专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]多晶-CN201610890923.8有效
  • 船崎和则;佐藤一臣;宫尾秀一 - 信越化学工业株式会社
  • 2013-06-13 - 2019-11-01 - C01B33/03
  • 本发明涉及多晶。具体地,本发明提供通过使用含碳杂质的浓度低的原料气体来实现多晶的进一步高纯度化的技术。首先,准备三氯硅烷作为样品(S101),利用GC/MS‑SIM法分析其含碳杂质量(S102)。基于分析结果判定合格与否(S103),判定为合格品的情况下(S103:是),将其作为基于CVD法的高纯度多晶的制造用原料(104)。另一方面,判定为不合格品的情况下(S103:否),则不作为多晶的制造用原料。
  • 多晶
  • [发明专利]多晶-CN201310188799.7有效
  • M·菲茨;R·佩赫 - 瓦克化学股份公司
  • 2013-05-21 - 2013-12-04 - C01B33/02
  • 本发明提供以块体形式包装在容纳至少5kg质量的塑料袋中的多晶,其包括尺寸为20-200mm的块体,其中所述塑料袋中的任何细料部分低于900ppmw,优选低于300ppmw,更优选低于10ppmw。在将通过CVD得到的棒粉碎(西门子方法)之后将所述多晶进行分类和分级,任选地除尘,然后计量并包装。计量单元和包装单元包括在计量过程中和包装过程中能够去除细料或小颗粒的组件。所述包装单元包括能量吸收器或储藏容器,其能够使块滑动或滑移进入塑料袋中。在袋子填充后在塑料袋内产生的气流将粉尘或小颗粒输送出袋子,随后这些粉尘或小颗粒被抽吸装置吸出。
  • 多晶
  • [发明专利]一种无接触破碎多晶的方法-CN201410057558.3无效
  • 季静佳;王体虎 - 亚洲硅业(青海)有限公司
  • 2014-02-20 - 2014-05-28 - B02C19/18
  • 本发明公开了一种无接触破碎多晶的方法,更具体的说,本发明公开了一种利用激光技术破碎多晶的方法。本发明的无接触破碎多晶的方法,把至少一束激光射向多晶棒或者多晶块,多晶棒或者多晶块的表面或者体内的局部区域吸收激光能量后,该多晶棒或多晶块的局部区域被瞬时加热。被加热的多晶棒或多晶块的局部区域膨胀,在多晶柱或多晶块的表面或体内产生热膨胀应力,致使多晶棒或多晶块破碎。
  • 一种接触破碎多晶方法
  • [发明专利]一种PIP多晶刻蚀工艺方法-CN201110360070.4无效
  • 黄志刚 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2011-11-14 - 2013-05-15 - H01L21/3213
  • 本发明公开了一种PIP多晶刻蚀工艺方法,包括如下步骤:1)在基底上生长栅氧,在栅氧上沉积一层多晶多晶光刻和刻蚀,形成多晶栅极作为PIP多晶的底部多晶;在全硅片上沉积一层侧墙氧化膜作为PIP多晶的中间绝缘层,然后再沉积一层多晶作为PIP多晶的顶部多晶,在PIP多晶的顶部多晶上沉积保护膜,然后进行PIP多晶光刻,保护膜和PIP多晶的顶部多晶刻蚀,光刻胶去除;2)氧化膜侧墙刻蚀和侧墙形成本发明在现有的PIP多晶结构的顶部淀积一层保护膜,来改善PIP多晶在侧墙刻蚀时候的损失,从而达到稳定晶片面内PIP多晶的阻值。
  • 一种pip多晶刻蚀工艺方法
  • [发明专利]一种多晶破碎方法及设备-CN201910155929.4有效
  • 肖贵云;张涛;张坚;卢亮;邹江华;金浩 - 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
  • 2019-03-01 - 2021-03-09 - B02C19/18
  • 本申请公开了一种多晶破碎方法,包括将多晶置于密闭空间中;将所述多晶加热至预设温度;对加热后的多晶进行冷却,以使冷却后的多晶产生内应力;对所述冷却后的多晶进行破碎,以得到多晶碎料。本申请中将多晶放入密闭空间中加热至预设温度后,再对加热后的多晶进行冷却,使得多晶内部产生内应力,由于内应力的存在,对所述冷却后的多晶进行破碎时,只需要较小的冲击力即可将多晶击碎,得到多晶碎料,同时减少多晶粉末的产生,即减少多晶的损耗。此外,本申请还提供一种具有上述优点的多晶破碎设备。
  • 一种多晶破碎方法设备
  • [发明专利]一种单元栅蚀刻方法-CN201010002835.2无效
  • 陶志波;陈伏宏 - 和舰科技(苏州)有限公司
  • 2010-01-18 - 2011-07-20 - H01L21/28
