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[发明专利]半导体结构及半导体结构的制备方法-CN202210819899.4在审
发明人：李晓杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开实施例涉及一种半导体结构及半导体结构的制备方法，半导体结构包括：基底；位于基底上的半导体柱，半导体柱具有沟道区以及位于沟道区相对两侧的掺杂区；字线，字线包覆沟道区的部分半导体柱侧面，并露出沟道区的剩余部分半导体柱侧面；导电层，导电层与露出的沟道区的半导体柱的至少部分侧面电连接，且导电层用于与地端电连接。本公开实施例有利于抑制半导体结构的浮体效应。
半导体结构制备方法

[发明专利]一种改善关断特性的栅控晶闸管器件-CN201710709133.X有效
发明人：任敏;林育赐;苏志恒;谢驰;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明提供一种改善关断特性的栅控晶闸管器件，从下到上依次层叠金属化阳极、第一导电类型半导体衬底、第二导电类型半导体外延层、金属化阴极；还包括第一导电类型半导体阱区、第二导电类型半导体阱区、重掺杂第一导电类型半导体区、栅极结构；仅在所述第二导电类型半导体阱区的一侧具有轻掺杂第一导电类型半导体区，轻掺杂第一导电类型半导体区的下表面与第一导电类型半导体阱区相接触，轻掺杂第一导电类型半导体区的掺杂浓度和宽度满足在多晶硅栅极零偏压时，轻掺杂第一导电类型半导体区被第二导电类型半导体区完全耗尽；本发明提高了栅控晶闸管器件的最大可关断电流，同时有效地防止关断失效，提高栅控晶闸管器件的可靠性。
一种改善特性晶闸管器件

[发明专利]具有边缘终止结构的半导体器件-CN202010304294.2在审
发明人： G.施密特;E.法尔克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该半导体器件包括：半导体本体(100)，具有第一主表面(101)、边缘表面(103)、内部区(110)以及被布置在内部区(110)和边缘表面(103)之间的边缘区(120)；布置在内部区(110)中的第一掺杂类型的第一半导体区(11)和布置在内部区(110)和边缘区(120)中的第二掺杂类型的第二半导体区(21)，其中在第一半导体区(11)和第二半导体区(21)之间形成pn结(12)；以及边缘终止结构(30)。边缘终止结构包括：第一掺杂类型的第三半导体区(31)，其被布置在边缘区(120)中并且邻接第一半导体区(11)，其中第三半导体区(31)的掺杂剂量朝向边缘表面(103)而减小；第二半导体区(21)的邻接第一主表面)以及第三半导体区(31)。边缘终止结构(30)在半导体本体(100)中在横向方向上具有宽度(w30)，以及第三半导体区(31)的在与第一半导体区(11)间隔开边缘终止结构(30)的宽度(w30)的50%的横向位置(x1)处的电有源掺杂剂量至少为
具有边缘终止结构半导体器件

[发明专利]制造光电转换器件的方法-CN200910252645.3有效
发明人：浦贤一郎;福元嘉彦;片冈有三 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2007-07-10 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：光电转换器件包括第一导电类型的第一半导体区；与第一半导体区的一部分一起用作光电转换元件的第二导电类型的第二半导体区；将在光电转换元件中产生的电载流子转移到第二导电类型的第三半导体区的栅电极。而且，该光电转换器件还包括将第二半导体区与同第二半导体区相邻的第二导电类型的第四半导体区电隔离的隔离区。用于将电压施加到栅电极的布线布置在隔离区上。这里，杂质浓度低于第四半导体区的第二导电类型的第五半导体区位于第四半导体区和隔离区之间。
制造光电转换器件方法

[发明专利]光电转换器件和具有光电转换器件的摄像系统-CN200710128400.0有效
发明人：浦贤一郎;福元嘉彦;片冈有三 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2007-07-10 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：光电转换器件和具有光电转换器件的摄像系统，光电转换器件包括第一导电类型的第一半导体区；与第一半导体区的一部分一起用作光电转换元件的第二导电类型的第二半导体区；将在光电转换元件中产生的电载流子转移到第二导电类型的第三半导体区的栅电极而且，该光电转换器件还包括将第二半导体区与同第二半导体区相邻的第二导电类型的第四半导体区电隔离的隔离区。用于将电压施加到栅电极的布线布置在隔离区上。这里，杂质浓度低于第四半导体区的第二导电类型的第五半导体区位于第四半导体区和隔离区之间。
光电转换器件具有摄像系统

