专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]锗硅异质结双极晶体管-CN201010511184.X有效
  • 钱文生 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2010-10-19 - 2012-05-16 - H01L29/737
  • 本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管,其集电区由形成于有源中的离子注入一加上形成于有源两侧的场氧底部的离子注入二和离子注入三组成。所述离子注入三和场氧底部表面相隔一纵向距离、其宽度和场氧的宽度相同。离子注入二位于离子注入三的顶部、且离子注入二的底部和离子注入三交叠并连接。离子注入一的深度大于场氧的底部深度、离子注入一的底部和离子注入二相连接。离子注入三的掺杂浓度大于离子注入一和离子注入二的掺杂浓度。通过赝埋层顶部场氧中的深孔接触引出集电区。
  • 锗硅异质结双极晶体管
  • [发明专利]锗硅异质结双极晶体管-CN201010507418.3有效
  • 刘冬华;钱文生 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2010-10-14 - 2012-05-09 - H01L29/737
  • 本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管,其集电区由形成于有源中的离子注入一加上形成于有源两侧的场氧底部的离子注入二和离子注入三组成。离子注入三的宽度小于场氧的宽度、且其第一侧和离子注入一相连接、第二侧和赝埋层相连接;离子注入二的宽度和场氧的宽度相同并位于离子注入三和赝埋层的底部并与离子注入三和赝埋层形成连接。离子注入三的掺杂浓度大于离子注入一和离子注入二的掺杂浓度、所述离子注入三的结深小于离子注入一和离子注入二的结深。通过赝埋层顶部场氧中的深孔接触引出集电区。
  • 锗硅异质结双极晶体管
  • [实用新型]一种半导体器件的衬底结构-CN202023142361.X有效
  • 杨国文;唐松 - 度亘激光技术(苏州)有限公司
  • 2020-12-22 - 2021-08-03 - H01S5/042
  • 本实用新型提供一种半导体器件的衬底结构,涉及半导体技术领域,包括:衬底层,在衬底层同层设置第一离子注入和第二离子注入,第一离子注入和第二离子注入区分别为电流阻挡,衬底层在第一离子注入和第二离子注入之间的部分为通道,第一离子注入、第二离子注入与通道的顶面位于同一平面,平面与衬底层的底面平行。利用第一离子注入和第二离子注入也可以对电流的扩散起到控制作用。进而提高器件的电光转换效率。
  • 一种半导体器件衬底结构
  • [发明专利]图像传感器及其制造方法-CN200710141189.6无效
  • 任劲赫 - 东部高科股份有限公司
  • 2007-08-13 - 2008-02-20 - H01L21/822
  • 本发明提供一种图像传感器及其制造方法,该图像传感器包括:第一导电类型半导体衬底,包含由器件隔离层界定的有源;第二导电类型第一离子注入,形成为有源中的多个区域;第二导电类型第二离子注入,连接第二导电类型第一离子注入的多个区域;以及第一导电类型离子注入,形成于第二导电类型第二离子注入上。可以很深地在衬底中形成第二导电类型第一离子注入的多个区域。第二导电类型第二离子注入可以在衬底中形成在第一离子注入的上部区域、第一离子注入的中部区域或者第一离子注入的下部区域。
  • 图像传感器及其制造方法
  • [发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法-CN201510532179.X有效
  • 周飞 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2015-08-26 - 2019-07-02 - H01L21/336
  • 一种鳍式场效应晶体管的形成方法,包括:提供有离子注入和非离子注入的半导体衬底,离子注入的半导体衬底具有鳍部;形成位于鳍部两侧的半导体衬底表面的过渡隔离结构,过渡隔离结构的整个表面低于鳍部的顶部表面且高于待形成的目标隔离结构表面;形成过渡隔离结构后,形成覆盖非离子注入离子注入阻挡层,离子注入阻挡层暴露整个离子注入;以离子注入阻挡层为掩膜,采用第二离子注入离子注入的过渡隔离结构中注入第二离子,且使得第二离子扩散进入过渡隔离结构侧部的鳍部中;然后去除离子注入阻挡层;去除离子注入阻挡层后,去除部分过渡隔离结构,形成目标隔离结构。
