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[发明专利]一种多通道相变开关阵列及其制备方法-CN202310870777.2在审
发明人：吴畅;刘捷龙;郭涛 -专利权人： 湖北九峰山实验室
申请日： 2023-07-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N79/00 文献下载
摘要：本发明提供一种多通道相变开关阵列及其制备方法，上述的多通道相变开关阵列包括衬底、外延层、钝化层、相变开关、有源器件及金属连接层；外延层设于衬底上；钝化层设于外延层背离衬底的一侧；相变开关和有源器件设于钝化层上，且间隔布设；金属连接层分别与相变开关和有源器件连接。该多通道相变开关阵列将有源器件和相变开关制作于外延衬底的正面，能够实现射频前端的一体化集成，从而实现基于相变开关阵列的多通道收发前端模块，具有高集成、小型化和传输损耗小的优点。
一种通道相变开关阵列及其制备方法

[发明专利]极性氧化镓异质结多沟道耿氏二极管及其制备方法-CN202310870904.9在审
发明人：吴畅;王凯;周瑞 -专利权人： 湖北九峰山实验室
申请日： 2023-07-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N80/10 文献下载
摘要：本发明提供一种极性氧化镓异质结多沟道耿氏二极管及其制备方法，上述的极性氧化镓异质结多沟道耿氏二极管包括衬底、缓冲层、沟道、阳极及阴极；缓冲层设于衬底上，多个沟道依次叠加设于缓冲层背离衬底的一侧；沟道包括沟道层和势垒层，势垒层设于沟道层上，两者叠加布设；沟道层与势垒层的接触面通过自发极化和压电极化产生二维电子气(2DEG)；阳极和阴极分别设于二维电子气的两侧，且与二维电子气接触；其中，势垒层为非故意掺杂的ε‑(AlxGa1‑x)2O3层，沟道层为非故意掺杂的ε‑Ga2O3层。该耿氏二极管具有高耐压、短死区、抗辐照、高输出功率和低材料结构复杂度的优点，能够有效提高器件的性能。
极性氧化镓异质结多沟道耿氏二极管及其制备方法

[发明专利]压电MEMS发声器及其制作方法-CN202311014261.4在审
发明人：黄湘俊;朱莉莉;石正雨;罗士忠;肖晶晶 -专利权人： 湖北九峰山实验室
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H04R19/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种压电MEMS发声器及其制作方法，发声器包括：基底和至少一个压电复合单元；基底的底部中心区域具有空腔，基底的上表面具有绝缘层；每个压电复合单元设置在基底上表面的边缘区域；每个压电复合单元的预设位置具有金属层沉积形成的焊盘，每个压电复合单元的除预设位置外的其他区域沉积有钝化层；与空腔对应的基底的上部区域具有至少一个凹槽，每个凹槽的底部、侧壁和开口位置的预设区域填充有柔性材料，具有至少一个凹槽的基底的上部区域形成振动薄膜。该发声器在基底的上部区域设置凹槽，有助于释放压电复合单元和振动薄膜的应力，在凹槽内填充柔性材料，可以防止声音泄露，同时可以降低振动薄膜的质量，进而提升声压级。
压电 mems 发声器及其制作方法

[实用新型]一种具有MIS势垒的多级沟槽肖特基二极管-CN202223606853.9有效
发明人：袁俊;郭飞;王宽;徐东;魏强明;黄俊;杨冰;吴畅 -专利权人： 湖北九峰山实验室
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件技术领域，提供一种具有MIS势垒的多级沟槽肖特基二极管，包括阳极、外延片、阴极及绝缘介质层；外延片包括半导体基底和半导体外延层，半导体外延层设于半导体基底上；阴极与半导体基底背离半导体外延层的一侧欧姆接触；阳极与半导体外延层背离半导体基底的一侧接触；半导体外延层背离半导体基底的一侧设有深沟槽，深沟槽沿第一方向延伸，深沟槽的内壁覆盖设有绝缘介质层，阳极沿第一方向延伸填充于深沟槽内，以构建形成金属‑绝缘介质层‑半导体(MIS)结构。本实用新型提供的多级沟槽肖特基二极管能够利用MIS势垒降低金属‑半导体接触界面的电场，提高肖特基势垒高度，提高了器件的击穿电压和长期工作的可靠性。
一种具有 mis 多级沟槽肖特基二极管