[发明专利]半导体装置-CN201810289668.0有效
发明人：权台纯;李正允;池雅凛;闵庚石;成金重 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开一种半导体装置。半导体装置包含衬底、沟道半导体图案、栅极电极、源区/漏区以及气隙。沟道半导体图案竖直地堆叠在衬底上且彼此间隔开。栅极电极跨过沟道半导体图案。源区/漏区位于栅极电极的相对侧边，源区/漏区连接到沟道半导体图案。气隙位于衬底与源区/漏区的底部表面之间，以使得源区/漏区的底部表面不接触衬底。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200710096954.7无效
发明人：久永幸博 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2007-04-19 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L29/38 文献下载
摘要：在传统的半导体器件中，绝缘膜被形成在超级结结构的p型半导体区和n型半导体区之间，由此防止两个区之间的杂质的相互扩散。用于制造具有这样的构造的半导体器件的制造工艺很复杂。本发明的半导体器件包括超级结结构，在该超级结结构中，沿至少一个方向重复布置成对的半导体区，所述成对的半导体区包括p型半导体区和n型半导体区，其中，至少沿所述的方向重复布置Si_1－x－yGe_xC_y(0≤x＜1，0＜y＜1，0＜1－x－y＜1)晶体区，形成所述p型半导体区或者所述n型半导体区的Si晶体区布置在一对所述Si_1－x－yGe_xC_y晶体区之间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]阵列基板-CN202110501485.2有效
发明人：汤富雄;龚帆;艾飞;宋继越 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板，该阵列基板包括一半导体层，该半导体层定义有有源区和感光区，该有源区包括沟道区，该感光区包括P型半导体区、N型半导体区以及设置于所述P型半导体区与所述N型半导体区之间的I型半导体区该阵列基板将PIN光电二极管和有源区集成于同一半导体层上以达到降低生产成本、提高显示面板电子元器件集成度的目的，并在与I型半导体区相对应的位置处引入栅极电流以达到提高感光灵敏度的目的。
阵列

[发明专利]半导体结构与芯片-CN200710138305.9有效
发明人：余振华;叶震南;傅竹韵;许育荣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-07-27 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构与芯片，该半导体结构包括：第一与第二半导体条，从半导体衬底的上表面延伸进入半导体衬底；第一与第二绝缘区，位于半导体衬底中且围绕着第一与第二半导体条的底部，第一绝缘区的上表面低于第一半导体条的上表面、第二半导体条的高度高于第一半导体条、第二绝缘区的上表面低于第一绝缘区的上表面，且第一与第二绝缘区的厚度实质上相同。该芯片包括：第一与第二半导体条，位于半导体衬底中，它们的上表面与半导体衬底的上表面齐平；第一与第二绝缘区，包围第一与第二半导体条的底部，第二绝缘区自衬底上表面凹陷的深度比第一绝缘区凹陷的深度深。本发明可定制半导体鳍状物的鳍状物高度。
半导体结构芯片

[发明专利]一种集成电路、其制备方法及电子设备-CN202210099588.5在审
发明人：袁俊;杨莉;雷翔;江先鑫;胡志强 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：其中，该集成电路包括PN结结构，PN结结构包括沿第一方向相邻设置的第一P型半导体区和第一N型半导体区；第一P型半导体区和第一N型半导体区的接触界面相对参考平面向第一P型半导体区远离第一N型半导体区一侧倾斜；或者，第一P型半导体区和第一N型半导体区的接触界面相对参考平面向第一N型半导体区远离第一P型半导体区一侧倾斜；参考平面与第一方向垂直。由于当PN结结构中N区和P区的接触界面相对参考平面呈倾斜状，这样相比传统的横向PN结结构，可以在不改变PN结结构整体积的基础上增加第一N型半导体区和第一P型半导体区的接触界面的面积，从而增大PN结耗尽区的范围
一种集成电路制备方法电子设备

