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- [发明专利]半导体装置-CN202310038808.8在审
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菊池哲郎;铃木正彦;西宫节治;高畑仁志;渡部卓哉;大东彻
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夏普显示科技株式会社
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2023-01-12
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2023-07-14
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H01L27/12
- 一种半导体装置,具备基板和支撑于基板并具有包含第1TFT的多个TFT的第1电路,第1TFT具有:半导体层;下部栅极电极,其位于半导体层的基板侧,隔着下部栅极绝缘层与半导体层的一部分重叠;以及上部栅极电极,其位于半导体层的与基板相反的一侧,隔着上部栅极绝缘层与半导体层的一部分重叠,下部栅极电极和上部栅极电极中的一方是第1栅极电极,另一方是第2栅极电极,第1栅极电极被供应第1信号,第2栅极电极被供应与第1信号不同的第2信号,第1TFT在第1信号的高电平电位与低电平电位之间且第2信号的高电平电位与低电平电位之间具有阈值电压,第1信号成为高电平电位的期间与第2信号成为高电平电位的期间构成为相互不重叠。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201811115059.X有效
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菊池哲郎;大东彻;今井元;铃木正彦;西宫节治;上田辉幸;原健吾
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夏普株式会社
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2018-09-25
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2023-06-27
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H01L27/12
- 提供具备具有稳定的特性的可靠性高的氧化物半导体TFT的半导体装置。半导体装置中的至少1个薄膜晶体管(101)包括半导体层(7)、栅极电极(3)、栅极绝缘层(5)、源极电极(8)和漏极电极(9),半导体层具有层叠结构,上述层叠结构包括:多个沟道形成层,其包括第1沟道形成层(70A)和第2沟道形成层(70B);以及至少1个中间层,其包括配置于第1沟道形成层和第2沟道形成层之间的第1中间层(71a),第1沟道形成层(70A)配置于比第2沟道形成层(70B)靠栅极绝缘层侧的位置且与栅极绝缘层(5)接触,多个沟道形成层和至少1个中间层均是氧化物半导体层,多个沟道形成层分别具有比至少1个中间层高的迁移率。
- 半导体装置
- [发明专利]有源矩阵基板及其制造方法-CN202111578917.6在审
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高畑仁志;菊池哲郎;原健吾;西宫节治;铃木正彦;大东彻
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夏普株式会社
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2021-12-22
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2022-06-28
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H01L27/12
- 提供一种有源矩阵基板,具备具有顶栅结构并且特性相互不同的多个氧化物半导体TFT。有源矩阵基板具备第1TFT和第2TFT,各TFT的氧化物半导体层包含高电阻区域和低电阻区域,高电阻区域包含在从基板的法线方向观看时与栅极电极重叠的沟道区域以及与栅极绝缘层重叠而与栅极电极不重叠的偏移区域,低电阻区域包含源极接触区域、漏极接触区域以及介于这些接触区域与高电阻区域之间的介设区域,第1TFT的栅极绝缘层包含第1绝缘膜和配置在第1绝缘膜上的第2绝缘膜,第2TFT的栅极绝缘层包含第2绝缘膜而不包含第1绝缘膜,第1TFT的偏移区域的沟道长度方向的合计长度L1大于第2TFT的偏移区域的沟道长度方向的合计长度L2。
- 有源矩阵及其制造方法
- [发明专利]有源矩阵基板-CN202111519776.0在审
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原健吾;大东彻;菊池哲郎;铃木正彦;西宫节治;高畑仁志
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夏普株式会社
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2021-12-13
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2022-06-17
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H01L27/12
- 一种有源矩阵基板,具备包含多个第1TFT的多个氧化物半导体TFT,各氧化物半导体TFT的氧化物半导体层包含沟道区域、源极接触区域以及漏极接触区域,沟道区域具有相互相对的第1端部和第2端部、位于这两个端部的源极接触区域侧的源极侧端部、以及位于这两个端部的漏极接触区域侧的漏极侧端部,各第1TFT还具有位于氧化物半导体层与基板之间的遮光层,遮光层包含开口区域和遮光区域,当从基板的法线方向观察时,遮光区域包含位于第1端部的第1遮光部和位于第2端部的第2遮光部,第1遮光部和第2遮光部分别具有相互相对的第1缘部和第2缘部,第1缘部的至少一部分与沟道区域重叠,第2缘部位于沟道区域的外侧,不与沟道区域重叠。
- 有源矩阵
- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201780059506.1有效
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铃木正彦;今井元;北川英树;菊池哲郎;西宫节治;上田辉幸;原健吾;大东彻;伊藤俊克
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夏普株式会社
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2017-09-21
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2022-02-25
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H01L29/786
- 半导体装置具备包含半导体层(7)、栅极电极(3)、栅极绝缘层(5)、源极电极(8)以及漏极电极(9)的薄膜晶体管(101),半导体层(7)具有层叠结构,该层叠结构包含:第1氧化物半导体层(71),其包含In和Zn,第1氧化物半导体层所包含的In相对于全部金属元素的原子数比大于第1氧化物半导体层所包含的Zn相对于全部金属元素的原子数比;第2氧化物半导体层(72),其包含In和Zn,第2氧化物半导体层所包含的Zn相对于全部金属元素的原子数比大于第2氧化物半导体层所包含的In相对于全部金属元素的原子数比;以及中间氧化物半导体层(70),其配置在第1氧化物半导体层与第2氧化物半导体层之间,第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层是结晶质氧化物半导体层,中间氧化物半导体层是非晶质氧化物半导体层,第1氧化物半导体层(71)配置在比第2氧化物半导体层(72)靠栅极绝缘层(5)侧。
- 半导体装置及其制造方法
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