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[实用新型]一种4H-SiC基超结功率MOSFET结构-CN202221986490.3有效
发明人：谢速 -专利权人：杰平方半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种4H‑SiC基超结功率MOSFET结构，其元细胞结构包括漏极、源极、栅极、耐压层、缓冲阻挡层、半导体体区、半导体源区以及半导体衬底层，所述耐压层设于所述缓冲阻挡层的上方，在所述耐压层的上侧设置所述半导体体区，所述半导体源区位于所述半导体体区内，所述栅极覆盖在部分所述耐压层、部分所述半导体体区以及部分半导体源区的表面，在所述半导体体区还形成有沉降槽，在所述沉降槽内设置所述源极，且该源极还与所述半导体源区通过导体相连，所述半导体衬底层覆盖在所述缓冲阻挡层的下表面，在所述半导体衬底层的下表面覆盖导体形成所述漏极。
一种 sic 基超结功率 mosfet 结构

[实用新型]一种4H-SiC基超结功率MOSFET-CN202221986452.8有效
发明人：谢速 -专利权人：杰平方半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种4H‑SiC基超结功率MOSFET，其元细胞结构包括漏极、源极、栅极，耐压层设于缓冲阻挡层的上方，在耐压层的上侧设置半导体体区，半导体源区位于半导体体区内，栅极覆盖在部分耐压层、部分半导体体区以及部分半导体源区的表面，在半导体体区还形成有沉降槽，在沉降槽内设置源极，且该源极还与半导体源区通过导体相连，半导体衬底层覆盖在缓冲阻挡层的下表面，在半导体衬底层的下表面覆盖导体形成漏极；缓冲阻挡层由至少一个半导体缓冲区以及埋设于半导体缓冲区内的至少一个半导体少子阻挡区构成
一种 sic 基超结功率 mosfet

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202210601541.4在审
发明人：刘佑铭 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底，基底上具有多个间隔排布的半导体柱，半导体柱包括沿远离基底表面方向依次分布的第一源漏区、第一沟道区、第二沟道区以及第二源漏区；栅介质层，栅介质层环绕第一沟道区的半导体柱侧面；多条沿第一方向延伸的字线，每条字线环绕多个沿第一方向排布的半导体柱，字线环绕半导体柱中的第一沟道区以及第二沟道区，字线与第一沟道区的半导体柱之间具有栅介质层，字线与第二沟道区的半导体柱之间具有空气间隙本公开实施例至少有利于降低半导体结构的栅诱导漏极泄漏电流。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]相变存储器阵列、相变存储器单元及其形成方法-CN201010573359.X有效
发明人：万旭东;张步新;吴关平 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变存储器单元，包括：半导体衬底；二极管，其中每个二极管包括：第一掺杂半导体区，所述第一掺杂半导体区具有第一导电类型，所述第一掺杂半导体区位于所述半导体衬底上；导电区，覆盖在所述第一掺杂半导体区上，与所述第一掺杂半导体区构成二极管；所述相变存储器还包括：低阻导电区，位于所述半导体衬底内下，并且与二极管的第一掺杂半导体区电连接。本发明还提供了一种相变存储器单元形成方法、相变存储器阵列及其形成方法，本发明通过在半导体衬底内通过形成低阻导电区低阻导电区而埋置字线，与现有的形成相变存储器阵列的技术相比，工艺简单而且与CMOS工艺兼容
相变存储器阵列单元及其形成方法

[发明专利]一种基于LIGBT的单栅控制电压电流采样器件-CN201910061974.3有效
发明人：李泽宏;杨洋;彭鑫;赵一尚;程然;何云娇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种基于LIGBT的单栅控制电压电流采样器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、衬底电极、外延氧化层、第二导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体掺杂区、第一导电类型半导体阳极区、第一金属电极、第一导电类型半导体体区、氧化层、金属栅极、第一导电类型半导体掺杂区、第二导电类型半导体阴极区、第一导电类型半导体掺杂区、第二导电类型半导体掺杂区、第一导电类型半导体阴极区、第三金属电极、第四金属电极、
一种基于 ligbt 控制电压电流采样器件

[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN201410459730.8有效
发明人：格哈德·施密特 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了功率半导体器件及其制造方法，该功率半导体器件包括半导体衬底；有源器件区，其置于所述半导体衬底中；边缘终端区，其置于所述有源器件区与所述半导体衬底的横向边缘之间的所述半导体衬底中；以及硫族元素掺杂原子区，其置于邻近所述半导体衬底的所述横向边缘的所述边缘终端区中。
功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有应变缓冲层的MOS器件及其形成方法-CN201310306347.4有效
发明人：黄玉莲;李东颖;陈忠贤;刘继文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有应变缓冲层的MOS器件及其形成方法，该期间包括衬底；隔离区，延伸至衬底内；以及半导体鳍，高于隔离区的顶面。半导体鳍具有第一晶格常数。半导体区包括侧壁部分，位于半导体鳍的相对两侧；以及顶部，位于半导体鳍的上方。半导体区具有不同于第一晶格常数的第二晶格常数。应变缓冲层位于半导体鳍和半导体区之间并且与其接触。应变缓冲层包括氧化物。
具有应变缓冲 mos 器件及其形成方法

[发明专利]半导体元件和使用半导体元件的半导体装置-CN03107081.7有效
发明人：山崎舜平;加藤清;矶部敦生;宫入秀和;须泽英臣 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2003-03-05 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供有高电流驱动能力、能够高速运转并在多个半导体元件中几乎没有变化的半导体元件。它以下述事实为特征：半导体元件有包括多个晶体取向的第一结晶半导体区，第一结晶半导体区连接到导电的第二结晶半导体区，其中第一结晶半导体区在平行于在绝缘表面上的线形条状图形中延伸的绝缘膜的方向延伸，且第二结晶半导体区被提供
半导体元件使用装置

