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[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010362746.2有效
发明人：孙超 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有源区、漏区、以及连接所述源区和所述漏区的沟道区；隔离结构，位于所述半导体衬底内；所述隔离结构遮挡在所述源区和所述漏区之间，以阻隔所述源区和所述漏区之间的直线电流路径；栅极结构，至少位于所述半导体衬底的所述沟道区之上。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及半导体结构的制备方法-CN202210891444.3在审
发明人：邵光速;肖德元 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开实施例涉及一种半导体结构及半导体结构的制备方法，半导体结构包括：基底；第一半导体柱，第一半导体柱具有第一沟道区、源区和漏区；第一沟道区的第一半导体柱环绕第一字线的侧面；第一位线，与第一半导体柱的源区电连接；两个第二半导体柱以及位于两个第二半导体柱之间的栅极，第二半导体柱具有至少一个源漏区与第二沟道区，第二沟道区朝向栅极设置，栅极的一端与第一半导体柱的漏区电连接，第一半导体柱、栅极以及第二半导体柱平行于基底；第二字线与第二位线分别与两个第二半导体柱中至少一者的源漏区电连接，第一字线、第二字线以及第二位线垂直于基底，第一位线平行于基底设置。本公开实施例有利于缩小半导体结构的尺寸。
半导体结构制备方法

[发明专利]一种半导体器件的制作方法-CN201810231078.2在审
发明人：陈蓉峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域表面上均形成有栅极结构；形成覆盖所述半导体衬底的第一区域的牺牲层；在所述半导体衬底的第二区域中形成凹槽；在所述凹槽中外延生长嵌入式锗硅层；去除覆盖所述半导体衬底的第一区域的牺牲层。根据本发明提供的半导体器件的制作方法，首先形成覆盖半导体衬底第一区域的牺牲层，然后在半导体衬底的第二区域中形成凹槽并生长嵌入式锗硅层，最后去除覆盖半导体衬底第一区域的牺牲层，从而避免在第一区域中产生大量缺陷残留，进而保证半导体器件的性能稳定，提高了产品良率。
衬底第一区域半导体半导体器件第二区域牺牲层嵌入式锗硅层覆盖去除制作产品良率栅极结构生长残留保证

[发明专利]具有可靠可验证p接触的功率半导体器件和方法-CN201910777911.8在审
发明人： M.贝宁格尔-比纳;M.戴内斯;I.迪尔恩斯托尔菲尔;E.格里布尔;J.G.莱文;A.莫德;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：形成功率半导体器件的方法包括提供有表面的半导体本体；形成多个沟槽，沟槽从表面沿竖直方向延伸到半导体本体中，两个相邻沟槽的彼此面对的两个沟槽侧壁沿第一横向方向横向限定半导体本体的台面区；在台面区中形成第二导电类型的半导体本体区，台面区中的半导体本体区的表面至少部分形成半导体本体表面；在半导体本体表面上形成第一绝缘层，第一绝缘层有暴露台面区表面的至少部分的至少一个接触孔；使第二导电类型的半导体本体区经受倾斜源注入，其至少部分使用至少一个接触孔作为掩模基底用于在台面区中形成第一导电类型的半导体源区，倾斜源注入从竖直方向倾斜至少10°的角度，形成的半导体源区延伸不超过沿第一横向方向的台面区的宽度的80％。
具有可靠验证接触功率半导体器件方法

[实用新型]一种隧穿型背接触异质结太阳能电池-CN202223212265.7有效
发明人：林锦山;谢志刚;张超华;廖培灿;黄晓狄;黄天福 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种隧穿型背接触异质结太阳能电池，它包括背面形成背面钝化层的硅片；所述硅片背面划分为第一半导体区、第二半导体区以及位于第一半导体区和第二半导体区之间的隔离区；所述位于隔离区的背面钝化层上设有绝缘膜层；所述绝缘膜层和位于第一半导体区的背面钝化层上设有第一半导体膜层；所述第一半导体膜层上和位于第二半导体区的背面钝化层上由里及表依次设有第二半导体膜层和导电膜层；所述位于隔离区的导电膜层开设有对第一半导体区和第二半导体区进行绝缘隔离的隔离槽
一种隧穿型背接触异质结太阳能电池

