在佑;金度贤 - 三星电子株式会社
  • 2012-06-13 - 2012-12-19 - H01L29/786
  • 本发明提供了一种薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括栅极电极、栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的氧化物半导体层、位于氧化物半导体层上并彼此隔开的漏电极电极。所述漏电极包括在氧化物半导体层上的第一漏电极和在第一漏电极上的第二漏电极。所述电极包括在氧化物半导体层上的第一电极和在第一电极上的第二电极。第一漏电极和第一电极包括镓锌氧化物(GaZnO),第二电极和第二漏电极包括金属原子。
  • 薄膜晶体管
  • [发明专利]半导体装置-CN201510616049.4有效
  • 林立凡;杨竣杰 - 台达电子工业股份有限公司
  • 2015-09-24 - 2020-04-14 - H01L27/02
  • 本发明提供一种半导体装置包含元件层、电极、漏电极、栅极电极汇流排、漏汇流排、第一栅极汇流排与第二栅极汇流排。电极、漏电极与栅极电极置于元件层上且沿第一方向延伸。栅极电极分别置于电极与漏电极之间。汇流排、漏汇流排、第一栅极汇流排与第二栅极汇流排沿与第一方向交错之第二方向延伸。汇流排与漏汇流排分别电性连接电极与漏电极。第一栅极汇流排与第二栅极汇流排连接栅极电极。第一栅极汇流排置于电极的一端。电极横跨第二栅极汇流排。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201710203142.1有效
  • 林立凡;杨竣杰 - 台达电子工业股份有限公司
  • 2017-03-30 - 2021-07-30 - H01L29/778
  • 本公开提供一种半导体装置,包含主动层、电极、漏电极、栅极电极、第一绝缘层、第二绝缘层、第一垫与第一漏垫。电极、漏电极与栅极电极置于主动层上。第一绝缘层置于电极、漏电极与栅极电极上。第二绝缘层置于第一绝缘层上。第一垫电性连接电极且包含第一下分支与第一本体。第一下分支置于第一绝缘层与第二绝缘层之间。第一本体置于第二绝缘层上。第一漏垫电性连接漏电极且包含第一下漏分支与第一漏本体。第一下漏分支置于第一绝缘层与第二绝缘层之间。第一漏本体置于第二绝缘层上。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180000619.0有效
  • 李浩;黃敬源;姚卫刚 - 英诺赛科(苏州)科技有限公司
  • 2021-02-25 - 2023-03-31 - H01L29/778
  • 半导体器件包括漏电极、第一电极、第二电极、第一栅极电极和第二栅极电极。第一电极设置在漏电极的第一侧。第二电极设置在漏电极的第二侧,与第一电极相对。第一栅极电极设置在第一电极和漏电极之间。第一栅极电极沿第一方向延伸。第二栅极电极设置在第二电极和漏电极之间。第二栅极电极沿第一方向延伸。在半导体器件俯视图中,第一栅极电极设置基本垂直于第一方向的第一假想线的上方。在半导体器件俯视图中,第二栅极电极设置在基本垂直于第一方向的第二假想线的下方。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]显示装置及其制造方法-CN200710182177.8有效
  • 入江由季子 - 索尼株式会社
  • 2007-09-13 - 2008-05-07 - H01L27/12
  • 该显示装置包括像素电极;像素开关元件,其具有第一/漏区域和第二/漏区域和栅极电极;保持电容元件,其具有形成为在其间夹置电介质膜的第一电极和第二电极,第二电极与第二/漏区域相连;像素电极接续部,其由导电材料形成,像素电极和第二/漏区域通过像素电极接续部彼此相连;和与第一/漏区域连接的信号配线;当通过反转驱动保持像素电位时,信号配线和第二/漏区域变为电位彼此不同,且像素电极接续部和第二/漏区域变为电位彼此相等。
  • 显示装置及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710064351.2有效
  • 藤田光一 - 三菱电机株式会社
  • 2017-02-04 - 2020-09-15 - H01L29/417
  • 电极(12)具有:第1电极(12a);第2电极(12b),其是第2阶层或者更高阶层的电极,形成于第1电极(12a)之上;以及第3电极(12c),其是第3阶层或者更高阶层的电极,形成于第2电极(12b)之上,且形成于栅极引出电极(15)的上方。栅极引出电极(15)是第2阶层或者更高阶层的电极,形成于第1电极(12a)之上,栅极引出电极(15)的周围被第1、第2及第3电极(12a、12b、12c)包围。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]电子装置及其制造方法-CN202111130397.2在审
  • 林辰宇 - 群创光电股份有限公司
  • 2021-09-26 - 2023-03-31 - H01L29/417
  • 电子装置包括基板、半导体层、漏电极电极以及绝缘层。半导体层设置于基板上。漏电极电性连接至半导体层。电极电性连接至半导体层。绝缘层设置于电极与漏电极之间。电极与漏电极至少部分重叠。电子装置的制造方法包括以下步骤:提供基板;形成半导体层于基板上;形成漏电极,以电性连接至半导体层;形成电极,以电性连接至半导体层;以及形成绝缘层于电极与漏电极之间。
  • 电子装置及其制造方法
  • [发明专利]薄膜晶体管阵列基板以及使用该基板的液晶显示装置-CN201310278703.6无效
  • 奥本和范 - 三菱电机株式会社
  • 2013-07-04 - 2014-01-22 - G02F1/1362
  • TFT阵列基板具备:栅极布线(4),对构成绝缘性基板(6)上的像素的像素电极进行驱动;布线(5),隔着绝缘膜与栅极布线(4)交叉;电极(3),与布线(5)连接;漏电极(2),与电极(3)对置设置并且与像素电极连接。在电极(3)以及漏电极(2)的下层配设有与这些电极(3)以及漏电极(2)连接的半导体层(1)。半导体层(1)的端面在栅极布线(4)上与布线(5)的端面、电极(3)的端面以及漏电极(2)的端面不交叉,位于漏电极(2)之下的半导体层(1)的部分具有在俯视图中内包于栅极布线(4)的端面。
  • 薄膜晶体管阵列以及使用液晶显示装置
  • [发明专利]功率器件的检测装置及方法-CN202010691067.X在审
  • 叶娜;李萍;王晓妮 - 中车永济电机有限公司
  • 2020-07-17 - 2022-02-08 - G01R31/26
  • 本发明提供了一种功率器件的检测装置及方法,属于半导体器件检测技术领域,所述检测装置包括承载板和设置在承载板上的基板;基板设置有源电极辅助电极、漏电极、漏辅助电极、栅极主电极;芯片与基板之间设置有第一焊层,芯片的漏与第一焊层连接;漏电极通过漏键合线与第一焊层连接;电极通过键合线与芯片的连接,栅极主电极通过栅极键合线与芯片的栅极连接,辅助电极通过辅助键合线与芯片的连接,漏辅助电极通过漏辅助键合线与第一焊层连接本发明提供的功率器件的检测装置及方法,其能够对键合线以及焊层电阻的变化情况分别进行标定,从而提升检测准确性。
  • 功率器件检测装置方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top