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[发明专利]带对准标记的基板的制造方法-CN201811015011.1有效
发明人：前田昌纪;原义仁;大东彻;今井元;北川英树;伊藤俊克;川崎达也 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：缩小配置空间并且提高对准精度。阵列基板(10B)的制造方法具备：第1金属膜形成工序，通过形成第1金属膜(23)并对其进行图案化，形成具有包括开口的下层侧对准标记(39)的下层侧对准标记构成部(40)；第2金属膜成膜工序，形成第2金属膜(25)；光致抗蚀剂膜形成工序，通过形成光致抗蚀剂膜(41)并对其进行图案化，形成与下层侧对准标记的至少一部分重叠的下层侧对准标记重叠部(42)；蚀刻工序，通过选择性地蚀刻并除去第1金属膜(23)和第2金属膜中的与光致抗蚀剂膜的下层侧对准标记重叠部不重叠的部分，形成包括第2金属膜的上层侧对准标记(38)；以及光致抗蚀剂膜剥离工序，剥离光致抗蚀剂膜。
对准标记制造方法

[发明专利]有源矩阵基板以及其制造方法-CN202010444250.X有效
发明人：北川英树;原义仁;前田昌纪;平田义晴;川崎达也;上田辉幸;今井元;大东彻 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种有源矩阵基板以及其制造方法。有源矩阵基板包括：基板；多个下部总线以及多个上部总线；下部绝缘层，位于多个下部总线与多个上部总线之间；氧化物半导体TFT，是配置在各像素区域的氧化物半导体TFT，包含配置在下部绝缘层上的氧化物半导体层；像素电极，配置在各像素区域；多个配线连接部，配置在非显示区域。各配线连接部包含：下部导电层，使用与多个下部总线相同的导电膜而形成；绝缘层，是在下部导电层上延伸设置的，包含下部绝缘层的绝缘层，包含露出下部导电层的一部分的第一开口部；其他导电层，在第一开口部内连接在下部导电层。多个下部总线以及下部导电层包含：包含金属层、和覆盖金属层的上面以及侧面的透明导电层。
有源矩阵及其制造方法

[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法-CN202010213981.3有效
发明人： 今井元;大东彻;菊池哲郎;山中昌光;原义仁;川崎达也;铃木正彦;西宫节治 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：提供有源矩阵基板，其具备氧化物半导体TFT，能降低寄生电容。有源矩阵基板具备源极总线、下部绝缘层、包含氧化物半导体层的氧化物半导体TFT、栅极总线及多个配线连接部，氧化物半导体层在形成于下部绝缘层的源极用开口部内电连接到源极电极或源极总线，各配线连接部包含：下部导电部，其使用第1导电膜形成；下部绝缘层，其在下部导电部上延伸设置；氧化物连接层，其与氧化物半导体层使用相同氧化物膜形成，并在形成于下部绝缘层的下部开口部内电连接到下部导电部；绝缘层，其覆盖氧化物连接层；以及上部导电部，其在形成于绝缘层的上部开口部内电连接到氧化物连接层，氧化物连接层包含电阻率比氧化物半导体层的沟道区域的电阻率低的区域。
有源矩阵及其制造方法

[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法-CN201811238583.6有效
发明人：原义仁;北川英树;大东彻;今井元;前田昌纪;川崎达也;伊藤俊克 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种也可适用于大型液晶面板的有源矩阵基板。有源矩阵基板(100)具备源极总线及栅极总线、分别配置于各像素区域P的薄膜晶体管(10)及像素电极PE、隔着介电层配置于像素电极上的共用电极CE、以及在显示区域内配置于栅极金属层与源极金属层之间的旋涂玻璃层(23)，像素电极是由与薄膜晶体管的氧化物半导体层(7)相同的金属氧化物膜形成，旋涂玻璃层在各像素区域内的形成有薄膜晶体管的部分具有开口部(23p)，旋涂玻璃层位于源极总线SL与栅极总线GL交叉的交叉部Dsg的源极总线与栅极总线之间、且位于各像素区域内的像素电极PE的至少一部分与基板(1)之间。
有源矩阵及其制造方法

