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- [发明专利]定量校准方法-CN202310891223.0在审
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张雁汝;薛静韬;张建峰
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上海新昇半导体科技有限公司
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2023-07-19
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2023-10-20
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G01B7/16
- 本发明提供了一种定量校准方法，属于晶圆测试技术领域，具体包括：S1:获取标准晶圆样片的标准数据；S2:测量所述标准晶圆片数据，获得第一测试数据；S3:将多个不同定量厚度的贴纸在吸附支撑针上固定，分别测量所述标准晶圆片数据，获得第二测试数据；所述贴纸在所述吸附支撑针处设置有开口、以防阻塞所述吸附支撑针的吸附气孔，所述吸附支撑针在所述晶圆翘曲度测量仪中的位置相对固定；S4:根据所述标准数据、所述第一测试数据、所述第二测试数据以及所述定量厚度生成所述晶圆翘曲度测量仪的校正数据。通过本申请的处理方案，对采用电容测厚原理的晶圆翘曲度测量仪进行准确校正。
- 定量校准方法
- [发明专利]一种用于干燥晶圆的方法及装置-CN202310659748.1在审
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权林;季文明;胡建平
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上海新昇半导体科技有限公司
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2023-06-06
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2023-09-19
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H01L21/67
- 本发明公开了一种用于干燥晶圆的方法及装置，该方法包括：将晶圆放置于承载台上，承载台包括位于晶圆的中心区域下方的第一支撑件和位于晶圆的边缘区域下方的第二支撑件；控制喷杆结构从晶圆的一侧开始向晶圆的另一侧移动并喷出干燥剂以干燥晶圆，当喷杆结构移动到晶圆的边缘区域时，第二支撑件下降，第一支撑件用于支撑晶圆；当喷杆结构移动到晶圆的中心区域时，第一支撑件下降，第二支撑件用于支撑晶圆。根据本发明提供的用于干燥晶圆的方法，第一支撑件与第二支撑件能够根据喷杆结构的位置交替接触晶圆的中心区域与边缘区域，使得能够干燥晶圆的全部表面，避免了晶圆干燥不完全而出现水痕等问题，进而提高了器件良率。
- 一种用于干燥方法装置
- [发明专利]一种平坦度量测设备-CN202310760266.5在审
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张雁汝;张建峰;薛静韬;江锋
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上海新昇半导体科技有限公司
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2023-06-26
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2023-09-19
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G01B11/30
- 本申请提供一种平坦度量测设备，应用于晶圆平坦度检测技术领域，其中包括旋转机构与检测机构，旋转机构用于带动晶圆旋转；检测机构包括平移台和滑动件，平移台沿长度方向设置有第一线性比例尺，滑动件设置于平移台上，滑动件可沿第一线性比例尺往复滑动，滑动件连接有探测部件，探测部件用于对晶圆的平坦度进行扫描；滑动件连接有第一擦拭机构和第一定位探头，第一擦拭机构随滑动件同步移动，第一擦拭机构用于对第一线性比例尺擦拭。通过在滑动件带动激光探头对晶圆的平坦度进行侦测的过程中，滑动件带动第一擦拭机构对第一线性比例尺进行往复擦拭，避免因第一线性比例尺和第二线性比例尺因附着杂质颗粒变的模糊，导致测试失败和停机的现象。
- 一种平坦度量设备
- [发明专利]一种晶圆的清洗方法-CN202310789886.1在审
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吴昌林
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上海新昇半导体科技有限公司
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2023-06-29
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2023-09-15
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H01L21/02
- 本发明提供了一种晶圆的清洗方法，该晶圆的清洗方法包括：S1：使用多巴胺溶液对晶圆进行清洗；S2：使用双氧水和氨水的混合液SC1对晶圆进行清洗；S3：使用双氧水和盐酸混合液SC2对晶圆进行清洗。本发明通过在晶圆进行SC1清洗前，将晶圆首先经过多巴胺溶液进行清洗，由于多巴胺可改善和修饰晶圆表面游离的化学键和亲水性状态，使晶圆在被刻蚀时，能够优化晶圆表面的粗糙水平，同时，多巴胺聚合形成聚多巴胺后具有很强的黏附性，可以通过表面官能团对Fe3+、Cu2+等金属离子进行吸附，有效降低了金属离子在晶圆表面的附着。
