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[发明专利]一种具有改进型P柱的超结肖特基二极管及制备方法-CN202311008130.5在审
发明人：吴龙江 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具有改进型P柱的超结肖特基二极管及制备方法，该超结肖特基二极管包括：P型掺杂层；所述P型掺杂层位于P柱和N‑漂移层之间；所述P型掺杂层与所述N‑漂移层的接触面与超结肖特基二极管的中轴线的夹角大小为本发明通过在传统的超结肖特基二极管中的P柱的不平滑的边缘掺杂一层P型材料，使P柱的边缘变得平滑，P型掺杂层的存在能够使电荷平衡得到优化的同时还具有很高的耐压能力和较低的导通电阻，使超结肖特基二极管的性能大大增强
一种具有改进型超结肖特基二极管制备方法

[实用新型]超结金属栅场效应晶体管-CN201720464754.1有效
发明人：任留涛 -专利权人：上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超结金属栅场效应晶体管，包括肖特基二极管和超结MOSFET；所述超结MOSFET包括由上至下依次设置的N+源区外延层、P+体区外延层、N‑耐压漂移层和N+衬底层，所述N+源区外延层的边缘处开设有肖特基沟槽，所述N+源区外延层的中心开有栅极沟槽，所述肖特基沟槽的底部和所述栅极沟槽的底部均位于所述N‑耐压漂移层内；所述N‑耐压漂移层的边缘设有P‑电荷补偿区，所述P‑电荷补偿区位于所述肖特基沟槽的底部；所述超结MOSFET的漏极的铝线宽度随电流减小而逐渐变窄，所述超结MOSFET的源极的铝线宽度随电流减小而逐渐变窄，所述超结MOSFET的漏极的铝线和源极的铝线之间交叉布线。
金属场效应晶体管

[发明专利]一种基于N-BAL提高电流密度的超结肖特基二极管及制备方法-CN202311008082.X在审
发明人：吴龙江 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种基于N‑BAL提高电流密度的超结肖特基二极管及制备方法，该超结肖特基二极管包括：N‑BAL层；所述N‑BAL层位于P pillar和N+衬底之间；N‑drift层与所述N‑BAL层和所述N本发明在传统的超结肖特基二极管中的P pillar的下方引入了N‑BAL层（N型底部辅助层），使得原本从N‑drift层流向N型衬底的电流有部分通过N‑BAL层再流向N型衬底，这样能够增加电流密度，同时提高了器件耐压与导通电阻的比值，使本发明的新型结构的超结肖特基二极管能够接近甚至超越硅材料的理论值。
一种基于 bal 提高电流密度超结肖特基二极管制备方法

[发明专利]一种肖特基超结半导体装置及其制备方法-CN201210032202.5有效
发明人：朱江;盛况 -专利权人：朱江;盛况
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基超结半导体装置，因为超结结构的存在，提高器件的反向击穿电压，改善器件的正向导通特性；同时器件正向导通为单个载流子导电的器件，器件具有良好的开关特性。本发明还提供了一种超结肖特基半导体装置的制备方法。
一种肖特基超结半导体装置及其制备方法

[发明专利]双层超结肖特基二极管-CN201310547265.9无效
发明人：王颖;徐立坤;曹菲;胡海帆 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层超结肖特基二极管，其中，功率肖特基器件的漂移区采用双层超结结构，通过该结构，在不明显损失器件正向特性的前提下，很好改善了普通超结肖特基二极管的反向击穿特性与电荷不平衡之间的关系，而且极大的改善了器件的反向恢复特性
双层超结肖特基二极管

[发明专利]集成肖特基结的超结MOSFET结构及其制备方法-CN201710997850.7在审
发明人：徐承福;朱阳军 -专利权人：贵州芯长征科技有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成肖特基结的超结MOSFET结构及其制备方法，其利用第二导电类型第一柱、第二导电类型第二柱与第一导电类型漂移层能形成所需的超结结构，源极金属通过第一欧姆接触孔与第二导电类型第一体区以及位于所述第二导电类型第一体区内的第一导电类型体区欧姆接触，源极金属通过第二欧姆接触孔与第二导电类型第二体区以及位于所述第二导电类型第二体区内的第一导电类型体区欧姆接触，源极金属通过肖特基接触孔与第一导电类型漂移层形成肖特基结，从而实现在超结MOSFET结构内实现肖特基结的集成，在降低导通的同时，能进一步提高超结MOSFET器件的开关速度以及反向恢复速度。
集成肖特基结 mosfet 结构及其制备方法

