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[发明专利]带对准标记的基板的制造方法-CN201811015011.1有效
发明人：前田昌纪;原义仁;大东彻;今井元;北川英树;伊藤俊克;川崎达也 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：缩小配置空间并且提高对准精度。阵列基板(10B)的制造方法具备：第1金属膜形成工序，通过形成第1金属膜(23)并对其进行图案化，形成具有包括开口的下层侧对准标记(39)的下层侧对准标记构成部(40)；第2金属膜成膜工序，形成第2金属膜(25)；光致抗蚀剂膜形成工序，通过形成光致抗蚀剂膜(41)并对其进行图案化，形成与下层侧对准标记的至少一部分重叠的下层侧对准标记重叠部(42)；蚀刻工序，通过选择性地蚀刻并除去第1金属膜(23)和第2金属膜中的与光致抗蚀剂膜的下层侧对准标记重叠部不重叠的部分，形成包括第2金属膜的上层侧对准标记(38)；以及光致抗蚀剂膜剥离工序，剥离光致抗蚀剂膜。
对准标记制造方法

[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法-CN201811238583.6有效
发明人：原义仁;北川英树;大东彻;今井元;前田昌纪;川崎达也;伊藤俊克 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种也可适用于大型液晶面板的有源矩阵基板。有源矩阵基板(100)具备源极总线及栅极总线、分别配置于各像素区域P的薄膜晶体管(10)及像素电极PE、隔着介电层配置于像素电极上的共用电极CE、以及在显示区域内配置于栅极金属层与源极金属层之间的旋涂玻璃层(23)，像素电极是由与薄膜晶体管的氧化物半导体层(7)相同的金属氧化物膜形成，旋涂玻璃层在各像素区域内的形成有薄膜晶体管的部分具有开口部(23p)，旋涂玻璃层位于源极总线SL与栅极总线GL交叉的交叉部Dsg的源极总线与栅极总线之间、且位于各像素区域内的像素电极PE的至少一部分与基板(1)之间。
有源矩阵及其制造方法

[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法-CN201880021738.2有效
发明人：上田辉幸;北川英树;大东彻;今井元;铃木正彦;西宫节治;菊池哲郎;伊藤俊克;原健吾 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：有源矩阵基板的氧化物半导体TFT(201)具有：氧化物半导体层(107)；上部栅极电极(112)，其隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上；以及源极电极(113)和漏极电极(114)，氧化物半导体层(107)在从基板的法线方向观看时包含：第1部分(p1)，其与上部栅极电极重叠；以及第2部分(p2)，其位于第1部分与源极接触区域或漏极接触区域之间，栅极绝缘层未覆盖第2部分，上部栅极电极(112)具有包含与栅极绝缘层接触的合金层(112L)和配置在合金层上的金属层(112U)的层叠结构，金属层由第1金属元素M形成，合金层由包含第1金属元素M的合金形成，第1金属元素M是Cu、Mo或Cr。
有源矩阵及其制造方法

[发明专利]显示面板用基板的制造方法-CN201811057904.2有效
发明人：原义仁;大东彻;今井元;前田昌纪;北川英树;伊藤俊克;川崎达也 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种显示面板用基板的制造方法，抑制对半导体膜和透明电极膜中的一个膜进行的蚀刻处理、退火处理给另一个膜带来不良影响的事态。其特征在于，具备：像素电极形成工序，在覆盖栅极电极(34)的栅极绝缘膜(38)上形成包括透明电极膜的像素电极(33)；半导体膜形成工序，在像素电极形成工序之后进行，在栅极绝缘膜(38)上以一部分覆盖像素电极(33)的形式形成半导体膜(42)；退火处理工序，在半导体膜形成工序之后进行，对半导体膜(42)进行退火处理；以及蚀刻工序，在退火处理工序之后进行，通过对半导体膜(42)进行蚀刻，将与栅极电极(34)重叠的沟道部(37)形成在与像素电极(33)同一层。
显示面板用基板制造方法