[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法-CN202010494210.6有效
发明人：菊池哲郎;大东彻;今井元;铃木正彦;西宫节治;原健吾;山中昌光;高畑仁志 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种有源矩阵基板，具备：基板；多个氧化物半导体TFT；多个栅极总线；多个源极总线；至少1个干配线，其设置于非显示区域，传递信号；及多个其它配线，其分别以与干配线至少部分重叠的方式配置。有源矩阵基板在基板上具有第1金属层、配置在第1金属层的上方的第2金属层及配置在第2金属层的上方的第3金属层。第1、第2及第3金属层中的任意一层包含源极总线，其它任意一层包含栅极总线。干配线形成于第1、第2及第3金属层中的2个金属层。其它配线形成于另1个金属层。干配线具有包含形成于2个金属层中的一方的下部配线和形成于2个金属层中的另一方且隔着绝缘层配置在下部配线上的上部配线的多层结构，下部配线与上部配线是电连接的。
有源矩阵及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201811115059.X有效
发明人：菊池哲郎;大东彻;今井元;铃木正彦;西宫节治;上田辉幸;原健吾 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供具备具有稳定的特性的可靠性高的氧化物半导体TFT的半导体装置。半导体装置中的至少1个薄膜晶体管(101)包括半导体层(7)、栅极电极(3)、栅极绝缘层(5)、源极电极(8)和漏极电极(9)，半导体层具有层叠结构，上述层叠结构包括：多个沟道形成层，其包括第1沟道形成层(70A)和第2沟道形成层(70B)；以及至少1个中间层，其包括配置于第1沟道形成层和第2沟道形成层之间的第1中间层(71a)，第1沟道形成层(70A)配置于比第2沟道形成层(70B)靠栅极绝缘层侧的位置且与栅极绝缘层(5)接触，多个沟道形成层和至少1个中间层均是氧化物半导体层，多个沟道形成层分别具有比至少1个中间层高的迁移率。
半导体装置

[发明专利]半导体装置、显示装置以及半导体装置的制造方法-CN201910682845.6有效
发明人：铃木正彦;大东彻;今井元;菊池哲郎;西宫节治;上田辉幸;山中昌光;原健吾 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种半导体装置、显示装置以及半导体装置的制造方法，消除随着各接触孔的形成而出现的问题。阵列基板(11B)具备：第1TFT(15)；第1源极侧连接部(19)，其包括第2金属膜(43)的一部分，连接到第1源极区域(15B)；第1漏极侧连接部(20)，其包括第2金属膜(43)的一部分，连接到第1漏极区域(15C)；第2TFT(24)，其由第1TFT(15)驱动；第2源极侧连接部(28)，其包括第1金属膜(39)的一部分，连接到第2源极区域(24B)；以及第2漏极侧连接部(29)，其包括第1金属膜(39)或第2透明电极膜(48)的一部分，连接到第2漏极区域(24C)。
半导体装置显示装置以及制造方法

[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法-CN201880021738.2有效
发明人：上田辉幸;北川英树;大东彻;今井元;铃木正彦;西宫节治;菊池哲郎;伊藤俊克;原健吾 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：有源矩阵基板的氧化物半导体TFT(201)具有：氧化物半导体层(107)；上部栅极电极(112)，其隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上；以及源极电极(113)和漏极电极(114)，氧化物半导体层(107)在从基板的法线方向观看时包含：第1部分(p1)，其与上部栅极电极重叠；以及第2部分(p2)，其位于第1部分与源极接触区域或漏极接触区域之间，栅极绝缘层未覆盖第2部分，上部栅极电极(112)具有包含与栅极绝缘层接触的合金层(112L)和配置在合金层上的金属层(112U)的层叠结构，金属层由第1金属元素M形成，合金层由包含第1金属元素M的合金形成，第1金属元素M是Cu、Mo或Cr。
有源矩阵及其制造方法

[发明专利]有源矩阵基板和具备其的液晶显示装置-CN202010092392.4有效
发明人：西宫节治;大东彻;今井元;菊池哲郎;铃木正彦;上田辉幸;山中昌光;原健吾;高畑仁志 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种有源矩阵基板和具备其的液晶显示装置，有源矩阵基板(10)具备：开关元件(120)，其连接到设置在基板上的栅极线和数据线；像素电极(130)，其与开关元件(120)连接；相对电极(140)，其在俯视时与像素电极(130)重叠；平坦化膜(154)；以及配线(142)。平坦化膜(154)覆盖开关元件(120)，在俯视时与配线(142)重叠的位置形成有贯通平坦化膜(154)的第1接触孔(CH1)。像素电极(130)和相对电极(140)以覆盖平坦化膜(154)的一部分的方式配置。在第1接触孔(CH1)中，相对电极控制配线(142)与相对电极(140)连接。
有源矩阵具备液晶显示装置