[发明专利]包括多－沟道鳍形场效应晶体管的半导体器件及其制造方法-CN200510081046.1有效
发明人：金成玟;张世明;朴东健;吴容哲;尹恩贞;金根楠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-06-28 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在半导体器件及其制造方法中，半导体器件包括具有单元阵列区和外围电路区的半导体衬底，单元区和外围电路区中的部分半导体包括限定有源区的隔离区，部分有源区在隔离区的上表面上突出，以限定至少两个有源沟道，形成在包括至少两个突出的有源沟道的半导体衬底的有源区上的栅介质层，形成在栅介质层和半导体衬底的隔离区上的栅电极，以及形成在栅电极的任一侧边上的半导体衬底的有源区中的源区/漏区。
包括沟道场效应晶体管半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201880098998.X在审
发明人：藤田直人 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体装置具备：第二导电型的埋设区(20)，其被埋入于第一导电型的半导体衬底(10)的上表面的一部分；第二导电型的第一半导体区(30)，其覆盖埋设区(20)而配置于半导体衬底(10)的上方，并且杂质浓度比埋设区(20)低；第一导电型的连接区(40)，其在配置有第一半导体区(30)的区域的剩余区域处被埋入于半导体衬底(10)的上表面的一部分，并且侧面与作为第一半导体区(30)的下部的一部分的延伸区(31)连接；以及第一导电型的第二半导体区(50)，其配置于连接区(40)的上表面，并且侧面与第一半导体区(30)连接。第一半导体区(30)的延伸区(31)在第二半导体区(50)的端部的下方延伸而与连接区(40)的侧面相接。
半导体装置

[发明专利]制造半导体器件的方法以及利用该方法制造的产品-CN200710193701.1有效
发明人：林哲也;星正胜;田中秀明;山上滋春 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2007-11-22 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种制造半导体器件的方法以及利用该方法制造的产品。该半导体器件包括：半导体衬底；异质半导体区，其与半导体衬底异质邻接；栅极绝缘层，其接触半导体衬底和异质半导体区的异质结；栅电极，其形成在栅极绝缘层上；电场缓和区，其与接触栅极绝缘层的异质结的异质结驱动端间隔开预定距离，并且接触半导体衬底和栅极绝缘层；源电极，其接触异质半导体区；以及漏电极，其接触半导体衬底。在异质半导体区形成掩模层，并且通过至少使用部分第一掩模层来形成电场缓和区和异质结驱动端。
制造半导体器件方法以及利用产品

[发明专利]混合半导体衬底-CN98108451.6有效
发明人：马克·A·亚索;加克·A·曼德曼;威廉·R·通地;马修·R·沃德曼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1998-05-15 - 公布日： 2003-10-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种混合半导体衬底，它包含：带有平整表面的单晶半导体本体区；平整表面上绝缘区上的半导体；平整表面上的单晶半导体外延层；只制作在绝缘区上的半导体第一周边部位处的将绝缘区上的半导体连接于所述单晶半导体本体区的导电间隔，该间隔的电阻率比其所接触的任何半导体区的电阻率低。导电间隔将绝缘体上的半导体电连接到地以克服浮置体效应。在导电间隔的表面上可制作绝缘间隔以便使绝缘体上的半导体电隔离于本体区。
混合半导体衬底

[发明专利]先进的CPV太阳能电池组件处理-CN201480030798.2有效
发明人：塞西尔·奥尔内特;R·克劳斯;F·迪姆罗特;埃里克·圭奥特;E·马扎莱拉;C·德拉泽克 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池组件结构(222)，所述太阳能电池组件结构用于支撑聚光光伏电池结构(3420)，并且包括半导体结构和二极管，其中，半导体结构包括第一半导体区(2800)，所述第一半导体区的至少一部分用于放置聚光光伏电池结构；以及第二半导体区(2200)，所述第二半导体区用于在第二半导体区内或第二半导体区上实现二极管，并且其中，第一半导体区的用于放置聚光光伏电池结构的部分与第二半导体区不垂直交叠。
先进 cpv 太阳能电池组件处理