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[发明专利]半导体本体-CN201780065975.4有效
发明人：马库斯·恩希费尔德;亚历山大·沃尔特 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：提出一种半导体本体(10)，所述半导体本体具有：‑n型掺杂的区域(20)，‑有源区域(60)，和‑p型掺杂的区域(70)，其中‑有源区域(60)设置在n型掺杂的区域(20)和p型掺杂的区域(70)之间，
半导体本体

[发明专利]半导体本体-CN201880015306.0有效
发明人：约阿希姆·赫特功;马库斯·恩希费尔德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：提出一种半导体本体(10)，所述半导体本体具有：‑p型掺杂区域(20)，‑有源区域(30)，‑中间层(40)，和‑层堆(41)，所述层堆包含铟，其中层堆(41)中的铟浓度沿着堆叠方向(z)改变，并且层堆(41)除了掺杂材料以外借助刚好一种氮化物化合物半导体材料形成，其中‑中间层(40)名义上不具有铟，设置在层堆(41)和有源层(30)之间并且直接邻接于层堆(41)，‑中间层(40)和/或层堆(41)是至少局部
半导体本体

[发明专利]半导体本体和制造半导体本体的方法-CN200980109056.8有效
发明人：马丁·斯特拉斯伯格;汉斯-尤尔根·卢高尔;文森特·格罗利尔;贝特侯德·哈恩;理查德·弗洛特尔 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2009-05-28 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有n型半导体层(21)和p型半导体层(22)的半导体本体(2)。p型半导体层(22)包含p型杂质并且n型半导体层(21)包含n型杂质和其他杂质。此外，还公开了一种用于制造半导体本体的方法。
半导体本体制造方法

[发明专利]半导体本体和用于制造半导体本体的方法-CN201880042056.X有效
发明人：因格里德·科斯洛夫;马西莫·德拉戈;约阿希姆·赫特功;亚历山大·弗里 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体本体(1)，所述半导体本体包括III‑V族化合物半导体材料，所述半导体本体具有掺杂有p型掺杂材料的p型传导区域(10)，其中p型传导区域(10)包括至少一个第一部段(101)、第二部段
半导体本体用于制造方法

[发明专利]LED半导体本体和LED半导体本体的应用-CN200680050021.8有效
发明人： R·温迪什;G·格罗宁格;P·海德伯恩;C·琼;W·格莱特 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2006-12-13 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：描述了一种LED半导体本体，具有产生射线的第一活跃层和产生射线的第二活跃层，其中第一活跃层和第二活跃层在垂直方向上重叠地设置。
led 半导体本体应用

[发明专利]光电半导体本体-CN200880106173.4有效
发明人：帕特里克·罗德;卡尔·恩格尔;马丁·斯特拉斯伯格;卢茨·赫佩尔;马蒂亚斯·扎巴蒂尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2008-08-27 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种光电半导体本体(10)包括：具有用于发射电磁辐射(S)的正面(12)的衬底(11)。光电半导体本体(10)具有半导体层序列(14)，所述半导体层序列(14)布置在衬底(11)的背面(13)上并且包括适于产生电磁辐射(S)的有源层(19)。光电半导体本体(10)还包括：布置在背向衬底(11)的半导体层序列(14)的第一表面(17)上的第一和第二电连接层(15，16)。
光电半导体本体

[发明专利]LED半导体本体-CN200780028579.0无效
发明人： G·格罗宁格;C·琼;P·海德博恩;A·贝雷斯 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2007-07-27 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提出了一种具有半导体层序列的LED半导体本体，该半导体层序列包括用于产生辐射而设计的量子结构，该量子结构带有至少一个量子层和至少一个势垒层，其中量子层和势垒层以彼此相反的符号而应变。
led 半导体本体

[发明专利]包括半导体本体的二极管-CN201910455223.X在审
发明人： B·科尼尔;P·斯托贝尔 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及包括半导体本体的二极管，半导体本体具有第一和第二半导体本体主侧面，半导体本体具有：第一半导体区；第二半导体区，其在半导体本体的内部区域中布置在第一半导体区上且不延伸远至半导体本体的半导体本体边缘；第三半导体区，其布置在第二半导体区上且具有比第二半导体区更高的掺杂浓度；第四半导体区，其在半导体本体边缘区域中布置在第一半导体区上且从第二半导体区在朝向半导体本体边缘的方向上延伸远至半导体本体边缘。半导体本体具有从形成第二半导体本体主侧表面区域的第三半导体区的平面外表面开始并且到达远至半导体本体边缘的切口，其沿着半导体本体边缘延伸，第二、第三和第四半导体区具有界定切口的相应的外部界面。
半导体本体半导体区平面外表面边缘区域边缘延伸内部区域主侧表面二极管主侧面界定延伸掺杂外部

[发明专利]具有半导体本体的晶闸管-CN201711351368.2有效
发明人：伯恩哈德·柯尼希;保罗·施特罗贝尔 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有半导体本体的晶闸管，晶闸管具有第一半导体本体主侧、第二半导体本体主侧及围绕半导体本体并连接第一和第二半导体本体主侧的半导体本体边缘，半导体本体具有：第一半导体区，第一半导体区在半导体本体边缘区域中延伸直到第二半导体本体主侧，第一半导体区的第二外表面形成半导体本体边缘，第一半导体区的邻接半导体本体边缘的第三外表面形成第二半导体本体主侧的第一表面区域；布置在第一半导体区上并且不延伸到半导体本体边缘的第二半导体区；布置在第二半导体区上的第三半导体区和布置在第三半导体区中的第四半导体区；从第二半导体本体主侧的第一表面出现且平行于半导体本体边缘伸展并到达第二半导体区的凹部。
具有半导体本体晶闸管

