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[发明专利]一种SRAM器件及其制作方法-CN202310957862.2在审
发明人：陈兴 -专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种SRAM器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该SRAM器件包括负载晶体管、传输晶体管以及驱动晶体管，首先提供一衬底，接着基于衬底定义负载晶体管、传输晶体管以及驱动晶体管的有源区并形成浅槽隔离，再基于负载晶体管的有源区表面进行氧离子注入，以减小负载晶体管的顶角圆滑程度，并增加负载晶体管的有源区上方的氧化层厚度，之后对负载晶体管、传输晶体管以及驱动晶体管的有源区进行沟道掺杂，接着对负载晶体管、传输晶体管以及驱动晶体管的表面进行处理，并露出有源区，最后基于负载晶体管、传输晶体管以及驱动晶体管的有源区制作栅电极。本申请提供的SRAM器件及其制作方法能够提升SRAM器件的写入噪声容限。
一种 sram 器件及其制作方法

[发明专利]确定光刻工艺窗口的方法、装置、存储介质及电子设备-CN202311222006.9在审
发明人：马春雨;陈冠中;聂方园 -专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-09-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种确定光刻工艺窗口的方法、装置、存储介质及电子设备。该方法包括：根据焦距能量矩阵和目标光刻图案的关键尺寸确定目标曝光条件；根据目标曝光条件和预设步进量确定多个第一曝光条件和多个第二曝光条件，以使得曝光设备根据目标曝光条件和多个第一曝光条件对第一晶圆进行曝光，以及根据目标曝光条件和多个第二曝光条件对第二晶圆进行曝光；获取第一晶圆在曝光过程中的多个第一目标焦距和第二晶圆在曝光过程中的多个第二目标焦距；根据目标曝光条件的目标曝光能量和多个第一目标焦距确定第一晶圆的第一光刻工艺窗口，并根据目标曝光条件的目标曝光能量和多个第二目标焦距确定第二晶圆的第二光刻工艺窗口。
确定光刻工艺窗口方法装置存储介质电子设备

[发明专利]OLED器件及其制造方法-CN202010183590.1有效
发明人：李晓飞;许宗能 -专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种OLED器件及其制造方法，能够在完成BEOL制程的芯片电路基板的原有结构基础上，通过增加导电接触插塞、阳极以及像素界定层三道工艺，来使得原有的芯片电路基板能够直接外接OLED器件的显示部分的材料，从而使得最终制得的器件能够具有OLED显示功能，即获得了OLED显示器件。此外，由于能够直接在完成BEOL制程的芯片电路基板的原有结构基础上制作出导电接触插塞、阳极以及像素界定层等结构，从而可以避免在借助封装工艺等将OLED显示面板与芯片电路基板电连接在一起时焊线和封胶区域会占用额外的空间的问题，有利于最终制得的OLED器件的尺寸的进一步缩小，特别适用于眼镜等OLED微型显示器的制作。
oled 器件及其制造方法

[实用新型]半导体器件-CN202321333908.5有效
发明人：宫本正文 -专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件。所述半导体器件包括一薄层电阻以及所述薄层电阻从电极接触端向外围延伸得到的至少一个延伸散热部，所述延伸散热部具有散发薄层电阻产生的热量并进一步向上方的导热插塞和第一金属散热层导热的作用，可以加速热量散发，降低所述薄层电阻处热量蓄积引起阻值变化甚至烧坏电阻的风险，由于延伸散热部形成于薄层电阻的外围，不影响薄层电阻的阻值，在确保薄层电阻的阻值精确性的同时，所述延伸散热部、所述导热插塞以及所述第一金属散热层的面积可以设置得较大，所述导热插塞可以设置多个，便于获得较高的散热效率。
半导体器件

