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[发明专利]一种具有VDMOS和晶闸管的可编程过电压保护器件-CN202010501467.X有效
发明人：李泽宏;何云娇;王彤阳;莫家宁;蒲小庆;程然;王志明;任敏;张金平;高巍;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有VDMOS和晶闸管的可编程过电压保护器件，属于功率半导体技术领域。该可编程过电压保护器件利用两个VDMOS分别为两个NPNP晶闸管提供独立控制，VDMOS的栅端与负电源电压连接；或者，利用两个VDMOS分别为两个PNPN晶闸管提供独立控制，VDMOS的栅端与正电源电压连接，当电话线上负电压低于电源电压一个阈值电压或正电压高于电源电压一个阈值电压时，器件开启并将传输线上浪涌产生的过电压传导到地，从而保护用户线接口电路(SLIC)免受雷击等因素引起的浪涌过电压，实现单向可编程保护，利用VDMOS纵向结构且为单极型器件的特点，可使本发明功耗低，温度特性好，可编程的输入电压的范围更广泛，且浪涌电压的承受能力更强。
一种具有 vdmos 晶闸管可编程过电压保护器件

[发明专利]双向开关器件、其终端结构及电子设备-CN202210789388.2在审
发明人：陈楠;杜益成;殷鹏飞;王猛;张凯;朱浩;周熹;何云娇 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种、双向开关器件、其终端结构及电子设备，终端结构包括场板，所述场板的端部延伸至第一耐压区与第二耐压区的边缘以外，以使所述场板的垂直投影将所述第一耐压区、所述阱区和所述第二耐压区所构成的寄生三极管的基区分割；所述场板的电压随两侧开关管的栅极电压发生变化，从而能够缓解寄生三极管的漏电现象。
双向开关器件终端结构电子设备

[发明专利]一种JFET触发的可编程双向抗浪涌保护器件-CN202010500385.3有效
发明人：李泽宏;何云娇;王彤阳;莫家宁;蒲小庆;程然;王志明;任敏;张金平;高巍;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种JFET触发的可编程双向抗浪涌保护器件，属于功率半导体技术领域，用于保护SLIC免受因雷电等因素引起的浪涌过电压干扰。该保护器件由两个保护单元组成，包括四个JFET和四个晶闸管。四个分立的JFET分别为每个晶闸管保护部分提供独立控制，JFET的栅端分别与SLIC负电源电压及正电源电压相连，当电话线上正电压增加使得正电源电压与电话线正电压差值低于设定的夹断电压或者当电话线上负电压减小使得负电源电压与电话线负电压差值高于设定的夹断电压时，器件开启并将浪涌传导到地，实现可编程双向保护。本发明JFET工艺与晶闸管工艺兼容，易于单片集成；且JFET输入阻抗高，为单极型器件，使本发明器件整体噪声小，功耗低，温度特性好，对浪涌响应更快。
一种 jfet 触发可编程双向浪涌保护器

[发明专利]一种具有SGT和晶闸管的可编程过电压保护器件-CN202010500402.3有效
发明人：李泽宏;何云娇;程然;王志明;王彤阳;莫家宁;蒲小庆;任敏;张金平;高巍;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有SGT和晶闸管的可编程过电压保护器件，属于功率半导体技术领域。该可编程过电压保护器件利用两个SGT分别为两个NPNP晶闸管提供独立控制，SGT的栅端与负电源电压连接；或者，利用两个SGT分别为两个PNPN晶闸管提供独立控制，SGT的栅端与正电源电压连接，当电话线上负电压低于电源电压一个阈值电压或正电压高于电源电压一个阈值电压时，器件开启并将浪涌传导到地，从而实现对传输电话线上后续电路的保护。SGT采用沟槽栅及屏蔽栅结构，耐压更高，导通电阻更低，且低的栅漏电容提升了器件的开关速度和降低了器件的开关损耗，使得本发明的可编程输入电压范围更广，开关速度更快且功耗更低，可以对两条传输电话线上的浪涌过电压更快响应。
一种具有 sgt 晶闸管可编程过电压保护器件

[发明专利]一种具有U-MOSFET和晶闸管的可编程过电压保护器件-CN202010500408.0有效
发明人：李泽宏;何云娇;王志明;程然;王彤阳;莫家宁;蒲小庆;任敏;张金平;高巍;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有U‑MOSFET和晶闸管的可编程过电压保护器件，属于功率半导体技术领域。该可编程过电压保护器件利用两个U‑MOSFET分别为两个NPNP晶闸管提供独立控制，U‑MOSFET的栅端与负电源电压连接；或者，利用两个U‑MOSFET分别为两个PNPN晶闸管提供独立控制，U‑MOSFET的栅端与正电源电压连接，当电话线上负电压低于电源电压一个阈值电压或正电压高于电源电压一个阈值电压时，器件开启并将传输线上浪涌产生的过电压传导到地，从而实现对用户线接口电路的单向可编程保护。U‑MOSFET的沟槽栅结构减小了器件导通电阻，且为单极型器件，使得本发明功耗更低，温度稳定性更高，且高的开关速度使其对浪涌响应更快，另外U‑MOSFET与晶闸管工艺兼容，易于集成。
一种具有 mosfet 晶闸管可编程过电压保护器件