- 一种清洗方法
- [实用新型]一种拉晶装置-CN202321392288.2有效
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冯睿超;赵言;金光勳
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上海新昇半导体科技有限公司
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2023-06-02
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2023-09-05
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C30B15/00
- 本说明书实施例提供一种拉晶装置，包括坩埚、加热器、隔热层和生长室，所述隔热层置于所述生长室内，所述隔热层环绕所述加热器设置，所述加热器设置于所述隔热层和所述坩埚之间，所述装置还包括若干磁场探测器，所述隔热层外周开设有用于安装若干所述磁场探测器的若干放置槽。通过在隔热层的外周开设若干放置槽，通过在若干放置槽内放置磁场探测器，隔热层可以隔绝大部分热量，避免磁场探测器受到损伤，通过磁场探测器可以直接测量磁场强度，可以更精确的控制超导磁场的输出磁场，从而实现更稳定的单晶生长环境。
- 一种装置
- [发明专利]晶棒回收料切割方法-CN202310651895.4在审
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叶佳隽;林志原
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上海新昇半导体科技有限公司
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2023-06-02
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2023-09-01
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B28D5/04
- 一种晶棒回收料切割方法，包括：提供晶棒回收料，所述晶棒回收料包括体部和肩部；设定切割位置，所述切割位置包括第一切割位置和第二切割位置，所述第一切割位置位于肩部且距离体部和肩部的分界面的长度为第一长度，所述第二切割位置位于体部且距离体部和肩部的分界面的长度为第二长度；分别沿所述第一切割位置和所述第二切割位置进行切割，以在所述第一切割位置和所述第二切割位置之间得到第一回收部分，且余下的所述体部为第二回收部分。本申请降低了边角的锋利度，减少了人员拿取时存在安全风险，提高了晶棒回收料的回收利用率。
- 回收切割方法
- [发明专利]外延炉内置件清洗装置-CN202310636436.9在审
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孙飞;张斌;戴子轩;崔林涛
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上海新昇半导体科技有限公司
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2023-05-31
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2023-08-29
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C30B23/02
- 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种外延炉内置件清洗装置，包括：外壳、注液组件、排液组件以及通气组件；所述外壳内设置有清洗室，所述清洗室至少被分隔为相互连通的小件清洗区、大件清洗区和异形件清洗区；所述注液组件用于向所述清洗室内注入清洗液，所述排液组件用于排出清洗液；所述通气组件用于向所述大件清洗区和/或所述异形件清洗区的底部通入惰性气体。如此配置，提高了外延炉内置件的清洗效率，且清洗过程中利于规范化，清洗效果利于统一化，且有助于使得全部的内置件均满足洁净标准，同时，通过分区设置，适配于不同形状的内置件，利于全部不规则内置件的同步清洗。
- 外延内置清洗装置
- [发明专利]清洗后基板检测方法及检测装置-CN202310644908.5在审
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任树朝;李晓艳
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上海新昇半导体科技有限公司
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2023-06-01
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2023-08-29
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H01L21/66
- 本发明提供一种清洗后基板检测方法及检测装置，所述检测方法包括：提供若干清洗后的基板，在执行清洗时，采用夹持部件固定基板边缘；对基板边缘执行缺陷检测，获取基板边缘的初始缺陷数据，并输入产品数据库，初始缺陷数据包括缺陷在基板周向的位置角度数据；检索产品数据库中缺陷在基板周向的位置角度数据，并统计分析在一判定周期中缺陷的位置角度数据相符的基板数量大于或等于预设值，则判定夹持部件异常。本发明中，通过检索及统计分析在一判定周期中缺陷的位置角度数据相符的基板数量是否大于或等于预设值，从而可以较佳且快速地判断出因夹持部件异常所引起的缺陷，有利于提高对缺陷的管控能力，并以此减少良率损失。
- 清洗后基板检测方法装置
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