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[发明专利]一种内置RC回路的GaN HEMT功率器件-CN202211032409.2在审
发明人：李泽宏;叶钰麒;赵一尚;任敏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体为一种内置RC回路的GaN HEMT功率器件。本发明在确保一定P‑GaN层厚度、将二维电子耗尽实现GaN变成增强型的基础上，在P‑GaN层和金属化栅极之间映入n型掺杂的GaN，p型掺杂的GaN。改变了传统结构上GaN本征电容和边缘电容。采用该结构可以有效的提高栅电阻，同时在栅源和栅漏侧有效的增加边缘电容，形成一个内置的RC吸收器，可以有效解决了GaN目前外加RC电路带来的损耗和效率下降的问题。同时使得GaN器件自身具有一定的抗EMI特性。
一种内置 rc 回路 gan hemt 功率器件

[发明专利]具有电压检测功能的功率半导体器件-CN202211052581.4在审
发明人：李泽宏;杨洋;赵一尚;黄龄萱;夏梓铭;王彤阳;刘小菡;陈雨佳 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供具有电压检测功能的功率半导体器件，包括：集成在同一衬底上的功率IGBT器件、过渡区器件和IGBT电压检测器件；可以通过检测电压引出端得到与功率IGBT器件集电极电压变化趋势相同的电压，及时反馈，且不用额外增加器件的面积。采用与器件同一套工艺流程集成电压检测结构，电压检测结构与原器件的兼容性好，不需要额外的电压检测电路，能减小整体面积，降低功耗成本。同时，集成在IGBT电压检测器件区的电压检测电容与寄生电容并联能够保证采样点电压更低，兼容更低压的模拟控制电路对采样信号进行处理，进一步优化了设计成本和器件兼容性。
具有电压检测功能功率半导体器件

[发明专利]一种功率IGBT器件及制备方法-CN202211062214.2在审
发明人：李泽宏;黄龄萱;杨洋;赵一尚;王彤阳;刘小菡;夏梓铭;陈雨佳 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种功率IGBT器件及制备方法，器件包括集电极、P型集电区、N型场阻止层、N型漂移区、氧化层、和发射极，在所述N型漂移区内部顶层中间区域设置有一个沟槽栅极结构；所述沟槽栅极结构内部设置有栅电极和氧化层；器件沟槽栅极结构一侧的第一浮空P型基区阻断了所述沟槽栅极结构和第二浮空P型基区的电场，削弱了所述沟槽栅极结构和第二浮空P型基区之间的耦合作用，提高了所述功率IGBT器件的栅控能力和阻断能力。
一种功率 igbt 器件制备方法

[发明专利]具有反向续流能力的集成二极管的GaN HEMT纵向器件-CN202211031103.5在审
发明人：李泽宏;叶钰麒;赵一尚;任敏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有反向续流能力的集成二极管的GaN HEMT纵向器件。本发明电流沉降层、重掺杂的GaN或AlGaN势垒层和GaN沟道层之间的高浓度二维电子气浓度通过电流沉降层将电流转为纵向，改变了传统由栅漏之间的距离的横向耐压机理，同时集成了由电流沉降层和N+GaN层组成的续流二极管为GaN器件反向时提供电流流通路径。采用该结构可以减小元胞宽度，提高集成度，有效解决了GaN器件应用于高频情况下，由于过大的di/dt和dv/dt产生的电流，为其提供泄放通道，增加GaN器件的抗di/dt和dv/dt的能力。
具有反向能力集成二极管 gan hemt 纵向器件

[发明专利]一种纵向GaN HEMT功率器件-CN202211033012.5在审
发明人：李泽宏;叶钰麒;赵一尚;任敏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体为一种纵向结构的GaN HEMT功率器件，包括AlN成核层、重掺杂AlGaN或GaN缓冲层、轻掺杂GaN沟道层、AlGaN势垒层、肖特基接触栅极、Mg掺杂的P‑GaN盖帽层、金属化漏极、GaN电流沉降层、SiO2隔离层、源级场板、P型掺杂Si衬底、金属化源极；本发明通过AlGaN势垒层和GaN沟道层产生的高浓度的二维电子气，通过GaN电流沉降层将电流转为纵向，同时金属源级场板能够有效的优化表面电场、降低电流塌陷的问题提升可靠性。改变了传统横向的GaN受制于电流塌陷等问题。其兼具低导通电阻、高可靠性、高电流密度以及大电流能力等优点。
一种纵向 gan hemt 功率器件

