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[发明专利]半导体装置-CN201811344315.2在审
发明人：铃木正彦;大东彻;今井元;菊池哲郎;西宫节治;上田辉幸;原健吾 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供具备具有稳定的特性的可靠性高的氧化物半导体TFT的半导体装置。半导体装置具备氧化物半导体TFT，氧化物半导体TFT具有：氧化物半导体层，其具有包含沟道氧化物半导体层和保护氧化物半导体层的层叠结构，沟道氧化物半导体层配置在比保护氧化物半导体层靠基板侧；上部栅极电极，其隔着上部绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上；层间绝缘层，其覆盖氧化物半导体层和上部栅极电极；以及第1和第2电极，其电连接到氧化物半导体层，还具有至少贯通层间绝缘层和保护氧化物半导体层并且使沟道氧化物半导体层的一部分露出的第1开口部，第1电极配置在层间绝缘层上和第1开口部内，在第1开口部内与沟道氧化物半导体层的一部分直接接触。
氧化物半导体层沟道氧化物半导体层氧化物半导体半导体装置开口部层间绝缘层栅极电极绝缘层半导体层配置覆盖氧化物上部绝缘层层叠结构电极配置电连接贯通层电极基板配置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201780059506.1有效
发明人：铃木正彦;今井元;北川英树;菊池哲郎;西宫节治;上田辉幸;原健吾;大东彻;伊藤俊克 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体装置具备包含半导体层(7)、栅极电极(3)、栅极绝缘层(5)、源极电极(8)以及漏极电极(9)的薄膜晶体管(101)，半导体层(7)具有层叠结构，该层叠结构包含：第1氧化物半导体层(71)，其包含In和Zn，第1氧化物半导体层所包含的In相对于全部金属元素的原子数比大于第1氧化物半导体层所包含的Zn相对于全部金属元素的原子数比；第2氧化物半导体层(72)，其包含In和Zn，第2氧化物半导体层所包含的Zn相对于全部金属元素的原子数比大于第2氧化物半导体层所包含的In相对于全部金属元素的原子数比；以及中间氧化物半导体层(70)，其配置在第1氧化物半导体层与第2氧化物半导体层之间，第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层是结晶质氧化物半导体层，中间氧化物半导体层是非晶质氧化物半导体层，第1氧化物半导体层(71)配置在比第2氧化物半导体层(72)靠栅极绝缘层(5)侧。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201610570990.1有效
发明人：佐佐木俊成;铃村功 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种可靠性高的半导体装置的制造方法。半导体装置具有：氧化物半导体层、与氧化物半导体层对置的栅电极、氧化物半导体层和栅电极之间的栅极绝缘层、氧化物半导体层的下层的第1屏障层、在氧化物半导体层的上层包围氧化物半导体层的上方及侧方且在氧化物半导体层的周围与第1屏障层相接的第2屏障层、配置在氧化物半导体层和第1屏障层之间的第1氧化层、配置在氧化物半导体层和第2屏障层之间的第2氧化层。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制作方法-CN202210864310.2在审
发明人：杨谨嘉;陈文斌;陈祖伟 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制作方法，半导体装置包括：基板、第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管设置于基板之上，且包括第一金属氧化物半导体层。第二晶体管设置于基板之上，且包括第二金属氧化物半导体层及第三金属氧化物半导体层。第三金属氧化物半导体层直接叠置于第二金属氧化物半导体层上。第二金属氧化物半导体层与第一金属氧化物半导体层属于相同膜层。第一金属氧化物半导体层的氧浓度低于第二金属氧化物半导体层的氧浓度，且第二金属氧化物半导体层的氧浓度低于第三金属氧化物半导体层的氧浓度。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及显示面板-CN202211717856.1在审
发明人：张波 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请提供一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板，薄膜晶体管包括：栅极；氧化物半导体层，与栅极相对设置，氧化物半导体层包括：下氧化物半导体层，下氧化物半导体层包括锌元素；以及上氧化物半导体层，与下氧化物半导体层叠置，上氧化物半导体层包括锌元素以及钇元素；以及源极和漏极，与氧化物半导体层连接。
薄膜晶体管阵列显示面板

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201380043764.2有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种显示稳定的电特性的高可靠性半导体装置。制造高可靠性半导体装置。其包括在其中层叠有第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层的氧化物半导体叠层，与氧化物半导体叠层接触的源电极层以及漏电极层，与氧化物半导体层重叠的栅电极层(在所述氧化物半导体层和所述栅电极层之间设置有栅极绝缘层)，以及第一氧化物绝缘层及第二氧化物绝缘层(在所述第一氧化物绝缘层及所述第二氧化物绝缘层之间夹有氧化物半导体叠层)。第一至第三氧化物半导体层中的每个包含铟、镓及锌。第二氧化物半导体层中的铟的比例比第一及第三氧化物半导体层中的每个的铟的比例多。第一氧化物半导体层是非晶的。第二及第三氧化物半导体层都具有晶体结构。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810335239.2有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体装置及其制造方法。实施方式涉及显示稳定的电特性的高可靠性半导体装置。实施方式涉及制造高可靠性半导体装置。其包括在其中层叠有第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层的氧化物半导体叠层，与氧化物半导体叠层接触的源电极层以及漏电极层，与氧化物半导体层重叠的栅电极层(在所述氧化物半导体层和所述栅电极层之间设置有栅极绝缘层)，以及第一氧化物绝缘层及第二氧化物绝缘层(在所述第一氧化物绝缘层及所述第二氧化物绝缘层之间夹有氧化物半导体叠层)。第一至第三氧化物半导体层中的每个包含铟、镓及锌。第二氧化物半导体层中的铟的比例比第一及第三氧化物半导体层中的每个的铟的比例多。第一氧化物半导体层是非晶的。第二及第三氧化物半导体层都具有晶体结构。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]氧化物半导体TFT基板的制作方法及结构-CN201410444172.8在审
发明人：李文辉 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物半导体TFT基板的制作方法及结构，通过采用氧化物导体层来定义氧化物半导体TFT基板的沟道及源极，由于该氧化物导体层较薄，与现有技术相比，所述沟道的宽度可以制作得较小，并且沟道宽度可以得到准确控制，因此降低了氧化物半导体TFT基板的制程难度，提升了氧化物半导体TFT基板的性能，提高生产良率。本发明制得的氧化物半导体TFT基板结构中，由于氧化物导体层与氧化物半导体层结构组成类似，因此可形成良好的欧姆接触；氧化物半导体层具有较好的爬坡，且氧化物导体层不会给氧化物半导体层造成金属离子污染；由于氧化物导体层是透明的
氧化物半导体 tft 制作方法结构