[发明专利]有源矩阵基板、液晶显示装置-CN201880022067.1有效
发明人：北川英树;今井元;伊藤俊克;菊池哲郎;铃木正彦;上田辉幸;原健吾;西宫节治;大东彻 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：提供一种既抑制像素缺陷的产生又高清晰的有源矩阵基板。其具备：第1半导体膜，其与在行方向上相邻的2个子像素中的一个子像素对应；第2半导体膜，其与在行方向上相邻的2个子像素中的另一个子像素对应；晶体管，其将上述第1半导体膜的一部分作为行方向上的沟道；以及像素电极，其经由接触孔连接到上述晶体管的漏极电极，在俯视时，从上述沟道的漏极电极侧边缘到上述接触孔的底面为止的行方向上的距离(dc)为行方向上的子像素间距(dp)的0.15倍以上。
有源矩阵液晶显示装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201780059506.1有效
发明人：铃木正彦;今井元;北川英树;菊池哲郎;西宫节治;上田辉幸;原健吾;大东彻;伊藤俊克 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体装置具备包含半导体层(7)、栅极电极(3)、栅极绝缘层(5)、源极电极(8)以及漏极电极(9)的薄膜晶体管(101)，半导体层(7)具有层叠结构，该层叠结构包含：第1氧化物半导体层(71)，其包含In和Zn，第1氧化物半导体层所包含的In相对于全部金属元素的原子数比大于第1氧化物半导体层所包含的Zn相对于全部金属元素的原子数比；第2氧化物半导体层(72)，其包含In和Zn，第2氧化物半导体层所包含的Zn相对于全部金属元素的原子数比大于第2氧化物半导体层所包含的In相对于全部金属元素的原子数比；以及中间氧化物半导体层(70)，其配置在第1氧化物半导体层与第2氧化物半导体层之间，第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层是结晶质氧化物半导体层，中间氧化物半导体层是非晶质氧化物半导体层，第1氧化物半导体层(71)配置在比第2氧化物半导体层(72)靠栅极绝缘层(5)侧。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]有源矩阵基板-CN201910210031.2在审
发明人：上田辉幸;原义仁;大东彻;今井元;北川英树;前田昌纪;川崎达也;平田义晴;菊池哲郞;伊藤俊克 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供包括电阻低的栅极金属层的有源矩阵基板。有源矩阵基板包括包含多条源极总线SL的源极金属层及包含多条栅极总线GL的栅极金属层、与配置于各像素区域的薄膜晶体管(101)，薄膜晶体管包括：栅极电极(3)、隔着栅极绝缘层(5)而配置在栅极电极(3)上的氧化物半导体层(7)、源极电极(8)及漏极电极(9)，栅极电极(3)形成在栅极金属层内，且电连接于多条栅极总线GL中的对应的一条栅极总线GL，栅极金属层具有层叠构造，该层叠构造包含铜合金层(g1)、与配置在铜合金层(g1)上的铜层(g2)，铜合金层(g1)由包含Cu与至少一个添加金属元素的铜合金形成，添加金属元素包含Al，铜合金中的Al的含有量为2at％以上且为8at％以下。
栅极金属层铜合金层栅极电极栅极总线薄膜晶体管源矩阵基板层叠构造金属元素铜合金配置氧化物半导体层源极金属层栅极绝缘层漏极电极像素区域源极电极电连接源矩阵总线电阻条源铜层

[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法-CN201780059470.7在审
发明人：北川英树;大东彻;今井元;菊池哲郎;铃木正彦;伊藤俊克;上田辉幸;西宫节治;原健吾 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：有源矩阵基板(100)的像素区域具备：薄膜晶体管(101)，其具有氧化物半导体层(7)；无机绝缘层(11)及有机绝缘层(12)，其覆盖薄膜晶体管；共用电极(15)；电介质层(17)，其主要包含氮化硅；以及像素电极(19)，无机绝缘层具有包含氧化硅层和氮化硅层的层叠结构，像素电极(10)在像素接触孔内与漏极电极(9)接触，像素接触孔包括分别形成于无机绝缘层(11)、有机绝缘层(12)以及电介质层(17)的第1开口部、第2开口部以及第3开口部，第1开口部的侧面与第2开口部的侧面对齐，第2开口部的侧面包含：第1部分(121)，其相对于基板按第1角度(θ1)倾斜；第2部分(122)，其位于第1部分的上方，按比第1角度大的第2角度(θ2)倾斜；以及交界(120)，其位于第1部分与第2部分之间，相对于基板的倾斜角度不连续地变化。
开口部无机绝缘层有机绝缘层源矩阵基板电介质层像素电极接触孔侧面基板像素氧化物半导体层薄膜晶体管层叠结构氮化硅层覆盖薄膜共用电极漏极电极像素区域氧化硅层对齐不连续氮化硅晶体管交界制造

