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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构-CN200810137833.7有效
发明人：赵元舜;荆凤德;洪彬舫;颜丰裕;林纲正;黄国泰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-07-08 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括：耐火金属硅化层；富硅耐火金属硅化层，位于该耐火金属硅化物上；以及富金属耐火金属硅化层，位于该富硅耐火金属硅化层上。该耐火金属硅化层、该富硅耐火金属硅化层与富金属耐火金属硅化层包括相同的耐火材料。该半导体结构构成金属氧化物半导体元件的栅极电极的一部分。本发明利用与带缘功函数相关的优势，且同时克服现有技术的不足。
半导体结构

[发明专利]完全金属硅化栅极与无金属硅化电阻与其制备方法-CN200610057498.0无效
发明人：丁煜明;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-03-17 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种完全金属硅化栅极与无金属硅化电阻与其制备方法。图案化栅极与电阻的半导体材料后，以第一介电层保护多晶硅免于金属硅化，接着进行第一次金属硅化将晶体管的栅极部分金属硅化。厚层栅极则以第二介电层保护电阻免于金属硅化，接着进行第二次金属硅化使栅极完全金属硅化。
完全金属硅栅极电阻与其制备方法

[发明专利]制备无机发光材料的方法-CN201380037385.2有效
发明人： T·沃斯格罗内;H·温克勒;R·派特里;A·本克尔;C·汉佩尔 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： C09K11/59 文献下载
摘要：本发明涉及制备具有提高发射效率的铕掺杂碱土金属硅氮化物或碱土金属硅氧氮化物的方法。此外，本发明涉及可通过本发明制备方法得到的铕掺杂碱土金属硅氮化物或碱土金属硅氧氮化物，和本发明铕掺杂碱土金属硅氮化物或碱土金属硅氧氮化物作为转换无机发光材料的用途。此外，本发明还涉及包含本发明铕掺杂碱土金属硅氮化物或碱土金属硅氧氮化物的发光器件。
制备无机发光材料方法

[发明专利]一种太阳能级多晶硅脱磷的提纯方法-CN201110268669.5无效
发明人：孔繁敏;王新元;安利明;孙湘航;司继良;陈建玉 -专利权人：山西纳克太阳能科技有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种太阳能级多晶硅脱磷的提纯方法，采用高真空感应炉，金属硅原料为颗粒状或块料，金属硅原料的纯度为99％，其操作步骤是：（1）开启高真空感应炉的真空系统，使炉室内达到高真空状态；（2）将金属硅原料装入位于高真空感应炉内的石墨坩埚中，开启高频感应电源将金属硅熔化；（3）待第（2）步骤金属硅原料熔化后使金属硅液温度保持在1560～1600℃，需要保持多长时间开启金属硅原料连续送料装置，投入剩余金属硅原料至炉内的石墨坩埚中进行连续脱磷；（4）脱磷后的金属硅熔体容积达到坩埚容积的2/3～3/4时，将金属硅熔体倾入同炉室内的另一坩埚中，自然冷却便得到脱磷多晶硅。
一种太阳能级多晶硅脱磷提纯方法