[发明专利]有源矩阵基板的制造方法-CN202010186575.2有效
发明人：原健吾;大东彻;今井元;菊池哲郎;铃木正彦;西宫节治;山中昌光;上田辉幸;高畑仁志 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：有源矩阵基板的制造方法包含如下工序：(A)，在基板上形成遮光层及下部导电层；(B)，以覆盖遮光层及下部导电层的方式形成下部绝缘层；(C)，在下部绝缘层上形成氧化物半导体层、栅极绝缘层及栅极电极；(D)，以覆盖栅极电极及氧化物半导体层的方式形成层间绝缘层；(E)，将源极接触孔及漏极接触孔形成于层间绝缘层，并且以使下部导电层的一部分露出的方式将连接部接触孔形成于层间绝缘层及下部绝缘层；以及(F)，在层间绝缘层上形成源极电极、漏极电极及上部电极层。工序(E)包含：工序(e‑1)，在层间绝缘膜上形成光致抗蚀剂膜；及工序(e‑2)，使用多灰度级掩模将光致抗蚀剂膜曝光，之后进行显影，从而形成光致抗蚀剂层。
有源矩阵制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910168669.4有效
发明人：菊池哲郎;铃木正彦;西宫节治;上田辉幸;山中昌光;大东彻;今井元;原健吾 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供具备能具有高迁移率和高可靠性的氧化物半导体TFT的半导体装置。半导体装置具备薄膜晶体管，薄膜晶体管的半导体层具有包括包含In、Ga、Zn及Sn的下部氧化物半导体层和配置于下部氧化物半导体层上且包含In、Ga及Zn的上部氧化物半导体层的层叠结构，下部氧化物半导体层的厚度是20nm以下，下部氧化物半导体层中的Sn相对于全部金属元素的原子数比是5％以上，上部氧化物半导体层不包含Sn，或者上部氧化物半导体层中的Sn相对于全部金属元素的原子数比小于下部氧化物半导体层中的Sn相对于全部金属元素的原子数比，下部氧化物半导体层的侧面与下表面之间的第1角度小于上部氧化物半导体层的侧面与下表面之间的第2角度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]显示面板用基板的制造方法-CN201811057904.2有效
发明人：原义仁;大东彻;今井元;前田昌纪;北川英树;伊藤俊克;川崎达也 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种显示面板用基板的制造方法，抑制对半导体膜和透明电极膜中的一个膜进行的蚀刻处理、退火处理给另一个膜带来不良影响的事态。其特征在于，具备：像素电极形成工序，在覆盖栅极电极(34)的栅极绝缘膜(38)上形成包括透明电极膜的像素电极(33)；半导体膜形成工序，在像素电极形成工序之后进行，在栅极绝缘膜(38)上以一部分覆盖像素电极(33)的形式形成半导体膜(42)；退火处理工序，在半导体膜形成工序之后进行，对半导体膜(42)进行退火处理；以及蚀刻工序，在退火处理工序之后进行，通过对半导体膜(42)进行蚀刻，将与栅极电极(34)重叠的沟道部(37)形成在与像素电极(33)同一层。
显示面板用基板制造方法

[发明专利]有源矩阵基板、液晶显示装置-CN201880022067.1有效
发明人：北川英树;今井元;伊藤俊克;菊池哲郎;铃木正彦;上田辉幸;原健吾;西宫节治;大东彻 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：提供一种既抑制像素缺陷的产生又高清晰的有源矩阵基板。其具备：第1半导体膜，其与在行方向上相邻的2个子像素中的一个子像素对应；第2半导体膜，其与在行方向上相邻的2个子像素中的另一个子像素对应；晶体管，其将上述第1半导体膜的一部分作为行方向上的沟道；以及像素电极，其经由接触孔连接到上述晶体管的漏极电极，在俯视时，从上述沟道的漏极电极侧边缘到上述接触孔的底面为止的行方向上的距离(dc)为行方向上的子像素间距(dp)的0.15倍以上。
有源矩阵液晶显示装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201780059506.1有效
发明人：铃木正彦;今井元;北川英树;菊池哲郎;西宫节治;上田辉幸;原健吾;大东彻;伊藤俊克 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体装置具备包含半导体层(7)、栅极电极(3)、栅极绝缘层(5)、源极电极(8)以及漏极电极(9)的薄膜晶体管(101)，半导体层(7)具有层叠结构，该层叠结构包含：第1氧化物半导体层(71)，其包含In和Zn，第1氧化物半导体层所包含的In相对于全部金属元素的原子数比大于第1氧化物半导体层所包含的Zn相对于全部金属元素的原子数比；第2氧化物半导体层(72)，其包含In和Zn，第2氧化物半导体层所包含的Zn相对于全部金属元素的原子数比大于第2氧化物半导体层所包含的In相对于全部金属元素的原子数比；以及中间氧化物半导体层(70)，其配置在第1氧化物半导体层与第2氧化物半导体层之间，第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层是结晶质氧化物半导体层，中间氧化物半导体层是非晶质氧化物半导体层，第1氧化物半导体层(71)配置在比第2氧化物半导体层(72)靠栅极绝缘层(5)侧。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法-CN202110613024.4在审
发明人： 今井元;大东彻;上田辉幸;原义仁;前田昌纪;川崎达也;平田义晴 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：提供具备特性相互不同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板。一种有源矩阵基板，具备第1TFT和第2TFT，第1TFT具有第1氧化物半导体层和隔着第1栅极绝缘层配置在第1氧化物半导体层的一部分上的第1栅极电极，第1栅极绝缘层具有包含第1绝缘膜和配置在第1绝缘膜上的第2绝缘膜的层叠结构，第2TFT具有第2氧化物半导体层和第2栅极电极，第2氧化物半导体层具有比第1氧化物半导体层高的迁移率，第2栅极电极隔着第2栅极绝缘层配置在第2氧化物半导体层的一部分上，第2栅极绝缘层包含第2绝缘膜，并且不包含第1绝缘膜，在第2氧化物半导体层与基板之间还具备包含第1绝缘膜的下部绝缘层。
有源矩阵及其制造方法

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