[发明专利]横向功率半导体晶体管-CN201480037778.8有效
发明人： V·帕蒂拉纳;N·尤德戈姆波拉;T·特拉伊科维奇 -专利权人：剑桥微电子有限公司
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明一般涉及例如在集成电路中的横向功率半导体晶体管。特别地，本发明涉及横向绝缘栅双极晶体管或其他横向双极设备例如PIN二极管。本发明还一般涉及增加横向双极功率半导体晶体管的开关速度的方法。本发明提供了横向双极功率半导体晶体管，其包括与阳极/漏极区横向间隔的第一导电型的第一悬浮半导体区和横向邻近于第一悬浮半导体区的第二导电型的第二悬浮半导体区，以及设置在第一悬浮半导体区和第二悬浮半导体区上面且与第一悬浮半导体区和第二悬浮半导体区直接接触的悬浮电极
横向功率半导体晶体管

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310050056.3有效
发明人：朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；半导体衬底中的接触区；位于接触区上的夹层结构，该夹层结构包括背栅导体、位于背栅导体两侧的半导体鳍片、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质，其中接触区作为背栅导体的导电路径的一部分；与半导体鳍片相交的前栅堆叠，该前栅堆叠包括前栅电介质和前栅导体，并且前栅电介质将前栅导体和半导体鳍片隔开；位于背栅导体上方以及半导体鳍片上方的绝缘帽盖，并且绝缘帽盖将背栅导体与前栅导体隔开；以及与半导体鳍片提供的沟道区相连的源区和漏区。该半导体器件可以实现高集成度和低功耗。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]半导体器件-CN201320226353.4有效
发明人： W·凯因德尔;A·维尔梅罗特 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：具有第一和第二表面的半导体本体；位于所述半导体本体的第一表面处的第一导电类型的源区；第一导电类型的第一区和沿从所述半导体本体的所述第一表面到所述半导体本体的所述第二表面的方向延伸到所述半导体本体中的第二导电类型的第二区；位于所述源区和所述第一区之间的第二导电类型的体区，其中至少所述第二区接触所述体区，所述第一导电类型的第一区和所述第二导电类型的第二区在所述半导体本体中交替排列；第一导电类型的半导体基础层，所述半导体基础层的至少一部分在所述半导体本体中位于所述第一和第二区下面；以及位于所述半导体基础层下面的第一导电类型的漏区。所述第一导电类型的半导体基础层的位于所述第一和第二区下面的所述部分的厚度至少大于所述第一导电类型的第一区的宽度，以及所述第一导电类型的半导体基础层的掺杂浓度沿从所述源区到所述漏区的方向增加。
半导体器件

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201110144349.9有效
发明人：刘鹏飞;贾荣本;吴海平 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2011-05-31 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件，器件包括，第一导电类型第一半导体层；形成于第一半导体层中的第二导电类型的阱区；设置于第一半导体层与阱区之间的第二半导体层；形成于阱区中的第一导电类型源区；设置于第一半导体层之上覆盖了部分源区和部分阱区的第一氧化层；设置于第一氧化层之上的多晶硅层；设置于多晶硅层上覆盖了部分源区和阱区的隔离层；覆盖于隔离层上与源区和阱区连接的第一金属层；形成于第一半导体层背面的第二导电类型第三半导体层，以及与第三半导体层连接的第二金属层；阱区的结弯曲处与第一半导体层接触；第二半导体层的掺杂浓度大于第一半导体层的掺杂浓度；本发明有效缓减了器件导通压降与耐压之间的矛盾。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN201310285557.X有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，包含提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有场效应晶体管，所述场效应晶体管具有源极区、漏极区、浅掺杂区以及沟道区；去除所述源极区和漏极区中的所述半导体衬底，以在所述源极区和漏极区中形成空腔；在所述空腔中形成第一应变诱发半导体合金层；去除至少部分所述浅掺杂区，以形成空洞；以及在所述第一应变诱发半导体合金层上和所述空洞中形成第二应变诱发半导体合金层，所述第二应变诱发半导体合金层的掺杂浓度高于所述浅掺杂区的掺杂浓度本发明的半导体器件的制备方法中，所述空洞中的所述第二应变诱发半导体合金层能够降低所述沟道区势垒，从而提高晶体管的电学性能。
半导体器件制备方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201410415055.9有效
发明人：罗鹏程;李广宁 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件。该半导体器件包括半导体前道工艺结构和半导体后道工艺结构，半导体前道工艺结构包括：半导体衬底，其中设置有阱区和离子注入区，且阱区中设置有漏极；栅氧层，设置在半导体衬底的表面上；栅极，设置在栅氧层上；半导体后道工艺结构包括：层间介质层，其中设置有过孔；金属布线层，金属布线层中设置有金属部和介质部，过孔与金属部相连，栅极通过过孔和金属部与离子注入区相连，上述半导体器件还包括附加阱区，离子注入区设置在附加阱区中，附加阱区与阱区中的杂质离子为类型相同的第一杂质离子附加阱区使栅极和漏极不存在电势差；附加阱区在半导体前道工艺中即可完成，不会影响层间介质层或金属布线层的制作。
阱区半导体半导体器件工艺结构金属布线层离子注入区金属部杂质离子栅氧层衬底漏极层间介质层电势差介质层影响层制作申请