[发明专利]晶闸管和用于制造晶闸管的方法-CN201711347764.8在审
发明人：伯恩哈德·柯尼希;保罗·施特罗贝尔 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：该晶闸管具有半导体本体，半导体本体具有第一导体类型的第一半导体区，半导体本体具有第二导体类型且与第一半导体区的内侧接触并延伸到半导体本体边缘的第二半导体区，半导体本体具有在第二半导体区上布置的第一导体类型的第三半导体区和在第三半导体区中布置的第二导体类型的第四半导体区，半导体本体具有第二导体类型且被布置在半导体本体的边缘区中的第二半导体区上的第五半导体区，第五半导体区的第一外表面构成第二半导体本体主侧的区，第五半导体区与半导体本体边缘平行布置，半导体本体包含第一凹槽，其源自第二半导体本体主侧的第一表面，平行于半导体本体边缘伸展并延伸到第二半导体区。
半导体本体半导体区导体类型晶闸管第一表面平行布置边缘区延伸平行伸展制造

[发明专利]具有半导体本体的晶闸管-CN201811509621.7在审
发明人：保罗·施特罗贝尔 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有半导体本体的晶闸管，半导体本体具有第一传导类型的第一半导体区、布置在第一半导体区上的第二传导类型的第二半导体区、布置在第二半导体区上的第一传导类型的第三半导体区和布置在第三半导体区中的第二传导类型的第四半导体区，第四半导体区与半导体本体的半导体本体边缘间隔开布置并且具有第一面，第一面构造出半导体本体的第二半导体本体主侧的第一区域，第三半导体区具有穿过第四半导体区伸展直至第二半导体本体主侧的引脚，晶闸管包括布置在第四半导体区和引脚上的并且具有与第四半导体区和引脚的导电接触部的第一金属化部，第四半导体区沿垂直于第一面的法向方向的方向朝向半导体本体边缘的方向伸展超出第一金属化部。
半导体区半导体本体传导类型晶闸管引脚金属化部伸展导电接触部边缘间隔第一区域面构造法向垂直穿过

[发明专利]用于制造光电子半导体组件的方法和光电子半导体组件-CN201180037589.7有效
发明人：西格弗里德·赫尔曼 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提出一种用于制造光电子半导体组件的方法，其具有下述步骤：将具有pn结（104）的半导体层堆叠（101）设置在衬底（100）上，将半导体层堆叠（101）横向地结构化成第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）的多个对，所述第一半导体本体和第二半导体本体在横向方向上彼此间隔，从第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）的对中移除衬底（100），将第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）的至少一对施加到连接载体（3）上，所述连接载体具有电连接部位（4）和/或至少一条带状导线（5），借助于连接部位（3）和/或至少一条带状导线（4）将第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）对的半导体本体（1）电连接成，使得第一半导体本体（1）的pn结（104）与第二半导体本体（2）的pn结（104）反并联。
用于制造光电子半导体组件方法

[发明专利]半导体壳体和制造半导体壳体的方法-CN201210065544.7有效
发明人： T·科莱特;C·朱斯;P·斯顿夫 -专利权人：迈克纳斯公司
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：半导体壳体和制造半导体壳体的方法，该半导体壳体具有：金属载体、设置在金属载体上的半导体本体和塑料物，半导体本体具有上侧面和下侧面，该下侧面与金属载体力锁合地连接，半导体本体在上侧面具有金属面，金属面为了半导体本体的电接通而借助键合线与引脚连接，塑料物完全包围键合线并且部分地包围半导体本体的上侧面及引脚，塑料物在半导体本体的上侧具有开口，框架形的或环形的墙在半导体本体的上侧构成，该墙具有顶面和与半导体本体的边缘间隔开的底面，该墙的内部净尺寸确定半导体本体上侧的开口的大小，在半导体本体的上侧面的法向方向上，塑料物在开口之外的区域中比墙具有更大的高度，在墙的底面与半导体本体的上侧面之间构成一固定层。
半导体壳体制造方法

[发明专利]光电半导体本体以及用于制造光电半导体本体的方法-CN200980105918.X有效
发明人： S·布吕宁霍夫;C·艾歇勒 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2009-02-11 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种光电半导体本体包括：衬底(10)，其在第一主表面(12)上在第一区域(14)内具有适用于生成电磁射线的外延半导体层序列(20)并且在与该第一区域(14)相邻的第二区域(22)内具有第一槽(24)；以及至少一个第二槽本发明还涉及一种光电半导体本体和一种用于制造光电半导体本体的方法。
光电半导体本体以及用于制造方法

[发明专利]用于制造薄膜半导体本体的方法和薄膜半导体本体-CN201280011324.4有效
发明人：克里斯蒂安·莱雷尔;安东·沃格尔;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;赖纳·布滕戴奇;克里斯蒂安·鲁姆博尔茨 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提出一种用于制造薄膜半导体本体的方法，所述方法具有下述步骤：提供生长衬底（1）；将具有漏斗形的和/或倒棱锥形的凹部（4）的半导体层（3）外延地生长到生长衬底（1）上；用半导体材料（6）填充凹部（4），使得产生棱锥形的耦合输出结构（13）；将具有有源层（8）的半导体层序列（7）施加到耦合输出结构（13）上，所述有源层适合于产生电磁辐射；将载体（11）施加到半导体层序列（7）上，以及至少将具有漏斗形和/或倒棱锥形的凹部（4）的半导体层（3）剥离，使得棱锥形的耦合输出结构（13）作为突出部（14）构成在薄膜半导体本体的辐射出射面（12）上。此外，提出一种薄膜半导体本体。
用于制造薄膜半导体本体方法

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