“三木绫”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果43个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]薄膜晶体管-CN201580035556.7有效
发明人：越智元隆;高梨泰幸;三木绫;后藤裕史;钉宫敏洋 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，其在基板上依次具有栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体薄膜、用于保护氧化物半导体薄膜的蚀刻阻挡层、源‑漏电极、和保护膜，氧化物半导体薄膜由氧化物构成，所述氧化物由作为金属元素的In、Ga及Sn与O构成，所述氧化物半导体薄膜具有非晶结构，且上述蚀刻阻挡层和上述保护膜的两者或一者包含SiNx。该薄膜晶体管具有约40cm2/Vs以上的极高的迁移率。
薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管和显示装置-CN201380044401.0有效
发明人： 三木绫;森田晋也;后藤裕史;钉宫敏洋;田尾博昭;广濑研太 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的氧化物半导体层、配置在栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素是从In、Ga、Zn和Sn所构成的组中选择的至少一种(其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素由Sn与In和/或Zn构成的除外。)，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度控制在4原子％以下。
薄膜晶体管显示装置

[发明专利]氧化物半导体薄膜层叠体的品质评价方法及品质管理方法-CN201580031246.8有效
发明人：林和志;三木绫;川上信之 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2015-06-22 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供一种在具有形成于氧化物半导体薄膜的表面的保护膜的TFT中，对于起因于氧化物半导体薄膜和保护膜的界面态的缺陷，不用实际测量其特性而简便评价的方法。本发明的评价方法，通过接触式方法或非接触式方法测量氧化物半导体薄膜的电子态，从而评价起因于上述界面态的缺陷。起因于上述界面态的缺陷，为下述(1)～(3)的某一个。(1)向薄膜晶体管外加正偏压时的阈值电压V_th；(2)对薄膜晶体管外加正偏压时，外加前后的阈值电压的差ΔVth；(3)多次测量向薄膜晶体管外加正偏压时的阈值电压时，第一次测量时的阈值。
氧化物半导体薄膜表面具有保护膜层叠品质评价方法管理

[发明专利]薄膜晶体管的半导体层用氧化物、薄膜晶体管、显示装置及溅射靶-CN201380027070.X有效
发明人：森田晋也;广濑研太;三木绫;钉宫敏洋 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，提供一种半导体层用氧化物，其在维持高场效应迁移率的同时，对光、偏压应力等而言，阈值电压的变化量小，应力耐性优异，并且对于使源/漏电极图案化时所使用的湿式蚀刻液具有优异的耐性。该半导体层用氧化物为在薄膜晶体管的半导体层中所使用的氧化物，其由In、Zn、Ga、Sn及O构成，在上述氧化物中，将各金属元素相对于除氧以外的全部金属元素的含量(原子％)分别设为[In]、[Zn]、[Ga]及[Sn]时，满足下式(1)～(4)。1.67×[Zn]+1.67×[Ga]≥100…(1)；([Zn]/0.95)+([Sn]/0.40)+([In]/0.4)≥100…(2)；[In]≤40…(3)；[Sn]≥5…(4)。
薄膜晶体管半导体氧化物显示装置溅射

[发明专利]氧化物半导体-CN201210359296.7有效
发明人：安秉斗;李制勋;朴世容;朴埈贤;金建熙;林志勋;朴在佑;朴镇成;钉宫敏洋;三木绫;森田晋也;岸智也;田尾博昭 -专利权人：三星显示有限公司;朴镇成;株式会社神户制钢所
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化物半导体。该氧化物半导体包括第一材料和第二材料，该第一材料包括选自由锌（Zn）和锡（Sn）组成的组中的至少一种，其中第一材料与氧（O）之间的电负性差值减去第二材料与氧（O）之间的电负性差值而得到的值小于约1.3。 1
氧化物半导体第一材料第二材料电负性减去自由

[发明专利]薄膜晶体管和显示装置-CN201380044372.8有效
发明人： 三木绫;森田晋也;后藤裕史;田尾博昭;钉宫敏洋 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管，是具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管，其中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的两层以上的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源‑漏电极和配置在栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成与栅极绝缘膜直接接触的氧化物半导体层的金属元素由In、Zn和Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。
薄膜晶体管显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及显示装置-CN201380045020.4有效
发明人： 三木绫;森田晋也;后藤裕史;田尾博昭;钉宫敏洋;安秉斗;金建熙;朴辰玄;金连洪 -专利权人：株式会社神户制钢所;三星显示有限公司
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管，其在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的单层的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源‑漏电极和配置于栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素由In、Zn及Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。
薄膜晶体管显示装置

