专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]多器件并行的高温栅偏测试平台及其测试方法-CN202110776550.2有效
  • 蔡雨萌;徐子珂;许灏;赵志斌;马慧远 - 华北电力大学
  • 2021-07-09 - 2023-03-17 - G01R31/26
  • 多器件并行的高温栅偏测试平台及其测试方法,包括栅偏电压源、功率器件分析仪、NI数字IO、计算机主机、LED显示屏、加热装置、多器件测量主板、继电器供电电池;所述栅偏电压源、功率器件分析仪、NI数字IO分别通过USB传输线、GPIB传输线、网线与计算机主机相连,实现通讯连接和远程控制;所述NI数字IO与多器件测试主板上的9pin接线端子相连,进而为继电器的状态切换提供相应的动作信号;所述继电器供电电池为继电器提供工作电压;所述加热装置中的加热片贴合于被测器件上,并配合温控使用,给被测器件加热,提供高温条件。
  • 器件并行高温测试平台及其方法
  • [发明专利]一种绝缘灌封方法及功率半导体器件-CN202211426344.X在审
  • 代安琪;金锐;王亮;王磊;唐新灵;林仲康;马慧远;陈巍 - 北京智慧能源研究院;国网北京市电力公司
  • 2022-11-15 - 2023-03-14 - H01L21/56
  • 本发明公开了一种绝缘灌封方法及功率半导体器件,该方法包括:在待灌封样品表面形成涂覆层;在待灌封样品形成涂覆层的表面进行第一层灌封,第一层灌封包括第一灌胶和第一脱气处理,第一脱气处理包括多次真空和正压处理;在待灌封样品进行第一层灌封后的表面进行第二层灌封。通过实施本发明,对待灌封样品构建了三道保护防线,其中,形成的涂覆层能够降低局放起始电压,第一层灌封能够对待灌封样品进行绝缘保护,第二层灌封起到支撑和导热作用,同时能够更好的隔绝外部环境水汽,提高器件可靠性。并且,在进行第一层灌封时,第一脱气处理采用真空和正压反复处理,能够通过改变气体的逃逸系数,促使气泡排除/破裂,从而实现无缺陷灌封。
  • 一种绝缘方法功率半导体器件
  • [发明专利]一种碳化硅芯片封装结构-CN202210935220.8在审
  • 王亮;代安琪;周扬;马慧远;陈巍 - 北京智慧能源研究院;国家电网有限公司;国网北京市电力公司
  • 2022-08-05 - 2022-12-20 - H01L23/538
  • 本发明涉及高压碳化硅芯片封装技术领域,具体涉及一种碳化硅芯片封装结构,包括:芯片本体,包括层叠设置的第一子芯片和第二子芯片,第一子芯片与第二子芯片之间设有芯片绝缘层,第一子芯片与第二子芯片之间串联,芯片导电件贯穿芯片绝缘层设置;印刷线路层,平行设于芯片本体的一侧,第一子芯片与印刷线路层之间连接有发射极引出端子;复合绝缘层,平行设于芯片本体背离印刷线路层的一侧,复合绝缘层朝向芯片本体的一面设有复合导电层,第二子芯片与复合导电层之间电气连接。针对碳化硅芯片高绝缘、低感封装需求采用芯片绝缘板实现中低压碳化硅芯片的串联,串联后的芯片器件能够提高器件整体电压水平,从而实现利用现有低压芯片进行高压封装。
  • 一种碳化硅芯片封装结构

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