  • 所述方法,包括:步骤(1):控制单元栅上多晶1结构与多晶1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶0结构的高度同步,同时蚀刻所述多晶1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶0结构的多晶1层和所述多晶1结构;步骤(2):同时蚀刻所述多晶1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶0结构的氧化硅-氮化硅-氧化硅层和所述多晶1结构;步骤(3):同时蚀刻所述多晶1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶0结构的多晶0层和所述多晶本发明的方法能够避免多晶残留,避免形成多晶桥,提高产品良率。
  • 一种单元蚀刻方法
  • [发明专利]电可编程的多晶熔丝器件结构-CN201810992764.1有效
  • 武洁 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2018-08-29 - 2020-08-11 - H01L23/522
  • 本发明公开了一种电可编程的多晶熔丝器件结构,包括多晶熔丝阳极、多晶熔丝阴极以及多晶熔丝三部分;中间的多晶熔丝两头分别连接多晶熔丝阳极以及多晶熔丝阴极;多晶熔丝的宽度远小于多晶熔丝阳极和多晶熔丝阴极所述多晶熔丝部分对应多晶宽度为设计规则允许最小宽度,多晶熔丝电阻方块数在8~13之间;多晶熔丝阴极与多晶熔丝连接处角度a为30~60度;多晶阳极打满接触孔,多晶阴极的接触孔只形成于最外围一圈本发明结构在多晶熔丝阳极灌入大的编程电流时,熔丝连接处有更大的温度梯度,更容易发生电迁移,编程后阻值标准偏差减小30%。
  • 可编程多晶硅熔丝器件结构
  • [发明专利]多晶破碎方法-CN202310495908.3在审
  • 闫家强;吴锋;田新;沙南雪;赵春梅;韩秀娟 - 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
  • 2023-05-05 - 2023-08-15 - B02C19/18
  • 本发明公开了一种多晶破碎方法,该方法包括:(1)将多晶进行预降温,以便得到预降温后的多晶;(2)将所述预降温后的多晶进行冷冻,以便得到冷冻后的多晶;(3)将所述冷冻后的多晶进行加热,以便得到加热后的多晶;(4)将所述加热后的多晶进行破碎,以便得到破碎后的多晶。本发明的多晶破碎方法可以使多晶获得极大的晶间应力,从而使多晶容易破碎,提高多晶破碎的产品收率,延长设备破碎机构的使用寿命,并降低维护成本。
  • 多晶破碎方法
  • [发明专利]多晶电阻器结构及其制造方法、多晶电阻器-CN201210507657.8有效
  • 江红 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2012-11-30 - 2016-10-19 - H01L21/02
  • 一种多晶电阻器结构及其制造方法、多晶电阻器。多晶电阻器结构制造方法包括:在硅片中形成隔离区;在隔离区上形成第一多晶层的侧壁及第一多晶层;在第一多晶层上形成隔离物及第二多晶层,其中所述隔离物与第二多晶层不完全覆盖第一多晶层的两端;在第二多晶层上形成隔离物及第三多晶层,其中所述隔离物与第三多晶层不完全覆盖第一多晶层的两端,且不完全覆盖的第二多晶层的两端;以第三多晶层为掩膜进行离子注入;利用金属布线连接处于第一多晶层两端暴露端和第二多晶层两端暴露端;第一多晶层所形成的电阻与第二多晶层所形成的电阻通过串联电连接以得到更大的电阻值
  • 多晶电阻器结构及其制造方法
  • [发明专利]多晶-绝缘体-多晶电容结构-CN200810204970.8无效
  • 顾靖 - 上海宏力半导体制造有限公司
  • 2008-12-30 - 2009-06-24 - H01L29/92
  • 本发明提出一种多晶—绝缘体—多晶电容结构,其包括:多晶基底以及其上依次设置的第一多晶层,绝缘层以及第二多晶层,其中所述第一多晶层作为电容的一端,所述第二多晶层和所述多晶基底作为电容的另一端进一步的,该电容结构设置于有源区构成电容并联,利用有源区和第一多晶层构成的电容与第一多晶层和第二多晶层构成的电容并联,增加了电容值。本发明提出的多晶—绝缘体—多晶电容结构,具有更大的电容值,同时可以有效节省版图面积。
  • 多晶绝缘体电容结构

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