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202311191701.3在审
发明人：洪繁;谢荣源;林滔天;祝进专;张星池 -专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构至少包括：半导体衬底，半导体衬底中设置有浅槽隔离结构和阱区；隧道氧化层，设置在半导体衬底上，隧道氧化层覆盖在部分阱区上和部分浅槽隔离结构上；浮栅层，设置在隧道氧化层上；多个隔离沟槽，穿过浮栅层和隧道氧化层，与阱区或浅槽隔离结构的表面接触；隔离层，设置在隔离沟槽内，隔离层连接于阱区或浅槽隔离结构，且隔离层位于相邻的浮栅层之间；隔离氧化层，设置在隔离层和浮栅层上，且所述隔离氧化层覆盖所述隔离沟槽的部分侧壁；以及控制栅层，设置在隔离氧化层上。本发明提供的半导体结构及其制造方法，能够防止存储单元之间发生漏电流，提升非易失性存储器的数据保存能力。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种存储器及其制造方法-CN201911326561.X有效
发明人：祝进专;李庆民;王梦慧 -专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提出一种存储器及其制造方法，包括：衬底；控制栅层，位于所述衬底上；凹形区域，与所述控制栅层相邻；浮栅结构，位于所述凹形区域的衬底上；源极，形成在所述衬底中，位于所述控制栅层远离所述凹形区域的一侧；漏极，形成在所述凹形区域的衬底中。本发明提出的存储器编程时间短。
一种存储器及其制造方法

[实用新型]半导体工艺设备-CN202321331436.X有效
发明人：杨翼虎;赵琼;何毓纬;夏欢 -专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体工艺设备，包括依次连通的工艺腔、第一管路、集尘器、第二管路和真空泵；第一管路为文丘里管路，第一管路远离集尘器的一端与工艺腔连通；集尘器具有一腔体，腔体的一端与第一管路和第二管路连通；第二管路与第一管路并排设置，第二管路远离集尘器的一端与真空泵连通；由于第一管路为文丘里管路，在对工艺腔进行抽气的过程中，会在第一管路靠近集尘器的端部形成真空区，可以吸附第一管路内的气体中的粉尘，使粉尘被吸附进入第一管路端部的集尘器内，避免粉尘直接进入到第二管路及其连通的真空泵中，可以防止真空泵堵塞，从而减少维护时间和维护成本，提高真空泵的寿命和设备的稼动率，避免产品缺陷及报废的风险。
半导体工艺设备

[发明专利]图形修正方法及系统、光掩模版的制备方法-CN202310937634.9有效
发明人：赵广;罗招龙;杜远远 -专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本申请涉及一种图形修正方法及系统、光掩模版的制备方法。图形修正方法包括：获取设计图形，设计图形包括多个间隔排布的待修正图形；对设计图形进行光学临近修正，以得到多个间隔排布的初始修正图形；获取初始修正图形中违反掩模版最小规则的修正区域，并将修正区域去除；基于修正区域于初始修正图形的侧边设置条状图形；将条状图形与初始修正图形合并，以得到目标图形。本申请的图形修正方法，可以提高图形的收敛度和准确度，保证光刻的准确性，进一步保证了产品的性能。
图形修正方法系统模版制备

[实用新型]一种半导体预清洗设备-CN202321306330.4有效
发明人：付世启;胡万春;吴东东;许亮亮 -专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体预清洗设备，属于半导体制造领域，所述预清洗设备包括腔室底板，与所述腔室底板相对设置的腔室盖板，设置在所述腔室底板与所述腔室盖板之间的腔室壁，且所述腔室壁与所述腔室底板和所述腔室盖板合围形成密闭空腔，设置在所述腔室壁的外侧壁上的阳极，以及位于所述密闭空腔内的阴极，且所述阴极设置在所述腔室底板上；所述阴极包括电极基座和绝缘件，所述电极基座内嵌于所述绝缘件中，且所述电极基座的上表面高于所述绝缘件的上表面，所述电极基座的上表面与所述绝缘件的上表面之间存在预设距离。本实用新型提供的一种半导体预清洗设备，能够提高晶圆的清洗质量和清洗效率。
一种半导体清洗设备