[发明专利]一种LDMOS触发的可编程单向保护器件-CN202010501486.2有效
发明人：李泽宏;何云娇;莫家宁;王彤阳;蒲小庆;程然;王志明;任敏;张金平;高巍;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种LDMOS触发的可编程单向保护器件，属于功率半导体技术领域。该单向保护器件通过一个由LDNMOS和NPNP晶闸管组成的负向保护结构提供电话线上负向浪涌保护；或者通过一个由LDPMOS和PNPN晶闸管组成的正向保护结构提供电话线上正向浪涌保护，避免了SLIC受到雷电等因素造成的浪涌冲击而损坏整机系统。另外，与已有的半导体抗浪涌保护器件相比，本发明LDMOS工艺与晶闸管工艺兼容，可单片集成；且LDMOS为单极型器件，相比使用三极管，功耗更低，开关速度也更快，利于该保护器件对浪涌更快响应且实现有效防护，此外，LDMOS有较好的温度特性，可防止热耗散的影响。
一种 ldmos 触发可编程单向保护器件

[发明专利]带有MOS单元和电压感测及控制单元的半导体器件-CN202011017870.1有效
发明人：李泽宏;林雨乐;杨洋;赵一尚;李陆坪;莫家宁;何云娇;胡汶金;王彤阳 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种带有MOS单元和电压感测及控制单元的半导体器件，包括MOS单元和电压感测及控制单元，两个单元共用部分器件结构，共用结构包括：第二导电类型半导体漏极区、位于第二导电类型半导体集电极区上表面的第二导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体集电极区下表面连接的漏极金属电极；本发明在电压感测及控制单元中设置电压采样感测区和采样控制区，对漏极电压实现可控的采样；在器件进行电压采样时，当漏极电压增大到某一电压时，电压采样感测区的电压开始随着漏极电压的进一步增加而增加，检测电压采样感测区的电压，来反映漏极电压，并通过改变电压采样控制区的电压来改变电压采样的起始点，实现一个可控制的电压采样。
带有 mos 单元电压控制半导体器件

[发明专利]带有IGBT单元和电流电压感测及控制单元的半导体器件-CN202011017881.X有效
发明人：李泽宏;杨洋;林雨乐;赵一尚;李陆坪;莫家宁;何云娇;胡汶金;王彤阳 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种带有IGBT单元和电流电压感测及控制单元的半导体器件，该半导体器件包括IGBT单元和电流电压感测及控制单元，两个单元共用部分器件结构，共用结构包括第一导电类型半导体集电极区、位于第一导电类型半导体集电极区上表面的第二导电类型半导体缓冲层、第二导电类型半导体缓冲层上表面的第二导电类型半导体漂移区；本发明在电流电压感测及控制单元中设置电流、电压采样感测区和采样控制区，其中电压采样与电流采样所使用的感测区与控制区相反，感测电极与采样电极在两种情况下也互为相反使用，对集电极电压和流经器件的电流实现可控的采样。
带有 igbt 单元电流电压控制半导体器件

[发明专利]一种泪道检查治疗与疏通装置-CN202110071642.0在审
发明人：杨亚斌;张利伟;杨亚丽;刘国伟;何云娇;柯红琴 -专利权人：云南省第二人民医院
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： A61H35/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种泪道检查治疗与疏通装置，其特征在于，包括：头端、疏通管体、束线管套、握持部、微型内镜摄像头、激光发射端、药液腔一、药液腔二、冲洗腔、医学激光发射器；该装置在泪道探通管内分布四个腔，可分别实现冲洗，药液灌注，引流，药液灌注腔有两个，可同时灌注两种药液；该装置头端设计有激光发射端和微型内镜摄像头，利用激光代替传统的疏通针对泪道堵塞进行疏通，激光对堵塞严重情况有较好的效果且安全，摄像头为整个操作提供可视图像，在可视图像下操作更准确也更安全。
一种泪道检查治疗疏通装置

[发明专利]一种基于LIGBT的栅控型采样器件-CN201910062575.9有效
发明人：李泽宏;杨洋;彭鑫;赵一尚;程然;何云娇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种基于LIGBT的栅控型采样器件，第一导电类型半导体体区中具有第二导电类型半导体阴极区，第二导电类型半导体阴极区的右侧设置第一导电类型半导体阴极区，第一导电类型半导体阴极区的右侧依次设置第一个第二导电类型半导体掺杂区、与第一个第二导电类型半导体掺杂区紧邻的第一导电类型半导体掺杂区、和第一导电类型半导体掺杂区紧邻的第二个第二导电类型半导体掺杂区；第二导电类型半导体阴极区和第一导电类型半导体阴极区上表面具有第三金属电极；本发明器件在导通状态可以实现对流经器件的电流进行采样，关断瞬态可以实现对阳极电压的检测，电流采样与电压采样交替进行，且采样精度高，采样比可控。
一种基于 ligbt 栅控型采样器件