  • 场效应晶体管形成方法
  • [发明专利]一种静态随机存储器的制备方法-CN202211054903.9在审
  • 张婷;刘涛;彭翔;唐小亮;王奇伟 - 上海华力微电子有限公司
  • 2022-08-29 - 2022-11-11 - H01L21/8244
  • 本发明提供了一种静态随机存储器的制备方法,提供衬底,衬底上具有栅极结构;对栅极结构两侧的衬底进行第一离子注入工艺,以形成第一源漏;对栅极结构两侧的衬底进行第二离子注入工艺,以在所述第一源漏区内形成第二源漏;其中,第一离子注入工艺与第二离子注入工艺的离子注入方向均朝向栅极结构的方向倾斜,且第一离子注入工艺较第二离子注入工艺的倾斜角度更大,第一离子注入工艺的离子注入剂量小于第二离子工艺的离子注入剂量,使第一源漏第二源漏离子浓度在横向及垂向上均形成浓度差,第一源漏与第二源漏构成有效的源漏结构,减小源与漏之间的沟道漏电,进而减小静态随机存储器的常温静态漏电。
  • 一种静态随机存储器制备方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310519625.8在审
  • 三重野文健;周永昌 - 飞锃半导体(上海)有限公司
  • 2023-05-09 - 2023-10-03 - H01L21/265
  • 本申请提供半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:基底,所述基底包括用于形成沟槽栅极结构的栅极区域;第一离子注入,包覆所述栅极区域的第一拐角;第二离子注入,包覆所述栅极区域的第二拐角;第三离子注入,包覆所述栅极区域的第三拐角;第四离子注入,包覆所述栅极区域的第四拐角。本申请提供一种半导体结构及其形成方法,利用第一离子注入、第二离子注入、第三离子注入和第四离子注入区分别包住沟槽栅极结构底部的四个拐角,可以保护沟槽栅极结构底部的四个拐角,避免发生泄漏和击穿,从而提高器件可靠性
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201310088590.3在审
  • 王冬江;孟晓莹;张海洋;张翼英 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2013-03-19 - 2014-09-24 - H01L21/266
  • 该方法包括:步骤S101:在前端器件上形成第一离子注入掩膜,对第一离子注入进行离子注入;步骤S102:在第一离子注入掩膜的图案之间以及第一离子注入掩膜上形成高于所述第一离子注入掩膜的介电材料层;步骤S103:去除所述介电材料层高于所述第一离子注入掩膜的部分;步骤S104:去除所述第一离子注入掩膜,以所述介电材料层被保留的部分作为第二离子注入掩膜对第二离子注入进行离子注入。该方法通过采用填充于第一离子注入掩膜的图案之间的介电材料作为第二离子注入掩膜对第二离子注入进行离子注入,很好地控制了第一离子注入掩膜与第二离子注入掩膜的交叠,提高了器件良率。
  • 一种半导体器件制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202211356056.1在审
  • 许昭昭 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2022-11-01 - 2023-04-04 - H01L29/06
  • 一种半导体器件及其形成方法,所述方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有栅极结构;在所述栅极结构的两侧的半导体衬底内进行LDD离子注入,以形成LDD离子注入;对所述半导体衬底进行HALO离子注入,以形成HALO离子注入,且一部分注入离子经由所述栅极结构注入;其中,经由所述栅极结构注入注入离子穿通所述栅极结构;所述HALO离子注入包含连通的中心注入以及侧面注入,所述中心注入区位于所述栅极结构下方的沟道中心区域,所述侧面注入与所述栅极结构两侧的LDD离子注入均邻接。
  • 半导体器件及其形成方法

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