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[发明专利]一种高压驱动集成电路及智能功率模块-CN202010942322.3在审
发明人：冯锴雄;杨忠添 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本申请提供一种高压驱动集成电路及智能功率模块，包括：一HVIC芯片；一逆变器单元，逆变器单元包括至少两组逆变模块，每组逆变模块包括一LIGBT晶体管和一Sense‑LIGBT晶体管，LIGBT晶体管的基极和Sense‑LIGBT晶体管的基极均与HVIC芯片相连，LIGBT晶体管的集电极与高压输入端连接，LIGBT晶体管的发射极与Sense‑LIGBT晶体管的集电极连接，Sense‑LIGBT晶体管的发射极包括主发射极和次发射极，主发射极与接地端连接；一电流采样单元，电流采样单元包括至少两个采样电阻，采样电阻一端分别与Sense‑LIGBT晶体管的次发射极和HVIC芯片连接，另一端连接于接地端。
一种高压驱动集成电路智能功率模块

[实用新型]一种高压驱动集成电路及智能功率模块-CN202021959438.X有效
发明人：冯锴雄;杨忠添 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本申请提供一种高压驱动集成电路及智能功率模块，包括：一HVIC芯片；一逆变器单元，逆变器单元包括至少两组逆变模块，每组逆变模块包括一LIGBT晶体管和一Sense‑LIGBT晶体管，LIGBT晶体管的基极和Sense‑LIGBT晶体管的基极均与HVIC芯片相连，LIGBT晶体管的集电极与高压输入端连接，LIGBT晶体管的发射极与Sense‑LIGBT晶体管的集电极连接，Sense‑LIGBT晶体管的发射极包括主发射极和次发射极，主发射极与接地端连接；一电流采样单元，电流采样单元包括至少两个采样电阻，采样电阻一端分别与Sense‑LIGBT晶体管的次发射极和HVIC芯片连接，另一端连接于接地端。
一种高压驱动集成电路智能功率模块

[发明专利]一种复合功率半导体器件-CN201210045619.5有效
发明人：乔明;温恒娟;向凡;周锌;何逸涛;张波;李肇基 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：该器件将将LIGBT、LDMOS以及JFET集成在一起，其中LIGBT与LDMOS形成混合并联结构，LIGBT/LDMOS混合结构与JFET级联。LIGBT/LDMOS混合结构中，LIGBT和LDMOS共用栅极、LIGBT的n+阴极和LDMOS的n+源极共用、LIGBT的P+阳极和LDMOS的n+漏极交替相间分布；LIGBT/LDMOS混合结构的曲率部分为LDMOS结构；LDMOS和JFET共用n+漏极4，JFET的n+源极8做在N阱区6向所述LIGBT/LDMOS混合结构向外延伸的部分中。本发明兼具LIGBT的驱动能力强和LDMOS的速度快的特点，可提供较大的输出电流，其稳定性增强。
一种复合功率半导体器件

[发明专利]一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件-CN201910023563.5有效
发明人：陈伟中;李顺;黄义;贺利军;秦窈 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC‑LIGBT器件，包括左右两边呈对称结构且共用一个发射极的LDMOS有源区以及LIGBT有源区；LDMOS有源区沟道受栅极Ⅰ控制，LIGBT有源区沟道受栅极具有以下优点：在正向导通时消除snapback效应；由于LDMOS区中集电极N‑Collector的存在，在反向导通时使其具有反向导通能力，由于无集电极P‑Collector对电流的阻挡作用，复合型RC‑LIGBT的反向导通能力优于传统RC‑LIGBT。本发明的复合型RC‑LIGBT工艺与传统RC‑LIGT工艺兼容，只需要版图设计，无需额外工艺。
一种集成 ldmos ligbt 复合型 rc 器件

