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[实用新型]软恢复功率半导体二极管-CN201821019881.1有效
发明人：许海东 -专利权人：北京世港晟华科技有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种软恢复功率半导体二极管，该二极管包括：有源区和终端区；所述有源区包括：第一半导体层、第二半导体层、第一半导体区、第一电极。其中，第一半导体层，具有第一导电类型，且形成于漂移层的第一区；第二半导体层，具有第二导电类型，形成于所述漂移层的第一区；第一半导体区，具有所述第二导电类型，且穿设形成于所述第一半导体层和所述第二半导体层；所述第一半导体区中的掺杂电荷的浓度与所述第一半导体层中掺杂电荷的浓度相近。
半导体层二极管半导体区半导体二极管本实用新型导电类型电荷第一区漂移层源区掺杂第一导电类型正向导通压降恢复第一电极击穿电压终端区穿设减小保证

[发明专利]具有高度结构可靠性和低寄生电容的半导体器件-CN03142566.6无效
发明人：田上知纪;望月和浩;山田宏治 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2003-06-10 - 公布日： 2004-02-11 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：提供一种具有高度结构可靠性和低寄生电容的半导体器件。在一个实施例中，半导体器件具有表面。该半导体器件包括半导体区，其中，从靠近半导体区的衬底的一侧层叠有发射极区、基极区和集电极区；配置在所述表面上的绝缘保护层；和配置在所述表面上的布线层，绝缘保护层从半导体区的衬底一侧形成通孔，形成的通孔可使布线层从衬底一侧构成与发射极区的电极的接触，发射极区、基极区和集电极区层叠于衬底之中，半导体区被隔离于此。
具有高度结构可靠性寄生电容半导体器件

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710963604.X有效
发明人：曾祥仁;杨荣展;范妮婉;胡运祥;卢麒友;张玮玲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明实施例提供半导体结构及形成半导体结构的方法。第一有源半导体区安置于所述半导体结构的第一垂直水平面中。第二有源半导体区安置于所述第一垂直水平面中，其中所述第二有源半导体区与所述第一有源半导体区在第一方向上间隔开一距离。第一导电结构安置于与所述第一垂直水平面相邻的第二垂直水平面中。所述第一导电结构沿所述第一方向延伸且将所述第一有源半导体区电耦接至所述第二有源半导体区。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]集成电路制造方法-CN98108723.X无效
发明人：沈华 -专利权人：西门子公司
申请日： 1998-06-01 - 公布日： 1998-12-16 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种制造半导体基底中电容器的方法包括半导体部分表面形成沟道。沟道有侧壁和底。半导体表面淀积掺杂膜。掺杂膜部分淀积在沟道侧壁和底上。加热半导体和掺杂膜使其间为液相界面区,使掺杂膜中杂质扩散进半导体一个区内。冷却界面区使其回到固相。从半导体上去掉掺杂膜和界面区,留下半导体中的掺杂区。半导体的掺杂区上淀积介质膜。介质膜上淀积掺杂材料,掺杂材料和半导体中的掺杂区形成电容器电极,介质膜形成电容器介质。
集成电路制造方法

[发明专利]降低半导体器件闩锁效应的绝缘结构及其制备方法-CN202211360669.2在审
发明人：汤钰;叶甜春;陈少民;李彬鸿;苏炳熏 -专利权人：锐立平芯微电子（广州）有限责任公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低半导体器件闩锁效应的绝缘结构及其制备方法，其可增强同一芯片中不同半导体器件之间的绝缘效果，降低闩锁效应，确保不同半导体器件工作的稳定性，将该结构应用于芯片中，芯片包括基板、分布于基板的至少两个半导体器件，半导体器件均包括井区或扩散区、分布于井区或扩散区的介电区，介电区均包括栅极区、分布于栅极区两侧的源漏极区，相邻半导体器件的电压不同，相邻半导体器件之间通过绝缘层分隔：绝缘层设置于两个相邻半导体器件的井区或扩散区之间，且两个相邻半导体器件的井区或扩散区分别位于绝缘层的上表面、下表面，绝缘结构制备方法包括：提供一基板，在基板上依次制备第一井区、绝缘层、第二井区，在第一井区、第二井区分别制备栅极区、源漏极区。
降低半导体器件效应绝缘结构及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201110316302.6有效
发明人：陈立凡;陈永初 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括第一掺杂区与半导体区；第一掺杂区具有第一导电型；半导体区位于第一掺杂区中；源极电极与漏极电极被分别电性连接至第一掺杂区位于半导体区的相对侧边上的部分。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810092559.6有效
发明人：铃木贵人;藤原博之 -专利权人：日本冲信息株式会社
申请日： 2004-09-10 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括衬底和接合到衬底的半导体薄膜，其中半导体薄膜包括多个分立工作区和隔离多个分立工作区的元件隔离区，且将元件隔离区蚀刻到比半导体薄膜的厚度更浅的深度，并且是比多个分立工作区更薄的区域。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010267053.5在审
发明人：蔡巧明;魏兰英 -专利权人：中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的半导体衬底顶面低于所述第二区域的半导体衬底顶面；栅介质层，分别位于所述第一区域和第二区域的半导体衬底表面，且第一区域栅介质层厚度大于第二区域栅介质层的厚度；金属栅，分别位于所述第一区域以及第二区域栅介质层表面；层间介质层，位于所述半导体衬底的第一区域和第二区域上且覆盖栅介质层和金属栅的侧壁。所述半导体结构及其制作方法克服了中压器件区域以及低压器件区域的半导体器件由于栅长以及栅介质层厚度差异产生的缺陷。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种有源区形成方法以及半导体结构-CN202111274807.0在审
发明人：黄鑫;吴家伟 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种有源区形成方法以及半导体结构，通过提供半导体衬底，该半导体衬底包括沟槽以及由沟槽隔离出的至少一个呈长岛型或棒型的预备有源区；在与半导体衬底设置有预备有源区的一侧表面呈锐角的方向对预备有源区进行离子掺杂；在预备有源区的侧壁上沉积半导体层，以形成有源区。该方法通过在在与半导体衬底设置有预备有源区的一侧表面呈锐角的方向对预备有源区进行离子掺杂并另外沉积半导体层，有利于扩大有源区，从而能够增加有源区与其他导电结构的接触面积，提高半导体器件的性能。
一种有源形成方法以及半导体结构

