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[实用新型]影响边界层的表面部件-CN200820179797.6无效
发明人：井山 -专利权人：井山
申请日： 2008-12-08 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： F15D1/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种与流动流体接触的表面部件。沙漠表面被风吹出细小的波纹，称为沙波纹。这种沙波纹能够在风中较稳定地保持，说明它具有最小的表面风阻，或者说沙波纹的形状具有最小的流体摩擦力。受此启发，把飞机或船体的表面做成沙波纹状，可以减小它们的表面摩擦阻力。这种沙波纹状的表面部件可以用于一切与流动流体接触的物体表面，包括管道内壁，可以减少因流体摩擦力产生的能耗。
影响边界层表面部件

[发明专利]一种消除介质层针孔缺陷影响的方法-CN201711193289.3在审
发明人：刘骅锋;涂良成;宋萧萧;王秋;饶康;渠自强;伍文杰;刘金全;范继 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明属于微纳加工制造领域，更具体地，涉及一种消除介质层针孔缺陷影响的方法。本发明介质层位于第一金属层与第二金属层之间，其为第一金属层与第二金属层之间的电气绝缘层，通过在沉积第二金属层之前，将第一金属层连同表面沉积的介质层进行湿法刻蚀，刻蚀液通过介质层中的针孔缺陷进入第一金属层表面，发生第一金属层的各向同性刻蚀，使得第一金属层形成无金属区域，无金属区域的横向尺寸大于针孔缺陷的横向尺寸，纵向尺寸等于第一金属层的厚度，这样再沉积上层金属即第二金属层时就不会在两金属层之间形成导通，由此解决现有技术的介质层薄膜IMD中普遍存在的针孔缺陷带来的金属层间短路引起的良品率下降的技术问题。
一种消除介质针孔缺陷影响方法

[发明专利]浇筑层厚度对浇筑块散热影响的评估方法-CN202110452977.7有效
发明人：刘毅;郭绪元;曾新华;周永;鄢江平;李俊;魏宝龙;徐林;杨田;徐建军;殷亮;魏海宁;黄熠辉;张磊;王振红;李海枫;朱振泱 -专利权人：中国水利水电科学研究院;雅砻江流域水电开发有限公司;中国电建集团华东勘测设计研究院有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种浇筑层厚度对浇筑块散热影响的评估方法，即求解坝块内部温度达到峰值时仓面散热比例小于10％且浇筑层厚度小于预设的浇筑层厚度时imgContent="drawing" imgFormat="JPEG" orientation="portrait" inline="yes" />大于10％时，应对坝体进行全过程仿真分析，确定浇筑层厚度影响性本发明为大体积混凝土温控防裂提供可靠的参考，在实际工程中具有重要影响。
浇筑厚度散热影响评估方法

[实用新型]不受栅氧化层厚度影响的分裂栅MOSFET结构-CN202020707212.4有效
发明人：苏亚兵;赵志方;何鑫鑫;徐亚静 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种不受栅氧化层厚度影响的分裂栅MOSFET结构，将栅间隔离介质的热氧化生长和栅氧化层的热生长分开进行，使得栅间隔离介质厚度不受栅氧厚度的影响，同时避免了常规热生长方法生产栅间隔离介质缺陷导致栅源漏电及栅源电容大等诸多问题栅极氧化厚度不影响栅间隔离介质的厚度和质量，可根据器件参数要求自由选择栅氧化层厚度，解决了栅源漏电问题并且降低了栅源电容，增强了器件的开关速度，极大的提升了MOSFET高频开关电源领域的适用性。
不受氧化厚度影响分裂 mosfet 结构

[发明专利]用于钛铝材料的防环境影响的保护层(环境阻挡层)-CN202180032711.5在审
发明人：本诺·维德里格;奥利弗·雅里;贝恩哈德·科尔豪泽;尤尔根·拉姆 -专利权人：欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于保护含有钛铝材料的基材的表面涂层，其优选含有来自表1的材料中的一种或多种，其中，该涂层包含具有至少一个层的层序，该层针对钛形成扩散阻挡，最好对应于在表1的行中给出的层序中的一个或多个，
用于材料环境影响保护层阻挡

