“A.莫德”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果19个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]处理含氧半导体晶片的方法及半导体元件-CN201410026471.X有效
发明人： H.-J.舒尔泽;H.斯特拉克;A.莫德 -专利权人：英飞凌科技奥地利股份公司
申请日： 2007-01-19 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明描述了一种用于处理含氧半导体晶片的方法，其中所述含氧半导体晶片具有第一面、与第一面相对的第二面、与第一面邻接的第一半导体区域、和与第二面邻接的第二半导体区域，所述方法包括如下方法步骤：用高能粒子辐照晶片的第二面，因此在第二半导体区域中产生晶体缺陷；和进行第一热处理，其中将晶片加热至700℃至1100℃之间的温度。本发明还涉及在以这种方式所处理的晶片的基础上所产生的元件。
处理半导体晶片方法元件

[发明专利]具有可靠可验证p接触的功率半导体器件和方法-CN201910777911.8在审
发明人： M.贝宁格尔-比纳;M.戴内斯;I.迪尔恩斯托尔菲尔;E.格里布尔;J.G.莱文;A.莫德;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：形成功率半导体器件的方法包括提供有表面的半导体本体；形成多个沟槽，沟槽从表面沿竖直方向延伸到半导体本体中，两个相邻沟槽的彼此面对的两个沟槽侧壁沿第一横向方向横向限定半导体本体的台面区；在台面区中形成第二导电类型的半导体本体区，台面区中的半导体本体区的表面至少部分形成半导体本体表面；在半导体本体表面上形成第一绝缘层，第一绝缘层有暴露台面区表面的至少部分的至少一个接触孔；使第二导电类型的半导体本体区经受倾斜源注入，其至少部分使用至少一个接触孔作为掩模基底用于在台面区中形成第一导电类型的半导体源区，倾斜源注入从竖直方向倾斜至少10°的角度，形成的半导体源区延伸不超过沿第一横向方向的台面区的宽度的80％。
具有可靠验证接触功率半导体器件方法

[发明专利]可用高栅极电压操作的高电压晶体管-CN201610042535.4有效
发明人： A.莫德;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及可用高栅极电压操作的高电压晶体管。提出一种半导体器件。半导体器件包括第一负载接点、第二负载接点和位于第一负载接点与第二负载接点之间的半导体区。半导体区包括：第一半导体接触区，第一半导体接触区与第一负载接点接触；第二半导体接触区，第二半导体接触区与第二负载接点接触；半导体漂移区，半导体漂移区位于第一半导体接触区与第二半导体接触区之间并且用第一导电性类型的第一掺杂剂掺杂，其中半导体漂移区将第一半导体接触区耦合到第二半导体接触区。半导体器件还包括：沿着从第一半导体接触区指向第二半导体区的延伸方向延伸到半导体区中的沟槽，沟槽包括控制电极和绝缘体，绝缘体使控制电极从半导体区绝缘。
可用栅极电压操作晶体管

[发明专利]具有石墨芯的复合晶片及其制造方法-CN201510782054.2有效
发明人： R.贝尔格;H.格鲁贝尔;W.莱纳特;G.鲁尔;R.弗尔格;A.莫德;H-J.舒尔策;K.凯勒曼;M.佐默;C.罗特迈尔;R.鲁普 -专利权人：英飞凌科技股份公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及具有石墨芯的复合晶片及其制造方法。根据一个实施例，一种复合晶片包括具有石墨层的载体基板以及附着到载体基板的单晶半导体层。
复合晶片载体基板单晶半导体层石墨层石墨芯附着制造

[发明专利]包括功率晶体管和辅助晶体管的集成电路-CN201210518527.4有效
发明人： A.莫德;F.D.普菲尔施;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及包括功率晶体管和辅助晶体管的集成电路。在集成电路的一个实施例中，集成电路包括具有功率控制端子、第一功率负载端子和第二功率负载端子的功率晶体管。集成电路进一步包括具有辅助控制端子、第一辅助负载端子和第二辅助负载端子的辅助晶体管。第一辅助负载端子电耦接到功率控制端子。集成电路进一步包括具有第一电容器电极、第二电容器电极和电容器介电层的电容器。电容器介电层包括铁电材料和顺电材料至少之一。第一电容器电极电耦接到辅助控制端子。
包括功率晶体管辅助集成电路

[发明专利]控制双极半导体元件中的复合速率-CN201110052049.8有效
发明人： F.希尔勒;A.莫德;F.D.普菲尔施;H-J.舒尔茨 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H03K17/00 文献下载
摘要：本发明涉及控制双极半导体元件中的复合速率。公开了一种用于控制双极半导体元件的基极区域中的复合速率的方法以及一种双极半导体元件。
控制半导体元件中的复合速率

[发明专利]用于产生半导体组件的方法-CN201310063584.2有效
发明人： C.阿伦斯;A.科勒;G.莱克纳;A.莫德;M.施内冈斯;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于产生半导体组件的方法。公开了一种用于产生具有多晶半导体主体区段的半导体组件的方法的示例性实施例，其中在半导体主体的第一和第二表面之间在半导体组件部分中产生所述多晶半导体主体区段，其中按照聚焦到半导体主体的半导体组件部分中的位置上的方式将波长为至少1064nm的电磁辐射引入到半导体主体中，并且其中所述位置处的辐射的功率密度小于1×108W/cm2。
用于产生半导体组件方法

[发明专利]包括二极管的半导体器件-CN201210540932.6有效
发明人： U.格拉泽;F.希尔勒;A.莫德;A.迈泽;J.韦耶斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：集成电路的一个实施例包括半导体本体。在所述半导体本体内，第一沟槽区从第一表面延伸进入半导体本体。所述集成电路进一步包括二极管，所述二极管包括阳极区和阴极区。阳极区和阴极区中的一个至少部分地设置在第一沟槽区中。阳极区和阴极区中的另一个包括从第一沟槽区外部邻接所述阳极区和阴极区中的一个的第一半导体区。
包括二极管半导体器件