[发明专利]一种有源层结构、制造方法以及半导体器件-CN202310492020.4在审
发明人：陆磊;李潇;张盛东;王新炜 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种有源层结构、制造方法以及半导体器件，有源层结构包括：至少一层非晶金属氧化物半导体层以及至少一层多晶金属氧化物半导体层；非晶金属氧化物半导体层与多晶金属氧化物半导体层交替堆叠设置；其中，多晶金属氧化物半导体层的层数大于或等于非晶金属氧化物半导体层的层数本申请可以提高有源层的迁移率，有源层结构解决了非晶金属氧化物半导体材料迁移率不够高的问题，提升了非晶金属氧化物半导体材料迁移率的极限，提高非晶金属氧化物半导体器件的载流子迁移率。
一种有源结构制造方法以及半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201380049515.4有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：包括氧化物半导体层的晶体管可以具有稳定的电特性。另外，提供包括上述晶体管的高可靠性的半导体装置。半导体装置包括包含氧化物层和氧化物半导体层的多层膜、与多层膜接触的栅极绝缘膜及隔着栅极绝缘膜与多层膜重叠的栅电极。在半导体装置中，氧化物半导体层包含铟，氧化物半导体层与氧化物层接触，并且氧化物层包含铟且具有比氧化物半导体层大的能隙。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201810356741.1有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：包括氧化物半导体层的晶体管可以具有稳定的电特性。另外，提供包括上述晶体管的高可靠性的半导体装置。半导体装置包括包含氧化物层和氧化物半导体层的多层膜、与多层膜接触的栅极绝缘膜及隔着栅极绝缘膜与多层膜重叠的栅电极。在半导体装置中，氧化物半导体层包含铟，氧化物半导体层与氧化物层接触，并且氧化物层包含铟且具有比氧化物半导体层大的能隙。
半导体装置

[发明专利]氧化物半导体TFT基板的制作方法及结构-CN201410445154.1有效
发明人：李文辉 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物半导体TFT基板的制作方法及结构，通过采用氧化物导体层来定义氧化物半导体TFT基板的沟道，由于该氧化物导体层较薄，与现有技术相比，所述沟道的宽度可以制作得较小，并且沟道宽度可以得到准确控制，因此降低了氧化物半导体TFT基板的制程难度，提升了氧化物半导体TFT基板的性能，提高生产良率。本发明制得的氧化物半导体TFT基板结构中，由于氧化物导体层与氧化物半导体层结构组成类似，因此可形成良好的欧姆接触；氧化物导体层不会给氧化物半导体层造成金属离子污染；由于氧化物导体层是透明的，因此可提高开口率
氧化物半导体 tft 制作方法结构

[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法及包括该薄膜晶体管的显示装置-CN201811510684.4有效
发明人：卢智龙;张宰满;白朱爀;尹弼相 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管包括：基板上的氧化物半导体层；栅极，其与上述氧化物半导体层绝缘，与上述氧化物半导体层重叠至少一部分；源极，其与上述氧化物半导体层连接；以及漏极，其与上述源极隔开，与上述氧化物半导体层连接，其中，上述氧化物半导体层包括上述基板上的第一氧化物半导体层以及上述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，以原子数为基准，上述第一氧化物半导体层包括1至5原子％浓度的氮，上述第二氧化物半导体层具有比上述第一氧化物半导体层低的氮浓度
薄膜晶体管制造方法包括显示装置

[发明专利]半导体器件、包括该半导体器件的半导体装置和电子设备-CN202111419151.7在审
发明人：许镇盛;文泰欢;裵鹤烈;南胜杰;金尚昱;李光熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件、包括该半导体器件的半导体装置、以及包括该半导体器件的电子设备。该半导体装置包括多个半导体器件。半导体器件均在两个电极之间包括铁电层、导电金属氧化物层和半导体层。导电金属氧化物层可以在铁电层和半导体层之间。铁电层、导电金属氧化物层和半导体层可以都包括金属氧化物。导电金属氧化物层可以包括从由铟氧化物、锌氧化物、锡氧化物及其任意组合组成的组中选择的一种或更多种材料。
半导体器件包括半导体装置电子设备

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法-CN202011032169.7在审
发明人：户田达也;津吹将志 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件和半导体器件的制造方法。本发明的半导体器件具有：包含铟的氧化物半导体层；与上述氧化物半导体层相对的栅极电极；上述氧化物半导体层与上述栅极电极之间的栅极绝缘层；从上述氧化物半导体层的上方与上述氧化物半导体层接触的第一导电层；和氧化部，其在上述氧化物半导体层的上方形成于上述第一导电层的端部，为上述第一导电层的氧化物。在俯视时与上述第一导电层重叠的区域的上述氧化物半导体层中，铟也可以偏置。根据本发明，能够实现可靠性高的半导体器件。
半导体器件制造方法

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