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[实用新型]用于功率器件的栅极驱动电路-CN202320330288.3有效
发明人：徐涵;刘成;叶念慈;徐宁;秦梓伦 -专利权人： 湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于功率器件的栅极驱动电路，包括：调节电路，包括串联连接的可调变阻器、二极管和电容器，电容器的一端连接至功率器件的栅极；推挽电路，包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的源极和第二晶体管的漏极分别连接至所述功率器件的栅极；反相器电路，用于接收外部输入的控制信号且对控制信号进行反相处理，控制信号经过一级反相处理输出至第二晶体管的栅极，控制信号经过二极反相处理输出至第一晶体管的栅极；调节电路和反相器电路协同作用控制电容器的电压，并进而对第一晶体管的栅极电压进行调控，以实现对功率器件的栅极充放电电流的调控。通过本实用新型的方案，能够实现对氮化镓等功率器件开关速度的连续调节。
用于功率器件栅极驱动电路

[发明专利]氮化镓双向开关器件-CN202310829685.X在审
发明人：何俊蕾;林志东;林育赐;刘成;徐宁;房育涛;叶念慈 -专利权人： 湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种氮化镓双向开关器件，包括基底，包括有源区和终端区；基底包括：衬底、外延层；外延层包括叠设的第一半导体叠层和第二半导体层，两者之间具有二维电子气；第一电极和第二电极，间隔设置在第二半导体层的表面上；两个栅极，间隔设置在第一电极和第二电极之间；第一级场板介质层，设置在第二半导体层上；两个第一级场板金属，设置在场板介质层上，间隔设置于两个栅极之间，两个第一场板金属中，靠近一个栅极的一个第一级场板金属到对应的栅极的距离与靠近另一个栅极的另一第一级场板金属到对应的栅极的距离相等；两个第一级场板金属沿栅极的延伸方向从有源区延伸至终端区，并在终端区通过第一互连金属进行连接。该器件能够提高器件耐压。
氮化双向开关器件

[发明专利]应用于器件隔离的掩膜工艺及器件隔离方法-CN202311047792.3在审
发明人：赵常宁;钟海波;陈骆;伍佑辉;圣文治 -专利权人： 湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种应用于器件隔离的掩膜工艺及器件隔离方法，涉及半导体技术领域。该应用于器件隔离的掩膜工艺包括：在外延结构上涂覆第一光刻胶层；在第一光刻胶层上涂覆第二光刻胶层，第一光刻胶层和第二光刻胶层的材料不同；采用掩模板对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行曝光处理，以形成曝光区；通过显影液对位于曝光区的第一光刻胶层和第二光刻胶层进行显影处理，以在第一光刻胶层上形成第一窗口，在第二光刻胶层上形成第二窗口，第二窗口在外延结构上的正投影位于第一窗口内。该应用于器件隔离的掩膜工艺能够在离子注入后便于去除光刻胶层。
应用于器件隔离工艺方法

[发明专利]抛光液及其制备方法、抛光方法、抛光装置-CN202310691792.0在审
发明人：陆继果;汪良;苏双图;张洁 -专利权人： 湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C09G1/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种抛光液及其制备方法、抛光方法、抛光装置，抛光液为无磨料抛光液，抛光液包括如下组分：电解液、氧化剂、光亮剂、平整剂、pH调节剂和水，其中，光亮剂用于提高待抛光件表面的光亮度，平整剂用于降低待抛光件表面的粗糙度。光亮剂和平整剂的加入，使得待抛光件的表面更均匀，且增加了光亮度和平整度，减少待抛光件表面的划伤。
抛光及其制备方法装置