[发明专利]倒装发光二极管及其制作方法-CN201210314573.2有效
发明人：曾晓强;陈顺平;潘群峰;黄少华 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装发光二极管及其制作方法，其结构包括：基板，其上分布有P、N型焊盘电极；发光外延层倒装形成于所述基板上，其自上而下包括n型半导体层、有源层、p型半导体层，其中n型半导体层划分为发光区、隔离区和电极区，其中发光区和电极区通过所述隔离区实现电性隔离；有源层和p型半导体层位于发光区下方，所述p型半导体层与p型焊盘电极连接，所述n型半导体层的电极区与N型焊盘电极连接；导电连接部，位于所述n型半导体层上，连接所述n型半导体层的电极区和发光区，当接通外部电源时，实现电流垂直注入发光外延层。
倒装发光二极管及其制作方法

[发明专利]半导体装置-CN201980050332.1在审
发明人：小幡智幸;吉田崇一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体装置期望耐量高。提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；有源部，设置于半导体基板；第一阱区和第二阱区，设置于半导体基板，并配置为在俯视时夹着有源部；周边阱区，设置于半导体基板，并配置为在俯视时包围有源部；中间阱区，设置于半导体基板，并在俯视时配置在第一阱区和第二阱区之间；第一焊盘，配置在第一阱区的上方；第二焊盘，配置在第二阱区的上方；以及温度感测二极管，配置在中间阱区的上方。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202180006775.8在审
发明人：横山浩大;安喰彻;白川彻 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具备半导体基板，该半导体基板具有晶体管部和二极管部，半导体基板具有设置于内部的第一导电型的漂移区，晶体管部具有：晶体管区，其在俯视半导体基板时与二极管部分离；以及边界区，其在俯视半导体基板时位于晶体管区与二极管部之间，并且在漂移区中，在半导体基板的正面侧具有寿命控制区，边界区具有电流抑制结构。
半导体装置

[发明专利]半导体鳍上的反熔丝-CN201210058939.4有效
发明人：杨筱岚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种器件包括：衬底；隔离区，位于衬底的表面处；以及半导体区，位于隔离区的顶面上方。导电部件被设置在隔离区的顶面上方，其中，导电部件邻近半导体区。介电材料设置在导电部件和半导体区之间。介电材料、导电部件、以及半导体区形成反熔丝。本发明还提供了半导体鳍上的反熔丝。
半导体反熔丝

[发明专利]半导体装置-CN201510497228.0有效
发明人：高永权;金兑炯;金知晃;徐善京;赵泰济 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：提供了半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体基板，第一划片线区和第一芯片区限定在第一半导体基板中；第一对准记号，位于第一半导体基板内部并且位于第一划片线区中，以与第一半导体基板的上侧分隔开；第二半导体基板，位于第一半导体基板上，第二划片线区和第二芯片区限定在第二半导体基板中；第二对准记号，位于第二半导体基板内部并且位于第二划片线区中，以与第二半导体基板的上侧分隔开，其中，第二半导体基板位于第一半导体基板上
半导体装置

[发明专利]纳米线晶体管及其制作方法-CN201810509202.7有效
发明人：许峰;高滨;李辛毅;吴华强;钱鹤 -专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种纳米线晶体管及其制作方法，该纳米线晶体管包括：半导体线、半导体层、源极和漏极。半导体线包括第一半导体材料并且包括源区、漏区和沟道区，沿所述半导体线的轴向方向，所述沟道区位于所述源区和所述漏区之间；半导体层包括第二半导体材料并且包覆所述半导体线的沟道区；所述源极位于所述半导体线的源区内并与所述半导体线的源区直接接触，所述漏极位于所述半导体线的漏区内并与所述半导体线的漏区直接接触。在该纳米线晶体管中，由于源极和漏极与半导体线直接接触，栅极电场对沟道的控制作用得到加强，从而避免或减小栅致漏极泄漏电流，有利于提高纳米线晶体管的开关态电流比。
纳米晶体管及其制作方法