[发明专利]一种XRF与XRD相结合检测金属硅的方法-CN202211680264.7在审
发明人：张健;张圣鑫;孙皓;陈曦;赵丹 -专利权人：鞍山钢铁冶金炉材科技有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01N23/223 文献下载
摘要：本发明涉及一种XRF与XRD相结合检测金属硅的方法，该方法是通过建立XRF荧光金属硅的工作曲线检测试样中硅的含量，并通过工业硅XRD谱图峰值强度对金属硅中二氧化硅含量进行判断。与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明利用XRF荧光金属硅工作曲线方法缩短了金属硅的检验周期，提升了工作效率。解决了GB/T14849金属硅化学分析方法无法区分金属硅及二氧化硅含量的弊端。
一种 xrf xrd 相结合检测金属硅方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310074758.5有效
发明人：廖淼;陈芳 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-08 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，包括在一半导体衬底上形成多晶硅层；进行光刻工艺和金属硅化工艺，形成金属硅化物层，所述金属硅化物层满足：（S1/S2）的比值为（RSH1*TCT1）/（RSH2*TCT2）比值的0.8～1.2倍，其中S1为金属硅化物层的面积，RSH1为金属硅化物层的方块电阻，TCT1为金属硅化物层的电阻温度系数，S2为未覆盖金属硅化物层的多晶硅层的面积，RSH2为未覆盖金属硅化物层的多晶硅层的方块电阻，TCT2为未覆盖金属硅化物层的多晶硅层的电阻温度系数。本发明采用金属硅化的多晶硅材料或未进行金属硅化的多晶硅材料相结合，能够使多晶硅电阻器件的电阻温度系数保持基本恒定。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]利用回收的硅细粉冶炼金属硅的方法-CN201210127322.3无效
发明人：羊实;杨建忠 -专利权人：羊实
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： C01B33/025 文献下载
摘要：本发明涉及一种冶炼金属硅的方法，具体涉及一种采用金属硅冶炼过程中环保设备收集的细微粉末冶炼金属硅的方法，属于硅冶炼技术领域。本发明利用回收的硅细粉冶炼金属硅的方法，其特征在于：将回收的硅细粉与碳质还原剂、粘接剂按重量比1:0.3～0.6:0.04～0.1的比例混合，加水混合并制成球团，然后将球团投入到矿热炉中冶炼金属硅。本发明首次提出利用各种回收的硅细粉制作成球团，然后投入到矿热炉中冶炼金属硅，为硅的回收利用提供了一种新的思路，为金属硅的冶炼提供了一种成本低廉的方法，得到的金属硅中Si含量可达98%以上，耗电量比现有技术省
利用回收硅细粉冶炼金属硅方法

[发明专利]一种弥散分布金属硅化物/纳米硅复合材料及其制备方法-CN201911379430.8有效
发明人：唐晶晶;杨娟;周向阳;罗楚城;周昊宸;王鹏 -专利权人：中南大学;湖南宸宇富基新能源科技有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了种弥散分布金属硅化物/纳米硅复合材料及其制备方法，是由金属硅化物和纳米硅颗粒组成，部分金属硅化物弥散分布在纳米硅内部，另一部分金属硅化物包覆与纳米硅颗粒表面；其中，所述的复合材料中金属硅化物的质量百分含量为0.89～16.45％，余量为硅。本发明这种弥散分布金属硅化物/纳米硅复合材料，具有弥散强化作用的特定金属硅化物介入纳米硅颗粒内部且弥散分布并在其表面形成了金属硅化物包覆层，应用于锂离子电池负极材料时循环性能和稳定性能远优于现有纳米硅负极材料
一种弥散分布金属硅纳米复合材料及其制备方法

[发明专利]一种高纯白炭黑的制备方法-CN201510604517.6有效
发明人：蒋建国;范正平;史瑞杰;刘向上 -专利权人：中橡集团炭黑工业研究设计院
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯白炭黑的制备方法，它以金属硅渣为原料，液碱做催化剂，将金属硅渣与水和液碱混合制备得到聚合硅酸，聚合硅酸再水解团聚制得白炭黑；所述金属硅渣为生产金属硅的废料。金属硅是用碳在高温下还原硅石而制成的单质硅，因此金属硅生产的废料硅渣为单质硅渣，固体杂质含量很少。因此本发明方法制得的白炭黑产品质量好，纯度高，生产成本也相对低廉。
一种纯白炭黑制备方法

[发明专利]氯硅烷类的制造方法-CN201980085399.9有效
发明人：荻原克弥;饭山昭二;松村邦彦 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明是在通过金属硅与氯化氢的反应来制造氯硅烷类时，作为所述金属硅，将油分的附着量为5ppmw以下的金属硅粉作为所述金属硅供于反应。
硅烷制造方法

[发明专利]一种热电散热装置-CN201210422441.1有效
发明人：冯军宏;甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L23/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种热电散热装置，包括：顶层芯片，其包括顶层基底以及贯穿顶层基底的P型硅通孔和第一金属硅通孔，P型硅通孔用于连接电源的零电位，第一金属硅通孔用于连接电源的正电位；中间层芯片，其叠置连接在顶层芯片下部，包括中间层基底和贯穿中间层基底的第二金属硅通孔和第三金属硅通孔，中间层芯片中形成有电子器件；底层芯片，其叠置连接在中间层芯片下部，包括底层基底和贯穿底层基底的N型硅通孔和第四金属硅通孔，并且两通孔在底层芯片的底部相互连通，其中，P型硅通孔、第二金属硅通孔和N型硅通孔顺次连接，且第一金属硅通孔、第三金属硅通孔和第四金属硅通孔顺次连接。
一种热电散热装置

