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[发明专利]半导体结构及金属氧化物半导体元件-CN200710136601.5有效
发明人：蔡邦彥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L29/38 文献下载
摘要：第一复合层包括一元素和一第一掺杂物，其中第一掺杂物具有第一掺杂物浓度；第二复合层包括该元素和一第二掺杂物，其中第二掺杂物的导电型态和第一掺杂物的导电型态相同，第二掺杂物具有第二掺杂物浓度且位于第一复合层上；第三复合层包括该元素和第三掺杂物，其中第三掺杂物的导电型态和第一掺杂物的导电型态相同，第三掺杂物具有第三掺杂物浓度；第三复合层位于第二复合层上，且第二掺杂物浓度大体上低于第一掺杂物浓度和第三掺杂物浓度
半导体结构金属氧化物元件

[发明专利]存储元件及制造方法-CN03147183.8有效
发明人：陈旭顺;庄立欣;龙翔澜;陈逸舟 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-07-08 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：一种存储元件的制造方法，首先，定义第一掺杂物型的半导体衬底。提供第二掺杂物型的掺杂层于衬底上，提供介电层于掺杂层上。形成栓塞于介电层中，掺杂第二掺杂物型的掺杂物于栓塞的整个区域中。掺杂第一掺杂物型的掺杂物于第二掺杂物型的栓塞中，并提供存储器单元于栓塞上。
存储元件制造方法

[发明专利]具有防止补偿掺杂的太阳能电池的制造-CN201610090150.5有效
发明人：蒂莫西·D·丹尼斯;李波;彼得·约翰·卡曾斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种太阳能电池制造工艺，包括在太阳能电池衬底的背面上的多晶硅层(104)上印刷掺杂物源(105、106)。对掺杂物源(105、106)进行固化，以将来自掺杂物源(105、106)的掺杂物扩散至多晶硅层(104)中，从而形成扩散区(107、108)，并对掺杂物源(105、106)进行交联，以使它们对后面执行的纹理化工艺具有抵抗性为了防止补偿掺杂，阻止来自掺杂物源(105、106)之一的掺杂物释放气体并扩散到其它掺杂物源中。例如，来自N型掺杂物源(106)的磷被阻止扩散到包括硼的P型掺杂物源(105)中。
具有防止补偿掺杂太阳能电池制造

[发明专利]具有防止补偿掺杂的太阳能电池的制造-CN201180032257.X有效
发明人：蒂莫西·D·丹尼斯;李波;彼得·约翰·卡曾斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：一种太阳能电池制造工艺，包括在太阳能电池衬底的背面上的多晶硅层（104）上印刷掺杂物源（105、106）。对掺杂物源（105、106）进行固化，以将来自掺杂物源（105、106）的掺杂物扩散至多晶硅层（104）中，从而形成扩散区（107、108），并对掺杂物源（105、106）进行交联，以使它们对后面执行的纹理化工艺具有抵抗性为了防止补偿掺杂，阻止来自掺杂物源（105、106）之一的掺杂物释放气体并扩散到其它掺杂物源中。例如，来自N型掺杂物源（106）的磷被阻止扩散到包括硼的P型掺杂物源（105）中。
具有防止补偿掺杂太阳能电池制造

[发明专利]包含具有用于升华固体掺杂物的多孔分隔构件的掺杂导管的铸锭拉晶设备-CN201980082576.8在审
发明人： R·斯卡拉;F·巴坦;S·哈林格 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开一种用于制备硅铸锭的铸锭拉晶设备，其包含掺杂物供给系统。所述掺杂物供给系统包含掺杂物导管，其具有跨所述掺杂物导管安置的多孔分隔构件。固体掺杂物落入到所述分隔构件上，所述固体掺杂物在所述分隔构件处升华。所述经升华掺杂物通过惰性气体载送通过所述分隔构件以接触及掺杂硅熔体。
包含具有用于升华固体掺杂多孔分隔构件导管铸锭设备