[发明专利]一种具有PN结接触的平面栅SJ IGBT器件-CN202210754539.0在审
发明人：李泽宏;饶乾生;陈鹏;李陆坪;王彤阳;赵一尚;冯敬成 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有PN结接触的平面栅SJ IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过在传统的平面栅SJ IGBT器件JFET区引入P型环区，并将该P型环区与发射极金属通过多晶硅PN结连接。导通状态下，P型环区与发射极之间由多晶硅的PN结形成势垒，低的正向导通压降不足以使该PN结正向导通，因此不会影响器件的导通状态；阻断状态下，P型环区反偏，多晶硅的PN结结构被P型环区所屏蔽，不会影响器件的阻断状态；关断过程中，随着集电极电压的上升，该PN结势垒降低并正向导通，为空穴的抽取提供了额外的通路，加快了漂移区载流子的抽取速度，提高了平面栅SJIGBT器件的开关速度，降低了器件的关断损耗。
一种具有 pn 接触平面 sj igbt 器件

[发明专利]一种具有肖特基接触的平面栅SJ IGBT器件-CN202210754547.5在审
发明人：李泽宏;杨远振;陈鹏;李陆坪;王彤阳;赵一尚;冯敬成 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有肖特基接触的平面栅SJ IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过在传统的平面栅SJ IGBT器件JFET区引入P型环区，并将P型环区和发射极金属连接形成肖特基接触，在P型环区和发射极金属之间形成了空穴势垒。器件通态时，该势垒阻挡了空穴直接从P型环区流向发射极，保证了器件阴极侧的载流子浓度；关断过程中，P型环区和发射极金属形成了新的空穴抽取路径，加快了漂移区多余少数载流子的抽取，提高了器件的关断速度，降低了器件的关断损耗。
一种具有肖特基接触平面 sj igbt 器件

[发明专利]带有MOS单元和电压感测及控制单元的半导体器件-CN202011017870.1有效
发明人：李泽宏;林雨乐;杨洋;赵一尚;李陆坪;莫家宁;何云娇;胡汶金;王彤阳 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种带有MOS单元和电压感测及控制单元的半导体器件，包括MOS单元和电压感测及控制单元，两个单元共用部分器件结构，共用结构包括：第二导电类型半导体漏极区、位于第二导电类型半导体集电极区上表面的第二导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体集电极区下表面连接的漏极金属电极；本发明在电压感测及控制单元中设置电压采样感测区和采样控制区，对漏极电压实现可控的采样；在器件进行电压采样时，当漏极电压增大到某一电压时，电压采样感测区的电压开始随着漏极电压的进一步增加而增加，检测电压采样感测区的电压，来反映漏极电压，并通过改变电压采样控制区的电压来改变电压采样的起始点，实现一个可控制的电压采样。
带有 mos 单元电压控制半导体器件

[发明专利]带有IGBT单元和电流电压感测及控制单元的半导体器件-CN202011017881.X有效
发明人：李泽宏;杨洋;林雨乐;赵一尚;李陆坪;莫家宁;何云娇;胡汶金;王彤阳 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种带有IGBT单元和电流电压感测及控制单元的半导体器件，该半导体器件包括IGBT单元和电流电压感测及控制单元，两个单元共用部分器件结构，共用结构包括第一导电类型半导体集电极区、位于第一导电类型半导体集电极区上表面的第二导电类型半导体缓冲层、第二导电类型半导体缓冲层上表面的第二导电类型半导体漂移区；本发明在电流电压感测及控制单元中设置电流、电压采样感测区和采样控制区，其中电压采样与电流采样所使用的感测区与控制区相反，感测电极与采样电极在两种情况下也互为相反使用，对集电极电压和流经器件的电流实现可控的采样。
带有 igbt 单元电流电压控制半导体器件

[发明专利]一种具有多晶硅二极管栅极结构的浮空P区CSTBT器件-CN202110705609.9在审
发明人：李泽宏;胡汶金;赵一尚;曾潇;万佳利;吴玉舟;陈建鹏;于洋;张春英 -专利权人：电子科技大学;四川广义微电子股份有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有多晶硅二极管栅极结构的浮空P区CSTBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明基于传统FP‑CSTBT结构，在利用CS层以及浮空P区有效降低器件导通压降的基础上，一方面在沟槽中设置二极管栅极结构，利用沟槽内PN结的结电容进一步屏蔽栅极和集电极，实现更小的密勒电容，优化器件的开关特性；另一方面增加P型poly栅极周围的栅氧化层厚度，进一步减小器件的密勒电容的同时优化沟槽底部及拐角处的电场，从而更好地实现功率器件导通压降与关断损耗之间的折中关系。
一种具有多晶二极管栅极结构 cstbt 器件

