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[发明专利]场效应晶体管及其制造方法-CN200610109136.1无效
发明人：木下敦宽;古贺淳二 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-08-02 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种场效应晶体管包括第一导电型的第一半导体区、隔着栅极绝缘膜形成在第一半导体区的沟道区上的栅电极、被形成为将沟道区置于之间的源漏电极、形成在源漏电极和沟道区之间的第二导电型的第二半导体区和形成在源漏电极和第一和第二半导体区中每个之间的第二导电型的第三半导体区，该第二半导体区产生了源漏电极的延伸区，该第三半导体区通过从源漏电极的偏析而形成并具有比第二半导体区更高的杂质浓度。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200680018146.2无效
发明人：杉本雅裕;加地彻;上杉勉;上田博之;副岛成雅 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2006-05-25 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明旨在抑制III－V族化合物半导体的半导体区中包含的p型杂质(一般为镁)扩散到邻接的其它半导体区中。本发明的半导体器件(10)包括：由氮化镓(GaN)制成的第一半导体区(28)，具有包含镁的p型杂质；由氮化镓制成的第二半导体区(34)；以及由氧化硅(SiO₂)制成的杂质扩散抑制层(32)，其位于第一半导体区(28)和第二半导体区(34)之间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201210337659.7在审
发明人：卡斯滕·阿伦斯;约翰内斯·鲍姆加特尔;安东·毛德;弗朗西斯科·哈维尔·桑托斯罗德里格斯;汉斯-约阿希姆·舒尔茨 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体器件的方法，包括形成半导体主体的多孔区。该半导体主体包括位于多孔区中的多孔结构。在多孔区上形成半导体层在半导体层中形成半导体区域。然后，将半导体层与半导体主体沿着多孔区分离，包括通过热处理将氢引入到多孔区内。
制造半导体器件方法

[发明专利]光调制的半导体场效应晶体管和集成电路-CN201611130449.5有效
发明人：王敬;陈文捷;郭磊;梁仁荣 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种光调制的半导体场效应晶体管和集成电路，其中该光调制的半导体场效应晶体管包括：半导体层；源区和漏区，所述源区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上，所述漏区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上；形成在所述半导体层之上的栅结构；形成在所述半导体层之上的发光结构，其中，所述发光结构至少部分地覆盖所述源区和/或漏区，所述发光结构用于产生用于激发所述半导体层中电子和空穴对的光线。本发明的光调制的半导体场效应晶体管和集成电路，将发光结构设置半导体层之上，部分覆盖源或漏，使发光结构与沟道区更近，可以在沟道区有效激发电子‑空穴对，提高沟道区载流子浓度，利用光照极大地改善器件的导通电流
调制半导体场效应晶体管集成电路

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202010397989.X在审
发明人：刘书豪;陈文彦;陈资宪;宋承融;王立廷;陈亮吟;张惠政;杨育佳;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体装置的形成方法包括形成栅极堆叠于一第一半导体区上；移除栅极堆叠的一侧上的第一半导体区的第二部分，以形成凹陷；自凹陷开始成长第二半导体区；以杂质布植第二半导体区；以及在第二半导体区上进行熔融激光退火在熔融激光退火时熔融第二半导体区的第一部分，而不熔融第二半导体区的第一部分的两侧上的第二半导体区的第二部分与第三部分。
半导体装置形成方法

[发明专利]具有高压器件的半导体器件结构-CN201811416706.0有效
发明人：林宏洲;邱奕正;卡思克·穆鲁克什;陈益民;林炫政;江文智;张震谦;詹智元;吴国铭;蔡俊琳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种高压半导体器件结构。高压半导体器件结构包括半导体衬底，半导体衬底中的源极环和半导体衬底中的漏极区域。高压半导体器件结构还包括围绕源极环的侧面和底部的掺杂环以及围绕漏极区域和掺杂环的侧面和底部的阱区。阱区的导电类型与掺杂环的导电类型相反。高压半导体器件结构还包括导体，该导体电连接到漏极区域并且在阱区的外围上方并且横穿阱区的外围延伸。另外，高压半导体器件结构包括在导体和半导体衬底之间的屏蔽元件环。屏蔽元件环在阱区的外围上方延伸并横穿阱区的外围。本发明实施例涉及具有高压器件的半导体器件结构。
具有高压器件半导体器件结构

[发明专利]光接收元件和光电转换装置-CN00108627.8有效
发明人：小冢开;小泉彻;泽田幸司 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2000-02-25 - 公布日： 2000-10-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：为了减小光接收元件的电容,本发明提供一种光接收元件,包括一个第一导电型的第一半导体区;一个第二导电型的第二半导体区,设在第一半导体区上;一个第一导电型的第三半导体区,设在第二半导体区与一隔离膜之间;和一个第二导电型的电极区,设在第二半导体区中的其上面没有第三半导体区的位置上,并且与由导体制成的阳极或阴极电极相连。
接收元件光电转换装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201010299028.1有效
发明人：朱慧珑;尹海洲;骆志炯;梁擎擎 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；浅沟槽隔离，嵌于半导体衬底中，且形成至少一个半导体开口区；沟道区，位于半导体开口区内；栅堆叠，包括栅介质层和栅极导体层，位于沟道区上方；源/漏区，位于沟道区的两侧，源/漏区包括相对分布于栅堆叠的两侧、且与浅沟槽隔离邻接的第一晶种层；其中，浅沟槽隔离的上表面高于或足够接近于源/漏区的上表面。该半导体器件及其制造方法可增强沟道区应力从而提高器件性能。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201780019961.9有效
发明人：大井幸多;小野泽勇一;伊仓巧裕 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；第一导电型的漂移区，其形成于半导体基板；第二导电型的集电区，其在半导体基板形成于半导体基板的下表面与漂移区之间；以及第一导电型的高浓度区，其在半导体基板形成于漂移区与集电区之间，且掺杂浓度比所述漂移区高，半导体基板的深度方向上的高浓度区的掺杂浓度分布具有一个以上的峰，高浓度区的掺杂浓度分布的峰中的最靠所述半导体基板的下表面侧的第一峰与半导体基板的下表面之间的距离为3μm以下。
半导体装置