[发明专利]半导体的图案化离散纳米级掺杂、所述半导体的制造方法和包含所述半导体的制品-CN201910627069.X在审
发明人：张远逸;勝又麗香;李明琦;B·C·蒲柏雷;A·T·海特斯彻;P·特雷福纳斯三世;R·A·西格尔马恩 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司;加利福尼亚大学董事会
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L21/388 文献下载
摘要：本文公开了一种用于掺杂衬底的方法，所述方法包括在衬底上设置包含含掺杂物的共聚物和溶剂的组合物；并且将衬底在750℃至1300℃的温度下退火0.1秒至24小时，以使掺杂物扩散到衬底中；其中含掺杂物的共聚物包含不含掺杂物的聚合物和含掺杂物的聚合物；并且其中含掺杂物的聚合物是具有共价键合或离子键合的掺杂物原子的聚合物，并且以比不含掺杂物的聚合物更小的体积分数存在。
掺杂物聚合物衬底退火掺杂物扩散掺杂物原子共聚物包含共价键合离子键合体积分数共聚物溶剂掺杂

[发明专利]一种具有铟元素掺杂物的纳米氧化锌-CN201910912650.6在审
发明人：张训龙;刘艺 -专利权人：安徽省含山县锦华氧化锌厂
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有铟元素掺杂物的纳米氧化锌，包含大于99重量%的锌部分、第一铟元素掺杂物部分和第二钴元素、铜元素掺杂物部分；所述第一铟掺杂物部分和所述第二钴元素、铜元素掺杂物部分以1:1.5重量比存在；所述第一铟元素掺杂物部分和第二钴元素、铜元素掺杂物部分采用射频反应溅射方法掺杂至氧化锌中；将溅射方法制备的氧化锌活化处理成掺杂铟元素的纳米氧化锌。本发明的具有铟元素掺杂物的纳米氧化锌用X射线衍射仪分析纳米氧化锌的晶相显示铟元素掺杂物的纳米氧化锌衍射峰的强度为未掺杂的3.5倍，同时有效的提高纳米氧化锌的结晶质量。
掺杂物纳米氧化锌铟元素铜元素钴元素氧化锌溅射掺杂活化处理射频反应未掺杂衍射峰重量比铟掺杂制备分析

[发明专利]高压半导体装置以及其制作方法-CN201910912191.1在审
发明人：许意侦;刘智华;黄凯易;叶达勋 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：高压半导体装置包括半导体基底、栅极结构、第一掺杂井区、第二掺杂井区与混合掺杂井区。第一掺杂井区、第二掺杂井区与混合掺杂井区设置于半导体基底中。第一掺杂井区的至少一部分与第二掺杂井区的至少一部分分别位于栅极结构于水平方向上的相对两侧。混合掺杂井区位于第一掺杂井区与第二掺杂井区之间。第一掺杂井区与第二掺杂井区分别包括第一导电形态掺杂物与第二导电形态掺杂物。混合掺杂井区包括混合掺杂物。混合掺杂物的一部分与第一导电形态掺杂物相同，且混合掺杂物的另一部分与第二导电形态掺杂物相同。
高压半导体装置及其制作方法

[发明专利]半导体器件-CN202210239241.6在审
发明人： J·瓦韦罗 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在一个示例中，半导体器件包括具有第一导电类型和阴极区域掺杂物浓度的阴极区域。电荷存储区域覆盖阴极区域并且具有第一导电类型和小于阴极区域掺杂物浓度的电荷存储区域掺杂物浓度。缓冲区域覆盖电荷存储区域并且具有第一导电类型、缓冲区域厚度、缓冲区域掺杂物浓度分布和缓冲区域峰值掺杂物浓度。漂移区域覆盖缓冲区域并且具有第一导电类型和漂移区域掺杂物浓度。缓冲区域峰值掺杂物浓度大于电荷存储区域掺杂物浓度并且大于漂移区域掺杂物浓度。缓冲区域峰值掺杂物浓度与电荷存储区域间隔开并且与漂移区域间隔开。本文公开了其它相关示例和方法。
半导体器件

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN201811185825.X在审
发明人：林佑明;吴肇欣;张洵铭;潘正圣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;吴肇欣
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：一种半导体元件的制造方法，包含提供一黑磷(black‑phosphorous；BP)层于一基材上；形成一掺杂物来源层于黑磷层上；退火掺杂物来源层以从掺杂物来源层驱动掺杂物至黑磷层中；以及形成一导电接触于掺杂物来源层上
掺杂物来源层黑磷半导体元件退火导电接触基材制造驱动