[实用新型]晶体生长装置和晶体生长设备-CN202222997030.7有效
发明人：陈浩;张洁 -专利权人： 湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体生长装置和晶体生长设备。该晶体生长装置包括：坩埚体、坩埚盖、若干个籽晶板和若干个导流结构。坩埚体包括坩埚底壁与坩埚侧壁，坩埚底壁与坩埚侧壁围合形成有腔体。若干个籽晶板设置于坩埚盖朝向腔体的一侧上。若干个导流结构设置在腔体内，每一导流结构包括：第一导流件和第二导流件。第一导流件从坩埚侧壁向腔体的中部延伸且具有第一导流口。第二导流件设置于第一导流件与籽晶板之间，且具有至少一个第二导流口。第一导流口与第二导流口在底壁的投影相互错开。该晶体生长设备包括上述晶体生长装置和加热装置，加热装置设置于坩埚外侧。通过上述方式，本申请能够有效提高晶体生产效率且降低晶体的碳包裹风险。
晶体生长装置设备

[实用新型]碳化硅晶体生长装置-CN202320188636.8有效
发明人：洪棋典;张洁 -专利权人： 湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶体生长装置；碳化硅晶体生长装置包括坩埚和分隔组件，分隔组件设置于坩埚内，将坩埚的内腔分为第一腔室和第二腔室，第一腔室用于盛装碳化硅原料；其中，分隔组件包括层叠设置的多孔石墨板和金属碳化物多孔板。本实用新型的碳化硅晶体生长装置能够提高碳化硅晶体生长的良率，并且提高生长的碳化硅晶体的质量。
碳化硅晶体生长装置

[实用新型]游星轮结构和双面研磨设备-CN202320303127.5有效
发明人：周晨;苏双图;汪良;张洁 -专利权人： 湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B24B37/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及碳化硅晶片加工技术领域，具体而言，涉及一种游星轮结构和双面研磨设备。游星轮结构，包括轮面，以及设置在轮面外周缘的转动齿；轮面上设置有多个流液孔和多个尺寸相同的晶片孔；多个晶片孔沿轮面的周向布置，且相邻的晶片孔之间设置有至少一个流液孔；晶片孔的数量至少为3个。如此既能有效提高双面加工效率，也能有效地降低单片加工成本。
游星结构双面研磨设备

[实用新型]坩埚结构和晶体生长设备-CN202320675588.5有效
发明人：伍艳;张洁 -专利权人： 湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种坩埚结构和晶体生长设备。坩埚结构包括坩埚，坩埚内包括用于放置碳化硅原料粉末的原料腔室和用于生长晶体的生长腔室，碳化硅原料粉末能在坩埚被加热时气化为碳化硅气氛；至少一个挡板，挡板均密闭地设置在坩埚中，且挡板被配置为将原料腔室和生长腔室隔开；挡板上设置有多个通孔，并通过通孔连通原料腔室和生长腔室。如此能够将长晶过程中原料和石墨坩埚中产生的碳颗粒进行阻挡，从而降低晶体中的碳包裹。
坩埚结构晶体生长设备

[实用新型]晶圆寻边装置-CN202320777102.9有效
发明人：郭钰;彭佳 -专利权人： 湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆寻边装置，涉及半导体制备辅助装置技术领域，通过推片机构来将放置在承载台负载区域的第一卡塞内的晶圆推入放置在过渡区域的第二卡塞内，从而避免由于手动推片更换卡塞导致晶圆脏污甚至碎片的风险；此外，还通过转移机构将第二卡塞转移至寻边区域，以使得寻边器接触第二卡塞内的晶圆，从而利用晶圆平边特性对晶圆进行寻边，寻边更为精准。
晶圆寻边装置

[实用新型]坩埚生长设备-CN202320202523.9有效
发明人：张凯;张洁 -专利权人： 湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种坩埚生长设备。坩埚生长设备包括坩埚装置，坩埚装置包括：坩埚体；坩埚盖，坩埚盖设于坩埚体的开口，且用于设置籽晶；加热装置，设置在坩埚装置的外侧，用于对坩埚装置加热；吊桶，吊桶口径大于坩埚装置的外径；吊桶能够罩设于坩埚装置，以用于在冷却过程中使坩埚装置的上部均匀冷却。如此改善了在降温过程中晶片因降温不均匀导致内应力产生开裂的现象。
坩埚生长设备