[发明专利]一种极低反向恢复电荷超结功率VDMOS-CN201910055794.4有效
发明人：祝靖;田甜;李少红;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种极低反向恢复电荷超结功率VDMOS，包括兼做漏极的N型衬底及N型漂移区，N型漂移区内设有第一P柱，第一P柱的顶部设有第一P型体区，在第一P型体区上设有NMOS管，所述NMOS管与所述第一P型体区之间设有SiO2隔离层，所述第一P型体区上设有第一P型重掺杂区，所述超结VDMOS的源极金属、NMOS管的源极金属及第一P型重掺杂区相连接；所述超结VDMOS的漏极作为所述超结功率VDMOS的漏极，所述超结VDMOS的栅极与所述NMOS管的栅极连接并作为所述超结功率VDMOS的栅极，所述NMOS管的漏极作为所述超结功率VDMOS的源极；在超结VDMOS的N型漂移区上设有肖特基接触且肖特基接触与所述NMOS管的漏极连接，以形成阴极和阳极分别连接于本发明所提结构漏极与源极的肖特基二极管。
一种反向恢复电荷功率 vdmos

[发明专利]一种超结二极管及其制造方法-CN201510175939.6在审
发明人：李理;马万里;赵圣哲;姜春亮 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-04-14 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结二极管的制造方法，包括：在硅衬底层表面形成至少包括一个交替设置的P型柱和N型柱的超结结构层，在超结结构层表面形成绝缘层；在P型柱上形成欧姆接触窗口并填充第一金属层材料，形成欧姆接触；在N型柱上形成肖特基接触窗口并填充第二金属层材料，形成肖特基接触；第一金属层与第二金属层间设置有刻蚀后的所述绝缘层。本发明通过超结结构，在P型柱上形成欧姆接触，在N型柱上形成肖特基接触，降低了器件的正向阻抗和反向漏电流，同时提高了器件的耐压性。本发明还公开了一种超结二极管，所述超结二极管改善了肖特基二极管的性能。
一种二极管及其制造方法

[发明专利]集成肖特基二极管的超结功率VDMOS的版图结构及其制作方法-CN201610793478.3在审
发明人：周宏伟;任文珍;张园园;徐西昌 -专利权人：西安龙腾新能源科技发展有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成肖特基二极管的超结功率VDMOS的版图结构，该版图结构包括N+衬底、N外延层以及在N外延层上形成的P+区域，所述P+区域由若干个矩形p‑pillar构成并且相邻两个矩形p‑pillar之间设置有间距，所述间距的区域内势垒金属Ti在p‑pillar之间的N外延层形成肖特基接触，构成肖特基二极管；还公开了一种集成肖特基二极管的超结功率VDMOS的版图结构的制作方法，通过本发明比传统的线性原胞设计的超结VDMOS体二极管正向压降更低，从而降低器件的开通损耗；本发明设计的超结VDMOS体二极管反向恢复电流峰值更小，使得体二极管的di/dt变小，从而减少器件的失效率。
集成肖特基二极管功率 vdmos 版图结构及其制作方法

[发明专利]一种无泄漏肖特基超结半导体器件及其制造方法-CN202111591887.2在审
发明人：王立中 -专利权人：芯立嘉集成电路（杭州）有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种无泄漏肖特基超结半导体器件及其制造方法，其中无泄漏肖特基超结半导体器件是在第一导电类型漂移区形成沟槽，沟槽内的底部沉积有金属层，金属层与第一导电类型漂移区形成柱状金属/第一导电类型半导体肖特基结，并在沟槽内的中部沉积有沟槽介电层，沟槽介电层沉积在第一导电类型漂移区与第二导电类型阱区的P/N结的高度位置，保证金属层不与第二导电类型阱区形成欧姆接触，在沟槽介电层上沉积有阴极金属层，阴极金属层分别与第二导电类型高掺杂阱区和第一导电类型高掺杂阱区形成欧姆接触本发明的无泄漏肖特基超结半导体器件具较好的导通电阻和击穿电压、更好的器件击穿电压均匀性，同时避免逆漏电流导致移动载流子的冲击电离。
一种泄漏肖特基超结半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种超结肖特基半导体装置及其制备方法-CN201210028161.2无效
发明人：盛况;朱江 -专利权人：盛况;朱江
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结肖特基半导体装置，当半导体装置接一定的反向偏压时，第二导电半导体材料与第一导电半导体材料可以形成电荷补偿，形成超结结构，提高器件的反向击穿电压，因为超结结构的存在，从而可以提高漂移区的杂质掺杂浓度，也可以降低器件的正向导通电阻，改善器件的正向导通特性；同时当半导体装置接一定的正向向偏压时，第一类型肖特基势垒结(假定第一导电半导体材料层为N型半导体材料)为正向偏压导通，第二类型肖特基势垒结(假定第二导电半导体材料层为本发明还提供了一种超结肖特基半导体装置的制备方法。
一种超结肖特基半导体装置及其制备方法