[发明专利]一种槽栅中具有空穴通路的屏蔽栅沟槽IGBT结构-CN202110706932.8在审
发明人：李泽宏;赵一尚;胡汶金;曾潇;万佳利;吴玉舟;陈建鹏;于洋;张春英 -专利权人：电子科技大学;四川广义微电子股份有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种槽栅中具有空穴通路的屏蔽栅沟槽IGBT结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明基于SGT IGBT器件的宽槽结构，在宽槽中的屏蔽栅极上层设置两个左右对称的控制栅极，同时屏蔽栅极会在两栅极之间引出，并与器件的发射极相连，从而形成空穴通路。在器件处于开态时，空穴通路被夹断使屏蔽栅极浮空，漂移区可以积累大量的载流子，从而降低器件的导通压降；在器件处于关态时，空穴通路使屏蔽栅极和金属发射极相连，实现屏蔽栅极对栅极和集电极之间的屏蔽作用，优化了器件的开关特性。
一种槽栅中具有空穴通路屏蔽沟槽 igbt 结构

[发明专利]一种集成MOS电流采样结构的RC-IGBT-CN201810954130.7有效
发明人：李泽宏;贾鹏飞;孙肇峰;赵一尚;彭鑫;杨洋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成MOS电流采样结构的逆导型IGBT。本发明主要在传统RC‑IGBT器件的基础上，在不增加工艺步骤的前提下，引入了MOS电流采样结构17，该结构用于RC‑IGBT器件的电流采样。相对于IGBT模块来讲，RC‑IGBT比常规IGBT具有更高的集成度，本发明将IGBT模块中的采样功能集成于RC‑IGBT内部，能够进一步减小IGBT模块体积，降低成本。采用MOS电流采样结构17，可以快速反映RC‑IGBT的电流变化，提高器件的可靠性；采用二极管元胞区域16形成的隔离区，可以减小IGBT主元胞区15对MOS电流采样区17的影响，提高采样精度。
一种集成 mos 电流采样结构 rc igbt

[实用新型]一种具有双向ESD保护能力的SGT MOSFET器件-CN202022484962.2有效
发明人：李泽宏;赵一尚;胡汶金;林泳浩;李伟聪 -专利权人：深圳市威兆半导体有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有双向ESD保护能力的SGT MOSFET器件，包括元胞结构，所述元胞结构包括从下至上依次层叠的漏极金属、N+衬底、N型漂移区、源极金属；所述N型漂移区上表面一侧形成沟槽栅极结构，沟槽栅极结构包括从上至下依次设置的N+Poly栅极、P型轻掺杂一区、N型轻掺杂区、P型轻掺杂二区、N型源极接触区。本实用新型在传统的SGT MOSFET结构以及多晶硅多掺杂的纵向MOSFET结构的基础上，实现对功率MOS器件的开关性能和ESD保护性能两种性能的同时改进。
一种具有双向 esd 保护能力 sgt mosfet 器件

[实用新型]一种集成NPN穿通三极管的屏蔽栅MOSFET器件-CN202022485628.9有效
发明人：李泽宏;赵一尚;胡汶金;林泳浩;李伟聪 -专利权人：深圳市威兆半导体有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种集成NPN穿通三极管的屏蔽栅MOSFET器件，包括元胞结构，所述元胞结构包括从下至上依次层叠的漏极金属、N+衬底、N型漂移区、源极金属；所述N型漂移区的内部上层设有P型基区，P型基区的内部上表面设有紧邻接触的N型重掺杂区及P型重掺杂区；两个相邻的所述P型基区之间的N型漂移区上表面形成两个相邻的沟槽栅极结构；两个相邻的所述沟槽栅极结构之间设有P型轻掺杂区；每一沟槽栅极结构包括上下布置的N+Poly栅极、N型源极接触区；所述N+Poly栅极、N型源极接触区分别经氧化层包裹。本实用新型进一步优化屏蔽栅MOSFET器件的电流能力以及电压能力。
一种集成 npn 三极管屏蔽 mosfet 器件

[发明专利]一种基于LIGBT的栅控型采样器件-CN201910062575.9有效
发明人：李泽宏;杨洋;彭鑫;赵一尚;程然;何云娇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种基于LIGBT的栅控型采样器件，第一导电类型半导体体区中具有第二导电类型半导体阴极区，第二导电类型半导体阴极区的右侧设置第一导电类型半导体阴极区，第一导电类型半导体阴极区的右侧依次设置第一个第二导电类型半导体掺杂区、与第一个第二导电类型半导体掺杂区紧邻的第一导电类型半导体掺杂区、和第一导电类型半导体掺杂区紧邻的第二个第二导电类型半导体掺杂区；第二导电类型半导体阴极区和第一导电类型半导体阴极区上表面具有第三金属电极；本发明器件在导通状态可以实现对流经器件的电流进行采样，关断瞬态可以实现对阳极电压的检测，电流采样与电压采样交替进行，且采样精度高，采样比可控。
一种基于 ligbt 栅控型采样器件

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