[发明专利]半导体元件和使用半导体元件的半导体装置-CN200710154325.5有效
发明人：山崎舜平;加藤清;矶部敦生;宫入秀和;须泽英臣 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2003-03-05 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供有高电流驱动能力、能够高速运转并在多个半导体元件中几乎没有变化的半导体元件。它以下述事实为特征：半导体元件有包括多个晶体取向的第一结晶半导体区，第一结晶半导体区连接到导电的第二结晶半导体区，其中第一结晶半导体区在平行于在绝缘表面上的线形条状图形中延伸的绝缘膜的方向延伸，且第二结晶半导体区被提供
半导体元件使用装置

[发明专利]一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管结构-CN201010565520.9有效
发明人：朱超群;钟树理;任文珍;曾爱平;陈宇 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括：漏极、第一导电型半导体衬底及外延层；第一导电型半导体外延层内包括隔开的第二导电型半导体第一阱区、第二导电型半导体第二阱区；第二导电型半导体第一阱区内部设有第一导电型半导体第一源区，第二导电型半导体第二阱区内部设有第一导电型半导体第二源区；第一导电型半导体第一源区、第二导电型半导体第一阱区上部分覆盖有第一源极区域，第一导电型半导体第二源区、第二导电型半导体第二阱区部分覆盖有第二源极区域
一种垂直扩散金属氧化物半导体场效应结构

[发明专利]纳米片功率器件的结构、制造方法及电力电子设备-CN202210339394.8在审
发明人：曾健忠 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种纳米片功率器件的结构、制造方法及电力电子设备，属于半导体技术领域，通过纳米片堆叠部位于隔离层的上表面，在水平面呈H型，包括平行交替设置的多个牺牲层和多个第二纳米片层；在第二纳米片层中，第一半导体类型区、第二半导体类型区、第三半导体类型区以及第四半导体类型区沿横向方向依次排列，且第二半导体类型区位于H型的横线位置的中间；在垂直方向上与第二半导体类型区重叠的牺牲层的区域镂空，且在镂空区域环绕第二半导体类型区设置栅极结构；第一纳米片层位于隔离层的下表面，在第一纳米片层中，第五半导体类型区、第六半导体类型区以及第七半导体类型区沿横向方向依次排列；提高了开关速度，简化了工艺。
纳米功率器件结构制造方法电力电子设备

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN99107553.6无效
发明人：笠井直记 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1999-05-25 - 公布日： 1999-12-01 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：半导体器件制造方法包括提供半导体衬底(1);形成第二半导体元件的第二栅电极(4);形成第二源/漏区(5);形成第二侧壁绝缘膜(6);形成第一栅电极(10);形成第一源/漏区(11)和形成第一侧壁绝缘膜(半导体衬底(1)具有第一和第二半导体元件形成区(S,S)。在第一半导体元件形成区(S)被掩蔽的状态下,在第二半导体元件形成区(S)形成第二半导体元件的第二栅电极(4)和形成第二半导体元件的第二源/漏区(5)。
半导体器件及其制作方法

[实用新型]半导体结构-CN201820601381.2有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体结构，半导体结构包括：半导体衬底；有源区，位于半导体衬底内；浅沟槽，位于半导体衬底内，且位于有源区之间；氧化硅层，位于浅沟槽内，且至少覆盖于浅沟槽的底部及有源区的侧壁上。本实用新型的半导体结构通过在半导体衬底内刻蚀形成隔离出有源区的浅沟槽内形成氧化硅层，在可以有效修复有源区内存在的晶格损伤的同时，并不对有源区造成任何消耗，从而最大限度地保留了用于形成半导体器件的有源区，有效提高了半导体衬底的使用效率，显著节约了成本。
源区衬底半导体结构半导体浅沟槽本实用新型氧化硅层半导体器件晶格损伤使用效率侧壁刻蚀隔离消耗修复节约保留覆盖

[发明专利]发射辐射的半导体本体和用于制造半导体层序列的方法-CN201780074553.3在审
发明人： A.唐基克;P.施陶斯 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：说明一种具有半导体层序列（2）的发射辐射的半导体本体（1），所述半导体层序列具有被设置用于产生辐射的有源区（20）、n导通半导体层（21）和p导通半导体层（22），其中所述有源区布置在n导通半导体层和p导通半导体层之间并且所述p导通半导体层具有第一掺杂区（221）和第二掺杂区（222），其中所述第一掺杂区具有第一掺杂物，所述第二掺杂区具有与第一掺杂物不同的第二掺杂物。此外说明一种用于制造半导体层序列的方法。
半导体层导通半导体层序列掺杂区掺杂物半导体本体发射辐射源区制造辐射

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010857806.8在审
发明人：吕寅准;高建峰;李俊杰;刘卫兵;卢一泓 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体制造技术领域，以解决在去除位于沟道区之间、以及沟道区与半导体衬底之间的牺牲层的过程中，损伤到源/漏区，降低半导体器件性能的技术问题。所述半导体器件包括：半导体衬底、有源区、栅堆叠和侧墙。有源区位于半导体衬底上，有源区包括沟道区、以及位于沟道区两侧的源/漏区。至少位于沟道区的侧壁的栅堆叠，以及位于栅堆叠两侧的侧墙。其中，沿着远离沟道区中心的方向，源/漏区的材料与沟道区的材料之间的刻蚀选择比逐渐增大。本发明还提供了一种半导体器件的制造方法。
一种半导体器件及其制造方法