[发明专利]具有混合掺杂区的绝缘体上硅半导体器件-CN201811396073.1有效
发明人：刘逸群;杨超源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在一些实施例中，提供了一种半导体器件。半导体器件包括：半导体衬底，包括通过绝缘层与第二半导体材料层分离的第一半导体材料层。源极区和漏极区设置在第一半导体材料层中并且间隔开。栅电极设置在源极区和漏极区之间的第一半导体材料层上方。具有第一掺杂类型的第一掺杂区设置在第二半导体材料层中，其中，栅电极直接位于第一掺杂区的上面。具有与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的第二掺杂区设置在第二半导体材料层中，其中，第二掺杂区在第一掺杂区下方延伸并接触第一掺杂区的相对两侧。本发明实施例涉及具有混合掺杂区的绝缘体上硅半导体器件。
具有混合掺杂绝缘体半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201910114968.X在审
发明人：蔣昕志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种半导体装置，所述半导体装置包括位于块状氧化物之上的半导体区，所述块状氧化物位于半导体衬底之上。在所述块状氧化物上方有下部源极区，所述下部源极区通过所述半导体区的下部部分而在横向上与下部漏极区间隔开。上部源极区通过半导体区的上部部分而在横向上与上部漏极区间隔开且在垂直方向上与所述下部源极区及所述下部漏极区间隔开。所述上部源极区耦合到所述下部源极区，且所述上部漏极区耦合到所述下部漏极区。耦合到所述半导体衬底且位于栅极氧化物之上的栅极电极位于所述半导体区的所述上部部分上方。所述半导体区的所述下部部分及所述上部部分分别包括第一沟道区及第二沟道区。
半导体装置

[实用新型]半导体器件-CN201320675263.3有效
发明人： A.维尔梅罗特;W.凯因德尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：具有第一和第二表面的半导体本体；位于半导体本体的第一表面处的第一导电类型的源区；第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区，分别沿从所述半导体本体的所述第一表面延伸到所述半导体本体的所述第二表面的方向；源区和第一区之间的第二导电类型的体区，其中至少第二区接触体区，第一区和第二区在半导体本体中交替排列；第一导电类型的半导体基础层，其至少一部分在半导体本体中位于第一和第二区下面；位于半导体基础层下面的第一导电类型的漏区第一导电类型的半导体基础层的位于第一和第二区下面的部分的厚度至少大于第一区的宽度。
半导体器件

[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法-CN202110973478.2在审
发明人：韩清华 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构的制作方法，包括：提供衬底；在衬底上形成半导体柱；在半导体柱的中部侧壁上形成栅极；在环绕有栅极的半导体柱的上部和下部进行与半导体柱反型的掺杂注入，以形成源区和漏区。由于先形成了环绕半导体柱的栅极，然后进行掺杂注入形成源区和漏区，从而可以保证掺杂注入获得精确的位置，以此提高半导体结构的制作精度，从而改善半导体结构的使用性能。
半导体结构制作方法