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310896531.2有效
发明人：陈兴;黄普嵩 -专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体器件包括：衬底；栅极结构，设置在所述衬底上；侧墙结构，设置在所述栅极结构的两侧；凹部，设置在所述侧墙结构两侧的所述衬底内以及所述栅极结构上；掺杂层，设置在所述凹部上，或所述凹部暴露的所述衬底和所述栅极结构内；补偿层，设置在所述掺杂层上；以及源极和漏极，设置在所述栅极结构两侧的所述补偿层内。通过本发明提供的一种半导体器件及其制作方法，可减少半导体器件的漏电，提高半导体器件的性能。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202311139403.X在审
发明人：黄小迪;李琦琦;吴涵涵 -专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件的制作方法中，提供的半导体衬底内形成有第一掺杂区，第一掺杂区具有第一导电类型，再在半导体衬底的顶面上形成外延层，其中，外延层包括层叠的第一外延层和第二外延层，第一外延层和第二外延层的材质相同，第一外延层的厚度小于第二外延层的厚度，第一外延层的沉积温度小于第二外延层的沉积温度，第一外延层的沉积速度大于第二外延层的沉积速度，如此第一掺杂区的掺杂物质扩散到第一掺杂区侧上方的外延层中的扩散范围可以缩小，有助于改善半导体器件的漏电问题。本发明的半导体器件利用上述的半导体器件的制作方法制成。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202311139404.4在审
发明人：黄小迪;李琦琦;吴涵涵 -专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法。半导体器件的制作方法中，先在半导体衬底中形成沟槽，沟槽位于半导体衬底中第一掺杂区的边沿，再在半导体衬底的顶面上形成外延层，外延层覆盖半导体衬底的顶面并填充沟槽，其中，在形成外延层的过程中，沟槽改变所述第一掺杂区的掺杂物质的扩散路径以减少第一掺杂区的掺杂物质扩散到第一掺杂区侧上方的外延层中的量，如此有助于改善半导体器件的漏电问题，提高半导体器件的电性能。本发明提供的半导体器件包括半导体衬底和外延层，半导体衬底中形成有第一掺杂区以及位于第一掺杂区边沿的沟槽，外延层位于半导体衬底的顶面。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种电容器测试结构、制作方法以及测试方法-CN202311140913.9在审
发明人：金鹏;马婷;汪小小 -专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请提供一种电容器测试结构、制作方法以及测试方法，该测试结构包括：多个分电容层，各所述分电容层相互平行，每个所述分电容层包括第一电极板和第二电极板，且同一所述分电容层的所述第一电极板和所述第二电极板相对交错排布以形成电容结构；多个第一测试端，所述第一测试端与所述第一电极板的一端一一对应连接；多个第二测试端，所述第二测试端与所述第二电极板的一端一一对应连接；连接柱，不同所述分电容层的所述第一电极板通过所述连接柱电连接，且不同所述分电容层的所述第二电极板通过所述连接柱电连接。本申请的测试结构可基于分电容层进行组合测试，及时发现制作过程中对应分电容层的问题，保证后续生产顺利进行。
一种电容器测试结构制作方法以及方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN202310753018.8有效
发明人：陈兴;黄普嵩 -专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括多个有源区，相邻所述有源区之间设置浅沟槽隔离结构，所述有源区靠近所述浅沟槽隔离结构的边缘为圆角；沟道掺杂区，设置在所述有源区内，且所述沟道掺杂区在所述有源区边缘的深度，与所述沟道掺杂区在所述有源区中心的深度相等；以及栅极结构，设置在所述沟道掺杂区上。通过本发明提供的一种半导体器件及其制作方法，提高半导体器件的电学性能。
一种半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种晶圆搬运的控制系统及其控制方法-CN202310889845.X有效
发明人：詹益铭 -专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆搬运的控制系统及其控制方法，包括：传感元件，设于晶圆装卸机上，用以识别初始标记点，并获取传感元件与机台臂之间的测量距离数据，其中，初始标记点位于靠近晶圆传送盒的机台臂的一端上；以及主控系统，与传感元件通信连接，主控系统中存储有预警距离范围集数据，其中，晶圆传送盒中的晶圆与预警距离范围集数据中的某一个预警距离范围数据相对应；其中，主控系统根据测量距离数据与对应的预警距离范围数据的比较结果，以进入不同的工作状态。通过本发明公开的一种晶圆搬运的控制系统及其控制方法，能够对机台臂进行监控，防止其出现位置偏差。
一种搬运控制系统及其控制方法

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