[发明专利]一种沟槽MOS结构半导体装置及其制备方法-CN201110098224.7无效
发明人：朱江 -专利权人：朱江
申请日： 2011-04-19 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽MOS结构半导体装置，沟槽内壁生长有栅氧，沟槽内填充有栅极介子；沟槽之间半导体材料整个上部设置有第一导电半导体材料体区；在第一导电半导体材料体区下部为第二导电半导体材料漏区；沟槽边侧体区内上部设置有第二导电半导体材料源区；在沟槽边侧体区内，源区下部漏区上部设置有第二导电半导体材料无源区；本发明还提供一种沟槽MOS结构半导体装置的制备方法，应用本发明的半导体装置的制备方法制造超级势垒整流器，可以优化器件的电参数。
一种沟槽 mos 结构半导体装置及其制备方法

[发明专利]一种超结功率DMOS器件-CN201810528613.0在审
发明人：任敏;宋炳炎;何文静;李泽宏;高巍;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种超结功率DMOS器件，包括有源区、过渡区和终端区，有源区由若干个重复元胞构成，每个元胞包括：第一导电类型半导体轻掺杂外延层、第二导电类型半导体柱、第二导电类型半导体体区、第一导电类型半导体源区、第二导电类型半导体接触区、有源区第一导电类型半导体轻掺杂外延层；终端区包括：终端区第一导电类型半导体轻掺杂外延层、终端区第二导电类型半导体柱；过渡区包括过渡区第一导电类型半导体轻掺杂外延层、过渡区第二导电类型半导体柱，本发明使得在体二极管正向导通时注入该区域的非平衡载流子减少，在体二极管反向恢复时加速了该区域的少子复合，因此集中在过渡区的电流密度降低，防止了该处的过热烧毁，达到提高器件可靠性的效果。
导电类型半导体第一导电类型过渡区轻掺杂外延层终端区半导体源区体二极管超结元胞非平衡载流子半导体源区反向恢复时器件可靠性过热烧毁少子复合正向导通接触区体区重复

[发明专利]具有电流扩布区的半导体器件-CN202310134346.X在审
发明人： A·芬尼;H·奈克;I·纽曼 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：公开了具有电流扩布区的半导体器件。一种半导体器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底中的第一导电类型的漂移区带；从半导体衬底的第一表面延伸到漂移区带中的互连栅极沟槽的阵列；多个半导体台面，其由互连栅极沟槽的阵列界定；多个针形形状的场板沟槽，其从第一表面延伸到多个半导体台面中；在多个半导体台面中，第一导电类型的源极区和将源极区与漂移区带分离的第二导电类型的本体区；以及第一导电类型的电流扩布区，其在栅极沟槽的底部处并且具有比漂移区带高的平均掺杂浓度还描述了生产半导体器件的方法。
具有电流扩布区半导体器件

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN201410154514.2有效
发明人： K-H.格布哈特;A.迈泽;T.施勒泽;M.施特拉泽 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2014-04-17 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了半导体器件和制造半导体器件的方法。在半导体衬底中形成的半导体器件包括在半导体衬底中使半导体器件的相邻部件横向绝缘的隔离沟槽。横向隔离层布置在隔离沟槽中。半导体器件还包括源极区和漏极区以及布置在源极区和漏极区之间的主体区和漂移区。半导体器件附加地包括相邻于主体区的至少一部分的栅极电极和相邻于漂移区的至少一部分的场板。场介电层布置在漂移区和场板之间。场介电层的顶表面布置在比横向隔离层的顶表面更大的从半导体衬底的第一主表面测量的高度处。
半导体器件制造方法

[发明专利]薄膜晶体管-CN200910173699.0有效
发明人：高桥绘里香;加藤高之;宫入秀和;神保安弘 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-09-07 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管，在衬底上具有栅电极层、半导体层、设置在栅电极层和半导体层之间的栅极绝缘层、接触于半导体层的源区及漏区、接触于源区的源电极层以及接触于漏区的漏电极层，其中源区及漏区由添加有赋予一种导电型的杂质的微晶半导体层形成，在半导体层中接触于源区及漏区的区域由晶体区域形成，因为半导体层中的晶体区域不形成在背沟道区中而被分离，所以其成为一对。并且在半导体层中具有包括非晶半导体的半导体层。从而提高反交错型薄膜晶体管的电特性。
薄膜晶体管

[发明专利]一种具有阶梯型沟槽的LDMOS器件-CN201710726672.4有效
发明人：任敏;林育赐;谢驰;李佳驹;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有阶梯型沟槽的LDMOS器件，包括第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体体区、第二导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体源区、高掺杂第一导电类型半导体体接触区、栅极结构，栅极结构包括多晶硅栅电极和栅氧化层，第二导电类型半导体漂移区的内部上表面还具有阶梯型沟槽，台阶底部和第二导电类型半导体漂移区上表面的距离沿第二导电类型半导体源区到第二导电类型半导体漏极区的方向递减，阶梯型沟槽中填充了多晶硅，本发明通过改变台阶深度来调整电场分布，使漂移区的纵向电场分布更均匀，提高器件的反向阻断电压。
一种具有阶梯沟槽 ldmos 器件