[发明专利]一种基于SenseFET的压控采样器件-CN201910062554.7有效
发明人：李泽宏;杨洋;彭鑫;赵一尚;程然;何云娇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种基于SenseFET的压控采样器件，第二导电类型半导体漂移区上表面设有第一个第一导电类型半导体采样电压控制区和第二个第一导电类型半导体采样电压控制区，第一个第一导电类型半导体采样电压控制区和第二个第一导电类型半导体采样电压控制区位于第一导电类型半导体掺杂区的右侧、第二导电类型半导体掺杂区的左侧，第一个第一导电类型半导体采样电压控制区和第二个第一导电类型半导体采样电压控制区之间具有电压感测电极；本发明器件在开启周期可通过栅极实现采样电流的可控性，关断周期可以实现芯片自供电，在实现原有电流采样功能的基础上，器件在导通过程中可以实现从低电压到高电压瞬态的电压跟随，以检测漏极电压的变化，且采样电压的采样比可控。
一种基于 sensefet 采样器件

[发明专利]一种基于LIGBT的单栅控制电压电流采样器件-CN201910061974.3有效
发明人：李泽宏;杨洋;彭鑫;赵一尚;程然;何云娇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种基于LIGBT的单栅控制电压电流采样器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、衬底电极、外延氧化层、第二导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体掺杂区、第一导电类型半导体阳极区、第一金属电极、第一导电类型半导体体区、氧化层、金属栅极、第一导电类型半导体掺杂区、第二导电类型半导体阴极区、第一导电类型半导体掺杂区、第二导电类型半导体掺杂区、第一导电类型半导体阴极区、第三金属电极、第四金属电极、第五金属电极、第二金属电极，器件在导通状态可以实现对流经器件的电流进行采样，关断瞬态可以实现对阳极电压的检测，电流采样与电压采样交替进行，且采样精度高，采样比可控。
一种基于 ligbt 控制电压电流采样器件

[发明专利]具有PNP穿通三极管的沟槽栅IGBT器件-CN201910573313.9有效
发明人：李泽宏;孙肇峰;赵一尚;杨洋;莫佳宁;何云娇;彭鑫 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有PNP穿通三极管的沟槽栅IGBT器件，本发明在分立浮空pbody区内对称的沟槽介质层之间，通过P型第二集电区、N型第二基区与分立浮空pbody区形成PNP穿通型三极管；器件正向导通时，PNP三极管不发生穿通，并储存空穴增强电导调制，由N+多晶硅、P+多晶硅形成的二极管进一步减小泄露电流；关断时PNP三极管穿通，提供空穴泄放通道，降低关断时间，提高P‑base区域抗闩锁能力；同时沟槽介质层避免了PNP三极管发生闩锁，达到在不影响其他电学特性的情况下，降低了开关时间和开关损耗；器件处于阻断状态下，PNP三极管穿通，增加了器件耐压能力。
具有 pnp 三极管沟槽 igbt 器件

[发明专利]具有SCR结构的沟槽栅IGBT器件-CN201910574377.0有效
发明人：李泽宏;孙肇峰;莫佳宁;赵一尚;杨洋;何云娇;彭鑫;任敏;高巍;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有SCR结构的沟槽栅IGBT器件，本发明在分立浮空Pbody区内的对称沟槽介质层之间，通过P型区、第一N型区、第二N型区与分立浮空Pbody区形成SCR结构；器件正向导通时，SCR结构不导通，并存储空穴增强电导调制，并在金属电极串联二极管，进一步减小泄露电流；关断时提供空穴泄放通道，降低关断时间，达到在不影响其他电学特性的情况下，降低了开关时间和开关损耗；器件处于阻断状态下，SCR结构穿通，增加了器件耐压能力。
具有 scr 结构沟槽 igbt 器件

[发明专利]具有PNP穿通三极管的IGBT器件-CN201910572446.4有效
发明人：李泽宏;孙肇峰;何云娇;赵一尚;莫佳宁;杨洋;贾鹏飞 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有PNP穿通三极管的IGBT器件，P型第二集电区、N型第二基区与分立浮空Pbody区形成PNP三极管结构；器件正向导通时，PNP三极管结构不导通，并储存空穴增强电导调制，并通过在金属电极上串联的二极管进一步减小泄露电流；关断时PNP三极管穿通提供空穴泄放通道，降低关断时间，达到在不影响其他电学特性的情况下，降低了开关时间和开关损耗；器件处于阻断状态下，PNP三极管穿通，增加了器件耐压能力。
具有 pnp 三极管 igbt 器件

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