[发明专利]一种改善超结VDMOS器件抗辐照能力的器件制作方法-CN202210316253.4在审
发明人：吴立成;刘学明;王昊;赵昕;张文敏;刘芮 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善超结VDMOS器件抗辐照能力的器件制作方法，属于半导体器件制造领域；通过在平面栅超结VDMOS的JFET区设置一个与源极连通的肖特基，通过设置肖特基结构能够快速抽取出重离子入射器件过程中产生的空穴，从而减少流经P型基区的空穴数目，有效抑制寄生晶体管的开启，从而提升器件抗单粒子烧毁能力；本发明该结构可有效排出重离子入射过程产生的空穴，且减少栅氧层下空穴的聚集情况，提高平面栅超结器件抗单粒子能力，同时与常规超结
一种改善 vdmos 器件辐照能力制作方法

[发明专利]一种具有漏端肖特基接触的超结MOSFET-CN202010994844.8有效
发明人：郑崇芝;夏云;吴毅;孙瑞泽;刘超;陈万军;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有漏端肖特基接触的超结MOSFET。相对于传统的超结MOSFET，本发明在器件的漏极一侧引入肖特基接触，其由延伸到器件漏极的N型漂移区与漏极金属形成。在反向导通时，漂移区内的空穴可以通过此肖特基接触泄放，并且此肖特基接触不向漂移区内注入电子，因此漂移区内的电荷数量极大地降低。
一种具有漏端肖特基接触 mosfet

[发明专利]一种具有超结结构的肖特基半导体装置及其制备方法-CN201210006375.X在审
发明人：盛况;朱江 -专利权人：盛况;朱江
申请日： 2012-01-06 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有绝缘层隔离结构肖特基半导体装置，特别是一种具有超结结构的肖特基半导体装置及其制备方法，通过沟槽内下部的第二导电半导体材料与沟槽之间的第一导电半导体材料可以形成电荷补偿，形成超结结构；当半导体装置接一定的反向偏压时，沟槽内上部设置的金属或高浓度杂质掺杂的第二导电半导体材料与沟槽侧壁的绝缘介质构成MOS结构，可以抑制肖特基势垒随反向偏压升高势垒高度降低的现象；另外沟槽内上部设置的金属与沟槽内下部的第二导电半导体材料可以形成P半导体材料的肖特基势垒结，在半导体装置接正向偏压，此肖特基势垒结处于反偏状态，可以有效抑制PN结的正向导通，从而减少漂移区少子的注入，提高器件的开关特性。
一种具有结构肖特基半导体装置及其制备方法

[发明专利]超结碳化硅肖特基二极管-CN202010582122.1在审
发明人：吉炜 -专利权人：无锡市乾野微纳电子有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开一种超结碳化硅肖特基二极管，包括碳化硅衬底、外延层、氧化层及金属电极层，外延层设置于碳化硅衬底上，外延层上开设梯形沟槽；氧化层设置于梯形沟槽内，并且氧化层与外延层的倾斜侧壁之间设置有注入区；金属电极层包括上接触电极和下接触电极本发明通过在外延层上开设梯形沟槽，并且在外延层和氧化层之间设置注入区，即通过在梯形沟槽侧壁注入既可以作为超结效应的负电荷耗尽区，也可以作为结势垒肖特基效应的埋结，因此这种结构的二极管结合了超结结构的耐高电压和结势垒肖特基二极管的低反向漏电电流
碳化硅肖特基二极管

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