[发明专利]一种双通道RC-LIGBT器件及其制备方法-CN201610592595.3有效
发明人：张金平;黄孟意;李丹;底聪;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种双通道RC‑LIGBT器件及其制备方法。本发明属于功率半导体集成电路领域，具体涉及横向逆导型绝缘栅双极型晶体管(Reverse Conducting‑LIGBT，RC‑LIGBT)及其制备方法；用于抑制传统RC‑LIGBT器件的负阻(snapback本发明RC‑LIGBT器件通过在器件集电极端引入复合结构形成具有双通道的单向导电通路，在正向LIGBT工作模式下完全屏蔽了N型集电区对导通特性的影响，完全消除了负阻(snapback)现象，并具有与传统LIGBT相同的低导通压降，提高了器件的稳定性和可靠性；同时在反向二极管续流工作模式下在集电极端提供了两条续流通道，优化了其续流能力，具有小的导通压降。
一种双通道 rc ligbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种RC-LIGBT器件及其制备方法-CN201610594302.5有效
发明人：张金平;熊景枝;刘玮琪;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体集成电路领域，具体提供横向逆导型绝缘栅双极型晶体管(Reverse Conducting‑LIGBT，RC‑LIGBT)及其制备方法，用于抑制传统RC‑LIGBT器件的负阻(snapback本发明RC‑LIGBT器件通过在器件集电极端引入的复合结构，在正向LIGBT工作模式下完全屏蔽了N型集电区对导通特性的影响，完全消除了负阻(snapback)现象，并具有与传统LIGBT相同的低导通压降
一种 rc ligbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种RC-LIGBT器件及其制备方法-CN201610594854.6有效
发明人：张金平;熊景枝;田丰境;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体集成电路领域，具体涉及横向逆导型绝缘栅双极型晶体管(Reverse Conducting‑LIGBT，RC‑LIGBT)及其制备方法，用于抑制传统RC‑LIGBT器件的负阻(snapback本发明RC‑LIGBT器件通过在器件集电极端引入的复合结构，在正向LIGBT工作模式下完全屏蔽了N型集电区对导通特性的影响，完全消除了负阻(snapback)现象，并具有与传统LIGBT相同的低导通压降
一种 rc ligbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种采用LIGBT输出级的集成电路-CN200810217389.X有效
发明人：乔明;赵磊;张波 -专利权人：深圳市联德合微电子有限公司
申请日： 2008-11-19 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用LIGBT输出级的集成电路，其包括控制电路以及LDMOS输出级与LIGBT输出级，所述LDMOS输出级与LIGBT输出级的栅极与控制电路连接，其中在电位相同时，所述LDMOS输出级的源极与LIGBT输出级的阴极连接，所述LDMOS输出级的漏极与LIGBT输出级的阳极连接。本发明采用具有电导调制效应的LIGBT输出级，降低输出级单位面积的导通电阻，提高输出级单位面积的电流能力，从而减小集成电路面积及节约芯片成本。
一种采用 ligbt 输出集成电路

[发明专利]一种集成MOS自适应控制SOI LIGBT-CN202110317460.7有效
发明人：罗小蓉;苏伟;张森;马臻;杨可萌;魏杰;樊雕;王晨霞 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成MOS自适应控制SOI LIGBT。本发明的主要特征在于：在SOI LIGBT阴极侧集成2个MOS管，且通过氧化隔离槽互相隔离。MOS管通过电气连接可实现自适应控制SOI LIGBT。正向导通时，集成MOS自适应控制SOI LIGBT寄生二极管开启，增强电导调制效应，降低器件导通压降，增加器件饱和电流；短路状态下，集成MOS自适应控制SOI LIGBT寄生二极管截止，抑制闩锁效应，提高器件的抗短路能力本发明的有益效果为，相对于传统SOI LIGBT结构，本发明具有更低的导通压降、更高的饱和电流以及更长的短路耐受时间。
一种集成 mos 自适应控制 soi ligbt

[实用新型]LIGBT输出级集成电路-CN201120379483.2有效
发明人：乔明;赵磊;张波 -专利权人：深圳市联德合微电子有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：本实用新型涉及LIGBT输出级集成电路，其包括控制电路以及LDMOS输出级与LIGBT输出级，所述LDMOS输出级与LIGBT输出级的栅极与控制电路连接，其中在电位相同时，所述LDMOS输出级的源极与LIGBT输出级的阴极连接，所述LDMOS输出级的漏极与LIGBT输出级的阳极连接。本实用新型采用具有电导调制效应的LIGBT输出级，降低输出级单位面积的导通电阻，提高输出级单位面积的电流能力，从而减小集成电路面积及节约芯片成本。
ligbt 输出集成电路