[发明专利]薄膜晶体管-CN201510088765.X有效
发明人：后藤裕史;三木绫;岸智弥;广濑研太;森田晋也;钉宫敏洋;安秉斗;金建熙;金连洪 -专利权人：株式会社神户制钢所;三星显示有限公司
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为Ga5％以上、In25％以下(不含0％)、Zn35～65％及Sn8～30％。
薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管和显示装置-CN201380023934.0有效
发明人：森田晋也;三木绫;田尾博昭;钉宫敏洋 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种具备氧化物半导体层的薄膜晶体管，其开关特性和应力耐受性良好，特别是应力施加前后的阈值电压变化量小，稳定性优异。本发明的薄膜晶体管，在基板上至少具有栅电极；栅极绝缘膜；氧化物半导体层；源‑漏电极；以及保护所述栅极绝缘膜、所述氧化物半导体层和所述源‑漏电极的保护膜，其中，氧化物半导体层是具有由In、Zn、Sn和O构成的第二氧化物半导体层、以及由In、Ga、Zn和O构成的第一氧化物半导体层的层叠体，第二氧化物半导体层形成于栅极绝缘膜之上，并且第一氧化物半导体层形成于第二氧化物半导体层与保护膜之间。
薄膜晶体管显示装置

[发明专利]薄膜晶体管-CN201380029493.5有效
发明人：后藤裕史;三木绫;岸智弥;广濑研太;森田晋也;钉宫敏洋 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为Ga5％以上、In25％以下(不含0％)、Zn35～65％及Sn8～30％。
薄膜晶体管

[发明专利]显示装置-CN201210247010.6有效
发明人：朴在佑;李制勋;安秉斗;朴世容;朴埈贤;金建熙;林志勋;李京垣;钉宫敏洋;三木绫;森田晋也;岸智也;田尾博昭;后藤裕史 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社神户制钢所
申请日： 2012-07-17 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置，所述显示装置包括第一基板；栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；钝化层，钝化层设置在数据线上，其中，半导体层包含含有铟、锡和锌的氧化物半导体。铟以大约5原子百分比(at％)至大约50at％的量存在，其中，锌与锡的比为大约1.38至大约3.88。
显示装置

[发明专利]薄膜晶体管的半导体层用氧化物和溅射靶以及薄膜晶体管-CN201180037189.6有效
发明人：森田晋也;三木绫;岩成裕美;钉宫敏洋;安野聪;朴在佑;李制勋;安秉斗 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种薄膜晶体管的开关特性优异，特别是在保护膜形成后也可以稳定获得良好的特性的薄膜晶体管半导体用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，所述氧化物含有Zn、Sn和Si。
薄膜晶体管半导体氧化物溅射以及

[发明专利]配线结构和溅射靶材-CN201180057732.9有效
发明人：森田晋也;三木绫;安野聪;钉宫敏洋 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2011-12-01 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的配线结构在基板上至少具有栅极绝缘膜和氧化物半导体层，所述氧化物半导体层为第1氧化物半导体层以及第2氧化物半导体层的层叠体，该第1氧化物半导体层包括选自In、Ga、Zn和Sn中的至少一种元素(Z组元素)，该第2氧化物半导体层含有选自In、Ga、Zn和Sn中的至少一种元素(X组元素)和选自Al、Si、Ti、Hf、Ta、Ge、W和Ni中的至少一种元素(Y组元素)，并且所述第2氧化物半导体层形成在所述第1氧化物半导体层与所述栅极绝缘膜之间。根据本发明，得到了开关特性和耐应力性良好、尤其是施加应力前后的阈值电压变化量小、稳定性优异的配线结构。
结构溅射

[发明专利]薄膜晶体管-CN201580004436.0在审
发明人：后藤裕史;三木绫;越智元隆 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种具有极高的迁移率、且应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性等也良好的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上依次具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极和保护源‑漏电极的保护膜，氧化物半导体层具有In、Ga、Zn、Sn和O的第一氧化物半导体层与In、Ga、Sn和O的第二氧化物半导体层的层叠结构，第二氧化物半导体层在栅极绝缘膜上形成，第一氧化物半导体层在第二氧化物半导体层与保护膜之间形成，且构成第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层的各金属元素的含量相对于全部金属元素的含量的原子比均控制为规定的比率。
薄膜晶体管

[发明专利]氧化物半导体薄膜的评价方法、和氧化物半导体薄膜的品质管理方法、以及用于所述评价方法的评价元件和评价装置-CN201480057464.4在审
发明人：林和志;川上信之;三木绫;钉宫敏洋 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2014-12-01 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种对氧化物半导体薄膜的电阻率进行正确且简便的测定，进行评价、预测、推定的方法以及氧化物半导体的品质管理方法。涉及本发明的氧化物半导体薄膜的评价方法包括：第一工序，在对形成了氧化物半导体薄膜的样品照射激励光以及微波，且测定了因所述激励光的照射而变化的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的最大值之后，停止照射所述激励光，测定所述激励光的照射停止后的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的反射率的变化；以及第二工序，根据所述反射率的变化，计算出与激励光的照射停止后呈现的慢衰减对应的参数，对所述氧化物半导体薄膜的电阻率进行评价。
氧化物半导体薄膜评价方法品质管理以及用于述评元件装置

1
2
3
下一页»
尾页
共 43 条