[发明专利]研究焦炭沉积对储层物性影响的装置及方法-CN202110366693.6在审
发明人：李一波;贾鹤飞;骆晨;蒲万芬;廖广志 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G01N15/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种研究焦炭沉积对储层物性影响的装置及方法，该装置包括用于对成焦前后岩心进行渗透率、孔隙度分布进行检测的测量系统，用于对岩心进行饱和油的饱和系统，用于使岩心成焦的焦化系统，焦化系统包括氧化成焦罐和高温热解成焦罐通过测量岩心成焦前后的渗透率、孔隙度分布等岩心物性参数的改变，从微观和宏观的双重角度对其进行研究，得出不同成焦方式、岩心初始渗透率大小以及岩心组成对成焦后岩心物性参数的影响。
研究焦炭沉积物性影响装置方法

[发明专利]层理对水力裂缝穿层行为的影响规律研究方法-CN202111146092.0有效
发明人：郑永香;黄刘科;王伟;袁维;尹超;牛庆合;陈顺满;常江芳 -专利权人：石家庄铁道大学
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： E21B43/26 文献下载
摘要：本发明涉及水力压裂技术领域，涉及一种层理对水力裂缝穿层行为的影响规律研究方法，其包括以下步骤：一、验证块体离散元在水力压裂中实施的可行性；二、对不同压裂液粘度和注液速率下的水力裂缝穿层行为进行模拟；三、结合控制机制分析压裂液粘度和注液速率对水力裂缝穿层行为的影响规律，分析水力裂缝穿层的力学机理；四、基于不同的控制机制，建立了同时考虑压裂液粘度和注液速率的水力裂缝穿层行为的综合评价标准。
层理水力裂缝行为影响规律研究方法

[发明专利]一种消除影响栅极氧化层厚度的方法及装置-CN201510663203.3在审
发明人：郎玉红;祁鹏;王智;苏俊铭 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造设备领域，尤其涉及一种消除影响栅极氧化层厚度的方法及装置。方法包括：机台作业对栅极氧化层厚度有影响的制成；禁掉对栅极氧化层厚度有影响的制成；触发湿氧的制成。本发明的装置包括：炉体；影响气体进气口，设置于炉体的下方，通入对栅极氧化层厚度有影响的气体；湿氧进气口，设置于炉体的下方，通入湿氧以去除对栅极氧化层厚度有影响的气体；排气口，设置于炉体的上方，排出炉体内的制成产生的气体
一种消除影响栅极氧化厚度方法装置

[发明专利]判别岩石组分对致密砂岩储层物性影响程度的方法-CN202110916750.3在审
发明人：刘闯;黄建军;杨鹏程;王琳;余学兵;金璨;续鹏 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中石化石油工程技术服务有限公司;中石化海洋石油工程有限公司上海规划设计研究院
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G01V9/00 文献下载
摘要：本申请提供一种判别岩石组分对致密砂岩储层物性影响程度的方法。并确定出该待检区块内致密砂岩的岩石组分种类，记为m种；获取每个致密砂岩样品的孔隙度Φ，并构建致密砂岩孔隙度分级模型；建立物性分级下各岩石组分的物理模型；利用灰色关联法计算各岩石组分与孔隙度的关联度；根据关联度判定各岩石组分对致密砂岩储层物性的影响程度同时利用灰色关联法定量探究致密砂岩储层中不同岩石组分对物性的影响程度。该方法相较于现有致密砂岩储层所涉及的线性相关等方法，具有误差小、可信度高的优点。
判别岩石组分致密砂岩物性影响程度方法