[实用新型]晶体生长装置-CN202223599113.7有效
发明人：王友芳;张洁 -专利权人： 湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶体生长装置，涉及碳化硅生长领域，该晶体生长装置包括坩埚、籽晶盖、多孔结构板和散流组件，籽晶盖用于盖设在坩埚上，并在籽晶盖的内侧贴附有籽晶；多孔结构板安装在坩埚内壁上，并具有供气相组分通过的多个气流通道；散流组件装在多孔结构板底侧并用于与粉料相间隔；其中，散流组件背离多孔结构板的一侧具有若干个气流挡板，气流挡板遮挡部分气流通道，以使气相组分沿气流挡板流动至多个气流通道，且散流组件用于吸附气相组分中携带的固态颗粒。相较于现有技术，本实用新型提供的晶体生长装置，能够显著减少碳包裹物等缺陷，提升碳化硅的质量，且操作、结构简单，有利于大规模工业化生产。
晶体生长装置

[实用新型]一种研磨调整器及研磨修正轮-CN202222818846.9有效
发明人：周晨;汪良;苏双图;张洁 -专利权人： 湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B24B53/017 文献下载
摘要：本申请公开了一种研磨调整器及研磨修正轮。该研磨修正轮包括若干毛刷区和若干丸片区，毛刷区和丸片区沿研磨修正轮表面周向间隔设置。通过上述方式，本申请提供的研磨修正轮能同时对研磨垫进行刷洗和修正，提高了对研磨垫的调整效率。
一种研磨调整器修正

[发明专利]合成SiC粉料的方法-CN202310692040.6在审
发明人：叶磊;张洁;高玉强 -专利权人： 湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及合成SiC粉料的方法，其包括：混合原料粉末，制得原料混合粉料，原料粉末包括第一Si粉和第一C粉；球磨原料混合粉料，制得球磨混合粉料，球磨混合粉料包括第二Si粉和第二C粉，第二Si粉的粒径小于5微米，第二C粉的粒径小于5微米，且第二Si粉和第二C粉在球磨混合粉料中的总占比大于或等于80％；将球磨混合粉料合成SiC粉料。本发明的方法能够减少黑色的SiC粉料的产生，进而有利于减少制得的SiC粉料在SiC长晶过程中产生的多型、空洞等晶体缺陷问题。
合成 sic 方法

[实用新型]半导体器件-CN202320287451.2有效
发明人：黄轶愚;刘锐 -专利权人： 湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件，属于半导体技术领域。半导体器件包括芯片；基板，基板包括安装部和第一端子，第一端子连接在安装部的第一端部；塑封体，安装部包括裸露在塑封体的顶面的第一面和被塑封体包裹的第二面，芯片安装在安装部的第二面，第一端子从塑封体的第一侧伸出并向塑封体的底面弯折；第二端子和第三端子，第二端子和第三端子与芯片电连接且从与塑封体的第一侧相对的第二侧的中部伸出；安装部还包括与第一端部相对设置的第二端部，在安装部的第二端部与第二端子和第三端子之间的塑封体上设置有凹槽，可增大基板与第二端子和第三端子之间的爬电距离，从而提高了半导体器件的安全性。
半导体器件

[实用新型]冲胶模具及系统-CN202320347272.3有效
发明人：李宏伟 -专利权人： 湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B26F1/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种冲胶模具及系统，包括：用于放置待冲压品的底模单元，垂直安装于底模单元的冲压导向杆，滑动安装于冲压导向杆的顶模单元，以及与顶模单元连接的冲压驱动单元；其中，在底模单元相对两侧中至少一侧安装有可开闭的夹紧装置，夹紧装置在闭合状态下将待冲压品夹紧于底模单元，在打开状态下解除夹紧。通过如上所提供的冲胶模具及系统，在完成冲胶作业时，可以通过夹紧装置将待冲压品紧固于底模，使得顶模单元的冲胶上刀和卸料板在向上移动时能够顺利脱离待冲压品，防止出现卡料现象，确保产品良率。
模具系统

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