[发明专利]用于制造电极结构的方法-CN201210353858.7无效
发明人： S.加梅里特;R.克纳夫勒;A.莫德;K.佐尔沙格;H.韦伯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了用于制造电极结构的方法。一种用于制造具有电极结构的半导体器件的方法包括：提供半导体本体，该半导体本体具有第一表面，并且具有在该半导体本体的垂直方向上从该第一表面延伸的第一牺牲层；以及形成从该第一表面延伸至该半导体本体中的第一沟槽。通过在邻近该第一表面的部分中去除该牺牲层来至少形成该第一沟槽。该方法还包括：通过在该第一沟槽中各向同性地蚀刻该半导体本体来形成第二沟槽；形成覆盖该第二沟槽的侧壁的介质层；以及在该第二沟槽中的该介质层上形成电极，该第二沟槽中的该电极和该介质层形成该电极结构。
用于制造电极结构方法

[发明专利]功率晶体管器件垂直集成-CN201210098823.3有效
发明人： F.希尔勒;A.莫德;H-J.舒尔策;H.施特拉克 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2012-04-06 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及功率晶体管器件垂直集成。一种半导体部件包括层序列，所述层序列包括第一绝缘体层、设置在所述第一绝缘体层上的第一半导体层、设置在所述第一半导体层上的第二绝缘体层以及设置在所述第二绝缘体层上的第二半导体层。所述半导体部件还包括至少部分形成于所述第一半导体层内的多个器件。所述多个器件中的第一个是形成于所述第一半导体层的第一区域以及所述第二半导体层的第一区域内的功率晶体管。第一和第二半导体层的第一区域通过所述第二绝缘体层内的第一开口相互电接触。
功率晶体管器件垂直集成

[实用新型]场效应半导体器件-CN201120320838.0有效
发明人： F.希尔勒;A.莫德;F.D.普菲尔施;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：用于形成半导体器件的方法以及具有集成多晶二极管的半导体器件。提供用于形成场效应功率半导体的方法，该方法包括提供半导体本体、与半导体本体的主表面相邻布置的导电区域以及布置在主水平表面上的绝缘层。穿透绝缘层蚀刻窄沟槽以露出导电区域。沉积多晶半导体层且形成垂直多晶二极管结构。多晶半导体层具有窄沟槽的最大水平延伸的至少一半的最小垂直厚度。至少形成垂直多晶二极管结构的一部分的多晶区域通过无掩膜回蚀多晶半导体层在窄沟槽中形成。而且，提供具有沟槽多晶二极管的半导体器件。
场效应半导体器件

[发明专利]用于制造具有绝缘半导体台面的半导体组件的方法-CN201110408395.5有效
发明人： H.格鲁贝尔;F.希尔勒;A.莫德;A.迈泽;H.罗特莱特纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：用于制造具有绝缘半导体台面的半导体组件的方法。用于制造半导体组件的方法包括：提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体本体；蚀刻从第一表面部分地进入到半导体本体的绝缘沟槽；在绝缘沟槽的一个或更多侧壁上形成第一绝缘层；通过研磨、抛光和CMP工艺其中至少一个处理第二表面以露出第一绝缘层；以及在处理的第二表面上沉积延伸到第一绝缘层的第二绝缘层。
用于制造具有绝缘半导体台面组件方法

[发明专利]具有石墨芯的复合晶片及其制造方法-CN201110295462.7有效
发明人： R.贝尔格;H.格鲁贝尔;W.莱纳特;G.鲁尔;R.弗尔格;A.莫德;H-J.舒尔策;K.凯勒曼;M.佐默;C.罗特迈尔;R.鲁普 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及具有石墨芯的复合晶片及其制造方法。根据一个实施例，一种复合晶片包括具有石墨层的载体基板以及附着到载体基板的单晶半导体层。
具有石墨复合晶片及其制造方法

[发明专利]耗尽型MOS晶体管以及充电布置-CN201110248137.5有效
发明人： F.希尔勒;A.莫德;F.D.普菲尔施;J.韦耶斯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及耗尽型MOS晶体管以及充电布置。一种耗尽型晶体管包括：第一导电类型的源极区和漏极区；第一导电类型的沟道区，被布置在源极区与漏极区之间；以及第一栅极电极，被布置成邻近沟道区并且通过栅极电介质与沟道区介电绝缘。所述耗尽型晶体管还包括第二导电类型的第一放电区，其被布置成邻近栅极电介质并且电耦合到参考电势的端子。所述耗尽型晶体管可以被包括在充电电路中。
耗尽 mos 晶体管以及充电布置

[发明专利]用于形成半导体器件的方法以及具有集成多晶二极管的半导体器件-CN201110252414.X有效
发明人： F.希尔勒;A.莫德;F.D.普菲尔施;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：用于形成半导体器件的方法以及具有集成多晶二极管的半导体器件。提供用于形成场效应功率半导体的方法，该方法包括提供半导体本体、与半导体本体的主表面相邻布置的导电区域以及布置在主水平表面上的绝缘层。穿透绝缘层蚀刻窄沟槽以露出导电区域。沉积多晶半导体层且形成垂直多晶二极管结构。多晶半导体层具有窄沟槽的最大水平延伸的至少一半的最小垂直厚度。至少形成垂直多晶二极管结构的一部分的多晶区域通过无掩膜回蚀多晶半导体层在窄沟槽中形成。而且，提供具有沟槽多晶二极管的半导体器件。
用于形成半导体器件方法以及具有集成多晶二极管

1
2
下一页»
尾页
共 19 条