[发明专利]一种去残余油影响的储层识别方法-CN202210311405.1在审
发明人：杨超超;段朝伟;周金昱;张颜伊;胡琮;甘宁;吴有彬;周研;单沙沙;郑秋实 -专利权人：中国石油天然气集团有限公司;中国石油集团测井有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01V11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种去残余油影响的储层识别方法，属于储层评价领域。经新井测试，测井解释符合率明显提高，本发明能够快速有效的识别因残余油影响的高阻水层，解决了测井解释评价难点，满足生产需求。
一种残余影响识别方法

[发明专利]一种母岩对储层物性影响的评估方法-CN201910310302.1有效
发明人：曲希玉;曹英权;王冠民;王清斌;陈思芮;张洋晨;高山 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：一种母岩对储层物性影响的评估方法，包括以下步骤：1)根据目标储层的岩石类型分布，选取有代表性的岩石样品，切割成块状；2)将岩石样品放入反应釜内的吊篮中，加入酸液，密封；3)程序升温到目标温度和压力下，恒温恒压下反应该方法为母岩对储层物性的影响分析提供了一种新思路，利用研究区岩屑类型及含量等资料，结合实际温压条件，可为优质储层的勘探打下基础。
一种物性影响评估方法

[发明专利]复杂机理协同影响下页岩储层渗透率动态预测方法-CN202010130344.X有效
发明人：湛杰;张颖;郑自刚 -专利权人：西安石油大学
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G01N15/08 文献下载
摘要：本发明公开复杂机理协同影响下页岩储层渗透率动态预测方法，将页岩储层孔隙截面为非圆形孔隙校正为圆形孔隙；利用孔隙等效直径将孔隙尺寸演化进行定量表征；基于分形粗化理论确定孔隙尺寸分形因子；根据孔隙尺寸分形因子本发明能够定量表征页岩储层因复杂多尺度孔隙、储集方式、应力敏感等特性对渗流的影响，实现页岩储层渗透率的有效动态预测。
复杂机理协同影响页岩渗透动态预测方法

[发明专利]模拟出砂对储层产能影响规律的试验装置-CN201110044679.0无效
发明人：张凤久;邓金根;曾祥林;王利华;曹砚锋;蔚宝华;房茂军;梁丹;齐桃 -专利权人：中国海洋石油总公司;中海石油研究中心;中国石油大学（北京）
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： E21B49/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种模拟出砂对储层产能影响规律的试验装置。所述装置包括依次串连的储液罐、至少一组出砂试验单元和油砂分离装置；所述油砂分离装置的出口与所述储液罐的入口相连通；每组所述出砂试验单元包括依次串连的高压柱塞泵、液体流量计、储层模拟装置和防砂管；所述储液罐的出口均与所述高压柱塞泵的入口相连；所述防砂管的出口与所述油砂分离装置的入口相连；所述储层模拟装置包括储层模拟筒和设于所述储层模拟筒的腔体内的地层砂，所述储层模拟筒沿其轴向方向的筒体上设有至少一个压力传感器b；所述储层模拟筒的入口端和所述防砂管的出口端均设有压力传感器
模拟产能影响规律试验装置

[发明专利]基于太阳电池性能影响评估的发射层和缓冲层缺陷态密度检测方法-CN201110212576.0有效
发明人：沈文忠;华夏;李正平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种太阳电池制造技术领域的基于太阳电池性能影响评估的发射层和缓冲层缺陷态密度检测方法，根据非晶硅内态密度分布的原始数据建立非晶硅层中的缺陷态分布模型用于计算陷入缺陷态中的电荷，得到修正泊松方程并进一步求出空间电荷区和内建电场的变化，实现基于缺陷态密度对HIT电池性能的影响评估，从而求得最优化的缺陷态密度，用于设置工艺生产中的钝化与清洗操作。
基于太阳电池性能影响评估发射缓冲缺陷密度检测方法

[发明专利]影响分析-CN201580072270.6有效
发明人：乔尔·古尔德;斯科特·斯图德尔 -专利权人：起元技术有限责任公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G06F16/2458 文献下载
摘要：本发明提供了方法、系统和设备，所述设备包括编码在计算机存储介质上以供影响分析的计算机程序。
影响分析

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