[发明专利]一种金属硅的造渣酸洗除硼方法-CN201110040875.0无效
发明人：罗学涛;黄平平;李锦堂;吴浩;张蓉;傅翠梨 -专利权人：厦门大学
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种金属硅的造渣酸洗除硼方法。涉及多晶硅的提纯方法，提供一种金属硅的造渣酸洗除硼方法。将造渣剂预熔并装入加料仓中，将金属硅料装入熔炼坩埚中，抽真空后充氩气；加热融化金属硅料，将预熔的造渣剂加入融化后的液态金属硅料中；反应结束后将液态金属硅料倒入模具中，冷却即得硅锭，将所得硅锭破碎、研磨，过筛得到硅粉，所得硅粉用乙醇浸泡去油，再用水清洗干净；将所得硅粉依次用盐酸溶液、硫酸和硝酸混合液、氢氟酸混合液、盐酸溶液浸泡洗涤至少1次，酸洗后的硅粉再用清水冲洗干净，即得除硼后的金属硅。将金属硅中的硼含量从8ppmw降低到0.3ppmw以下，满足太阳能级多晶硅的要求。
一种金属硅造渣酸洗方法

[发明专利]金属硅化物层以及半导体结构的制备方法-CN202210972332.0在审
发明人：游咏晞;吴启明 -专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属硅化物层以及半导体结构的制备方法。金属硅化物层的制备方法包括：提供硅衬底；于预设沉积温度下在硅衬底的表面沉积金属层，在沉积过程中，部分金属层与部分硅衬底反应，以形成富金属相的过渡金属硅化物层；过渡金属硅化物层位于未反应的金属层及未反应的硅衬底之间；将表面形成有过渡金属硅化物层的硅衬底进行退火处理，以将过渡金属硅化物层转化为金属硅化物层。
金属硅化物层以及半导体结构制备方法

[发明专利]熔融金属硅雾化制粉工艺-CN202010532922.2在审
发明人：郑维江;戴文伟;郑智雄;林霞;胡满根 -专利权人：将乐三晶新材料有限公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明公开一种熔融金属硅雾化制粉工艺，涉及工业硅生产领域，包括：首先，将熔融金属硅液转移至保温包，开启保温包的出料口，并向气流出口通入高压气流，以使出料口流出的熔融金属硅液受高压气流作用而雾化，收集槽采集雾化所得的金属硅粉；然后，实时采集设置于收集槽的收集面的背部下方的显微镜所拍摄的第一图像，测量显微镜图像中的各个金属硅粉的半径，求解金属硅粉的直径均值，求解金属硅粉的成粉波动性；最后，响应于直径均值未落入第一预设区间或粉波动性大于第二预设值本发明对熔融金属硅液进行雾化处理，得到球形结构良好的金属硅粉，成品均匀性佳。
熔融金属硅雾化制粉工艺

[发明专利]一种铝硅中间合金的生产工艺-CN202010485634.6有效
发明人：陈福亮;木群花;尹冰晶;邱鹏瑞;黄卉;何猛 -专利权人：昆明冶金高等专科学校
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： B22D7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝硅中间合金的生产工艺，包括：液态金属硅准备，将金属硅冶炼完成，并准备释放液态金属硅；按比例称好铝锭，将称好的铝锭放入浇包或者铸模中，用浇包或者铸模准备接纳液态金属硅；打开炉门释放液态金属硅到浇包或者铸模中，直至浇包或者铸模充满；控制浇包或者铸模内的温度，利用人工或者机械搅动液态金属硅，混合均匀已熔化的金属铝，得到铝硅中间合金样品；取样分析铝硅中间合金的化学成分；达到合格标准后，将铝硅中间合金样品凝固冷却，然后脱模破碎装袋得到铝硅中间合金样品成品。本发明利用液态金属硅在凝固时的结晶潜热熔化金属铝，生产出铝合金熔炼时需要的铝硅中间合金，工艺简单，大幅降低生产成本，节能环保。
一种中间合金生产工艺

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