[发明专利]具有载流子存储区的LIGBT-CN201810885101.X在审
发明人：王学良;刘建华;郎金荣;闵亚能 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有载流子存储区的LIGBT。所述LIGBT包括N型漂移区；所述N型漂移区包括N型硅条；所述N型硅条包括载流子存储区；所述载流子存储区掺杂有氢离子。本发明的LIGBT的N型漂移区包括N型硅条，并且该N型硅条包括掺杂有氢离子的载流子存储区，从而该载流子存储区既可以表现为空穴阻挡层，在LIGBT正向导通时，能够降低饱和压降Vcesat，也可以表现为复合中心，在LIGBT关断时，能够缩短少子的寿命，从而能够缩短关断时间。
具有载流子存储 ligbt

[发明专利]一种SOI-LIGBT器件及其制备方法-CN201710096610.X有效
发明人：周骏;成建兵;袁晴雯 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于绝缘体上硅（SOI）使用到阳极弱反型层的新型横向绝缘栅双极晶体管（AWIL‑LIGBT）及其制备方法，采用阳极弱反型结构用来消除负阻效应。相对于常规SA‑LIGBT，本发明阳极多了一个栅板，还有一个P体区2，介于反型所形成的高电阻，阳极P+中的空穴可以更快的注入漂移区，从而消除负阻效应。对比普通SA‑LIGBT，本发明在关断速度不变同时击穿电压提升的情况下，消除了阳极短路LIGBT(SA‑LIGBT)在导通过程中会出现的负阻效应。
一种 soi ligbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种双通道RC-LIGBT器件及其制备方法-CN201610594975.0有效
发明人：张金平;田丰境;刘玮琪;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体集成电路领域，具体涉及横向逆导型绝缘栅双极型晶体管(Reverse Conducting‑LIGBT，RC‑LIGBT)及其制备方法，用于抑制传统RC‑LIGBT器件的负阻(snapback本发明RC‑LIGBT器件通过在器件集电极端引入复合结构形成具有双通道的单向导电通路，在正向LIGBT工作模式下完全屏蔽了N型集电区对导通特性的影响，完全消除了负阻(snapback)现象，并具有与传统LIGBT相同的低导通压降，提高了器件的稳定性和可靠性；同时在反向二极管续流工作模式下在集电极端提供了两条续流通道，优化了其续流能力，具有小的导通压降。
一种双通道 rc ligbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种集成MOS自适应控制SOI LIGBT-CN202110317574.1有效
发明人：罗小蓉;苏伟;马臻;张森;杨可萌;魏杰;樊雕;王晨霞 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成MOS自适应控制SOI LIGBT。本发明的主要特征在于：在SOI LIGBT阴极侧集成3个MOS管，且通过氧化隔离槽互相隔离。MOS管通过电气连接可实现自适应控制SOI LIGBT。正向导通时，集成MOS自适应控制SOI LIGBT寄生二极管开启，增强电导调制效应，降低器件导通压降，增加器件饱和电流；关断过程中，集成MOS自适应辅助耗尽漂移区且提供额外的空穴抽取通道，有效降低关断损耗；短路状态下，集成MOS自适应控制SOI LIGBT寄生二极管截止，抑制闩锁效应，提高器件的抗短路能力。本发明的有益效果为，相对于传统SOI LIGBT结构，本发明具有更低的导通压降、更低的关断损耗、更高的饱和电流以及更长的短路耐受时间。
一种集成 mos 自适应控制 soi ligbt

[发明专利]一种具有纵向分离阳极的SA-LIGBT器件-CN202010092899.X有效
发明人：陈伟中;李顺;黄垚;黄元熙;黄义;贺利军;张红升 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明将传统SA‑LIGBT的N+阳极和P+阳极分离，将N+阳极设置在器件内部，通过增加N+阳极的纵向深度，延长单极性导电模式下电子的流动路径；N+阳极下方P型浮空层可以增大器件的阳极分布电阻，通过调节本发明利用了器件的纵向长度减少芯片面积；正向导通时，新结构LIGBT的正向导通压降为0.91V，相比于分离阳极短路型LIGBT和常规阳极短路LIGBT分别减少了6.2％和24％；关断时，N+阳极可以快速抽取漂移区中的电子，其关断时间为370ns，相比于传统LIGBT和介质隔离型LIGBT减少了82％和23％。
一种具有纵向分离阳极 sa ligbt 器件

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