[发明专利]显示面板用基板的制造方法-CN201811197186.9在审
发明人： 伊藤俊克;大东彻;今井元;前田昌纪;北川英树;原义仁;川崎达也 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：提供一种显示面板用基板的制造方法，能削减工序数。其特征在于，具备：透明导电膜形成工序，在覆盖设置于玻璃基板(31)的TFT(32)的平坦化膜(47)上形成透明导电膜(51)；金属膜形成工序，在透明导电膜形成工序之后进行，以覆盖透明导电膜(51)的形式形成金属膜(52)；配线形成工序，在金属膜形成工序之后进行，通过对金属膜(52)进行蚀刻而形成配线(50)；以及透明电极形成工序，在配线形成工序之后进行，通过对透明导电膜(51)进行蚀刻而形成与配线(50)连接的像素电极(33)。
透明导电膜形成工序配线金属膜形成工序蚀刻显示面板金属膜基板玻璃基板平坦化膜透明电极像素电极形式形成覆盖制造削减

[发明专利]显示面板-CN201811139272.4在审
发明人：北川英树;大东彻;今井元;原义仁;前田昌纪;伊藤俊克;川崎达也 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：一种显示面板，抑制位置检测配线与其它配线发生干扰的事态。其特征在于，具备：玻璃基板(31)；多个像素电极(33)，其设置于玻璃基板(31)；多个位置检测电极(48)，其设置于玻璃基板(31)，检测位置输入体的输入位置；多个TFT(32)，其在玻璃基板(31)中相比于像素电极(33)和位置检测电极(48)设置在下层，连接到多个像素电极(33)中的每一个像素电极(33)；位置检测配线(50)，其在玻璃基板(31)中相比于TFT(32)设置在下层，电连接到位置检测电极(48)；以及SOG膜(52)，其配置在位置检测配线(50)与TFT(32)之间。
玻璃基板像素电极配线位置检测电极位置检测显示面板下层检测位置输入位置抑制位置电连接输入体检测配置

[发明专利]显示面板-CN201811142619.0在审
发明人：北川英树;大东彻;今井元;原义仁;前田昌纪;伊藤俊克;川崎达也 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制连接于电极的布线干扰其他布线的情况的显示面板。一种显示面板，其特征在于，具有：玻璃基板；多个像素电极；多个TFT，其与多个像素电极的各个电极电连接；位置检测电极；位置检测布线，其与位置检测电极电连接；端子部，其配置在比位置检测布线更靠上层并配置于非显示区域A2；SOG膜，其在显示区域A1内介于位置检测布线与TFT之间并在非显示区域A2内介于端子部与玻璃基板之间；导电膜，其在玻璃基板中配置于位置检测布线与端子部之间的层且从位置检测布线横跨端子部地延伸并对端子部和位置检测布线进行连接，所述导电膜配置于SOG膜的上层。
布线位置检测端子部玻璃基板显示面板位置检测电极非显示区域像素电极配置导电膜上层电极电连接布线干扰显示区域电连接电极横跨延伸

[发明专利]有源矩阵基板-CN201780016987.8在审
发明人：菊池哲郎;大东彻;今井元;伊藤俊克;越智久雄;北川英树;铃木正彦;上田辉幸;郡司辽佑;原健吾;西宫节治 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：有源矩阵基板具备：基板(1)；周边电路，其包含第1氧化物半导体TFT(101)；多个第2氧化物半导体TFT(102)，其配置在显示区域内；以及第1无机绝缘层(11)，其覆盖多个第2氧化物半导体TFT(102)，第1氧化物半导体TFT(101)具有：下部栅极电极(3A)；栅极绝缘层(4)；氧化物半导体层(5A)，其配置为隔着栅极绝缘层与下部栅极电极相对；源极电极(7A)和漏极电极(8A)；以及上部栅极电极(BG)，其隔着包含第1无机绝缘层(11)的绝缘层配置在氧化物半导体层(5A)之上，在上部栅极电极(BG)之上，还具有覆盖第1氧化物半导体TFT(101)的第2无机绝缘层(17)。
氧化物半导体栅极电极无机绝缘层氧化物半导体层源矩阵基板栅极绝缘层绝缘层配置漏极电极显示区域源极电极周边电路覆盖基板配置

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