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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]抗闩锁晶体管-CN201610966560.1在审
发明人： B.菲舍尔;W.凯因德尔;K.科瓦利克-赛德尔;M.施密特;M.韦格沙伊德 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了一种用于产生晶体管器件的方法以及晶体管器件。该方法包括在半导体本体中的第二掺杂类型的本体区中形成第一掺杂类型的源极区；以及邻近本体区中的源极区形成第二掺杂类型的低阻区，其中形成源极区包括使用注入掩膜经由半导体本体的第一表面将第一掺杂类型的掺杂剂粒子注入到本体区中，以及其中注入第一掺杂类型的掺杂粒子包括倾斜注入。
抗闩锁晶体管

[实用新型]超结器件-CN201420180475.9有效
发明人： W.凯因德尔;A.维尔梅罗特 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2014-04-15 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及具有变化深度的补偿区域与无源极区的组合的超结器件。一种超结器件包括：半导体主体，其具有第一表面；第一导电类型的内区，其部署在半导体主体中，并且毗连半导体主体的第一表面；漏极区，其毗连内区；第二导电类型的基区，其部署在半导体主体中并且毗连半导体主体的第一表面；包括多个单元的单元阵列：其中，在单元阵列的第一组单元的每个单元中，第一导电类型的源极区部署在基区中并且毗连半导体主体的第一表面，其中，在单元阵列的第二组单元的每个单元中，源极区的面积小于单元阵列的第一组单元的每个单元中的源极区的面积；以及第二导电类型的补偿区域，其部署在半导体主体中并且毗连基区，并且具有变化的深度。
器件

[实用新型]半导体器件-CN201320675451.6有效
发明人： W.凯因德尔;F.希尔勒;A.维尔梅罗特 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体器件，其包括：补偿区，其包括p区和n区；位于所述补偿区上的多个晶体管单元，所述多个晶体管单元中的每一个包括源区、体区、栅极和层间电介质；布置在所述层间电介质上的源极金属化层。所述半导体器件还包括：另一n掺杂区，所述另一n掺杂区被提供在两个相邻体区之间的所述n区的顶部上，和源极插塞，所述源极插塞填充穿过所述源区和体区以及所述源极金属化层之间的所述层间电介质形成的接触孔，以便电连接所述源区和体区以及所述源极金属化层。
半导体器件

[实用新型]半导体器件-CN201320675405.6有效
发明人： A.毛德;U.瓦尔;W.凯因德尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，其包括：补偿区，其包括p区和n区；位于所述补偿区上的包括栅电极的多个晶体管单元；一个或多个用于电连接栅电极的互连，其中所述栅电极具有比所述单元的节距的1/2小的宽度。
半导体器件

[实用新型]具有变化深度的补偿区域与窄边缘结构的组合的超结器件-CN201420180035.3有效
发明人： W.凯因德尔;A.维尔梅罗特 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2014-04-15 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及具有变化深度的补偿区域与窄边缘结构的组合的超结器件。一种超结器件包括：半导体主体，其具有第一表面；第一导电类型的内区，其部署在半导体主体中，并且毗连半导体主体的第一表面；漏极区，其毗连内区；边缘区域中的多个同心场限环；以及中央区域中的单元阵列，其包括多个单元；其中，在每个单元中，第二导电类型的基区部署在半导体主体中并且毗连半导体主体的第一表面；第一导电类型的源极区部署在基区中并且毗连半导体主体的第一表面；第二导电类型的补偿区域部署在半导体主体中并且毗连基区；其中，在一部分单元中，补偿区域具有减少的深度。
具有变化深度补偿区域边缘结构组合器件

[实用新型]半导体器件-CN201320675263.3有效
发明人： A.维尔梅罗特;W.凯因德尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：具有第一和第二表面的半导体本体；位于半导体本体的第一表面处的第一导电类型的源区；第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区，分别沿从所述半导体本体的所述第一表面延伸到所述半导体本体的所述第二表面的方向；源区和第一区之间的第二导电类型的体区，其中至少第二区接触体区，第一区和第二区在半导体本体中交替排列；第一导电类型的半导体基础层，其至少一部分在半导体本体中位于第一和第二区下面；位于半导体基础层下面的第一导电类型的漏区。第一导电类型的半导体基础层的位于第一和第二区下面的部分的厚度至少大于第一区的宽度。
半导体器件

[实用新型]半导体器件-CN201320675306.8有效
发明人： A.维尔梅罗特;W.凯因德尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体器件包括：具有第一和第二表面的半导体本体；在第一表面处位于半导体本体中的第一导电类型的源区；在第二表面处位于半导体本体中的第二导电类型的漏区；在源区和漏区之间的第二导电类型的体区；第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区，第一区和第二区均在体区和漏区之间的漂移区中，其中第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区在半导体本体中交替排列，并至少第二区接触体区；第一导电类型的半导体基础层，半导体基础层的至少一部分在由第一区、第二区以及漏区包围的漂移区中。第一导电类型的半导体基础层的所述部分的厚度至少大于第一导电类型的第一区的宽度。该半导体器件还包括在第一表面处的将源区电连接到外部的接触插塞。
半导体器件

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