[发明专利]用作拓扑绝缘体的铋锑合金-CN202080080281.X在审
发明人： B·R·约克;黄承业;A·斯普尔;M·格里贝柳克;乐广 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种SOT设备，该SOT设备包括位于衬底上方的铋锑掺杂物元素(BiSbE)合金层。该BiSbE合金层用作拓扑绝缘体。该BiSbE合金层包含铋、锑和掺杂物元素。该掺杂物元素是非金属掺杂物元素、金属掺杂物元素和它们的组合。金属掺杂物元素的示例包括Ni、Co、Fe、CoFe、NiFe、NiCo、NiCu、CoCu、NiAg、CuAg、Cu、Al、Zn、Ag、Ga、In或它们的组合。非金属掺杂物元素的示例包括Si、P、Ge或它们的组合。该BiSbE合金层可包括多个BiSb薄片层和一个或多个掺杂物元素薄片层。该BiSbE合金层具有(012)取向。
用作拓扑绝缘体合金

[发明专利]掺杂有锑以避免或限制掺杂物扩散的垂直二极管-CN200680042220.4无效
发明人：坦迈·库马尔;S·布拉德·赫纳 -专利权人：桑迪士克3D公司
申请日： 2006-11-08 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明描述在具有垂直掺杂物分布的半导体结构中使用锑作为n型增强导电性掺杂物。掺杂物易于扩散，且难以维持陡的掺杂梯度。具体地说，当硅层中掺杂有磷或砷(两者都是n型掺杂物)时，由于未经掺杂的硅沉积在n型掺杂层之上，所以掺杂物原子趋向于向表面移动，从而在沉积期间上升穿过未经掺杂的硅。锑不具有此趋向，且还比磷或砷扩散得更慢，且这将有利地用于掺杂此类结构。
掺杂避免限制扩散垂直二极管

[发明专利]通过外延生长制造半导体装置-CN201610247808.9在审
发明人： J·鲍姆加特尔;M·屈恩勒;E·莱凯尔;D·施勒格尔;H-J·舒尔策;C·魏斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：该方法包括：提供具有一表面的半导体衬底；在该表面上沿垂直于该表面的竖直方向外延生长出背侧发射层，其中，背侧发射层具有第一导电类型的掺杂物或与第一导电类型互补的第二导电类型的掺杂物；在背侧发射层上方沿着竖直方向外延生长出漂移层，漂移层具有第一导电类型的掺杂物，其中，背侧发射层的掺杂物浓度高于漂移层的掺杂物浓度；并且在漂移层内或在漂移层的顶部上形成体区域，体区域具有第二导电类型的掺杂物，体区域与漂移层之间的过渡形成PN结。外延生长出漂移层包括：在漂移层内形成第一导电类型的掺杂物沿着竖直方向的掺杂物浓度走向，掺杂物浓度走向为第一导电类型掺杂物的浓度沿竖直方向的变化。
通过外延生长制造半导体装置

[发明专利]具有光放大功能的传输光纤及其制造方法-CN200610067338.4有效
发明人： P·马赛杰塞 -专利权人：德拉卡通讯技术公司
申请日： 2006-01-27 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：纤芯材料掺杂有第一掺杂物(A)和第二掺杂物(B)，第一掺杂物(A)是折射率大于包层(3)材料的材料，第二掺杂物(B)是能将具有第一波长的光形式的泵浦能转化为具有第二波长的光的材料。纤芯(2)中的第二掺杂物(B)的浓度在径向上与到纤芯(2)的中心的距离(r)成比例地增大。纤芯材料优选掺杂有用于补偿由第二掺杂物(B)引起的折射率变化的第三掺杂物(C)。包层(3)可以包括环绕纤芯(2)的包覆层(4)，包覆层(4)具有在其中分别用于信号放大和折射率补偿的第四(D)和第五(E)掺杂物。应用拉曼效应或受激发射，选择掺杂物(A，B，C，D，E)以实现放大。
有光放大功能传输光纤及其制造方法

[发明专利]一种改性的聚噻吩类有机磁阻薄膜材料及其制备方法、应用-CN201610164579.4在审
发明人：谷航;赵亮 -专利权人：新疆金风科技股份有限公司
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明利用稠环芳烃类的有机小分子化合物与聚噻吩类有机高分子聚合物混合，实现对聚噻吩类有机高分子掺杂改性。掺杂物能带的最高被占据轨道能级高于被掺杂物的最高被占据轨道，因此空穴类载流子在被掺杂物的传输过程中会被掺杂物阻挡，从而形成“载流子陷阱”，而“载流子陷阱”的引入能够产生更灵敏的磁阻效应；同时稠环芳烃类掺杂物比聚噻吩类被掺杂物具有更高的载流子迁移率，因此掺杂物的引入还增强了被掺杂物的导电性。
一种改性噻吩有机磁阻薄膜材料及其制备方法应用

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