[实用新型]一种沟槽型MOSFET元胞结构、器件-CN202320184570.5有效
发明人：袁俊;王宽;郭飞 -专利权人： 湖北九峰山实验室
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沟槽型MOSFET元胞结构及器件，包括：栅极沟槽、辅助源极沟槽、N+源区、P型基区、P+掩埋层、N漂移层、N+衬底，其中，N+源区位于P型基区上部内被P型基区半包裹，P型基区位于N漂移层上方，N漂移层位于N+衬底上方，栅极沟槽垂直贯穿N+源区及P型基区并延伸至N漂移层，辅助源极沟槽垂直贯穿P型基区并延伸至N漂移层，P+掩埋层位于栅极沟槽和辅助源极沟槽下方被N漂移层包裹，P+掩埋层位于栅极沟槽下方部分在与栅极沟槽平行方向上非连续，在空间上呈周期性分布，辅助源极沟槽底部与P+掩埋层直接接触，辅助源极沟槽底部设有欧姆接触金属层，辅助源极沟槽的侧壁集成有二极管。本实用新型增加了器件的导通能力，降低了导通损耗。
一种沟槽 mosfet 结构器件

[实用新型]一种半导体器件载流子分布测量装置-CN202320584924.5有效
发明人：曹蒙;刘旭博;肖科 -专利权人： 湖北九峰山实验室
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件载流子分布测量装置，包括测试仪表、测试板、电子透镜及真空法兰；测试板可拆卸的安装于电子透镜的真空腔体内，测试板用于与半导体器件电性连接；测试仪表通过真空法兰与测试板电性连接，测试仪表用于通过测试板向半导体器件施加偏置电压，以通过电子透镜的可视系统观察半导体器件在偏压下载流子分布状态。该半导体器件载流子分布测量装置通过施加偏置电压，使MOS处于不同状态，通过电子透镜观察器件的结构和在不同偏置状态下的VC图像，可以观察到载流子分布的物理现象，该半导体器件载流子分布测量装置能够便利实现主动偏压，实现了MOS在偏压下载流子分布的可视化，可以看到MOS的开启与闭合。
一种半导体器件载流子分布测量装置

[发明专利]一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法-CN202310640409.9有效
发明人：袁俊;徐东;郭飞;彭若诗;王宽;魏强民;黄俊;杨冰;吴畅 -专利权人： 湖北九峰山实验室
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该氧化镓场效应晶体管包括依次设置的漏极、氧化镓衬底、耐压层、p基极层、导电层。该氧化镓场效应晶体管的有源区设有多个第一凹槽，至少一个第一凹槽的底部设有高阻层且内部设有栅介质层和栅电极，栅电极表面设有第一层间介质；未设置高阻层的第一凹槽内设有第一p型材料层。过渡区设有一个内部沉积有第二p型材料层的第二凹槽。终端区设有多个内部沉积有第三p型材料层的第三凹槽。有源区的导电层和第一层间介质表面设有源极。该氧化镓场效应晶体管能降低半导体器件表面的电场，减少对栅介质材料厚度的依赖性，并具有耐压效率高、占用面积小的特点。
一种氧化场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种低开启电压氧化镓肖特基二极管及其制备方法-CN202310858198.6有效
发明人：刘兴林;魏强民;黄俊;杨冰 -专利权人： 湖北九峰山实验室
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及宽禁带半导体技术领域，具体涉及一种低开启电压氧化镓肖特基二极管及其制备方法。该肖特基二极管包括自下而上依次层叠设置的阴极欧姆接触金属层、衬底层、漂移层和阳极肖特基接触金属层，所述衬底层和所述漂移层均为Si掺杂的氧化镓材料，且所述漂移层的正面经过超临界流体N2O钝化处理后形成一层10~20nm厚的GaN层，所述漂移层的掺杂浓度低于所述衬底层的掺杂浓度。本发明通过将氧化镓外延层利用超临界流体钝化，使其表面形成Ga‑N共价键，即很薄的氮化镓层，降低金属与半导体的功函数差，进而降低氧化镓肖特基二极管的正向导通电压，提高氧化镓肖特基二极管的器件性能。
一种开启电压氧化镓肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种极性氧化镓极化异质结HEMT器件及其制备方法-CN202310794388.6在审
发明人：吴畅;王凯;刘安;李程程 -专利权人： 湖北九峰山实验室
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种极性氧化镓极化异质结HEMT器件及其制备方法，上述的极性氧化镓极化异质结HEMT器件包括：衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、栅极、源极及漏极；缓冲层设于衬底上，沟道层和势垒层依次设于缓冲层背离衬底的一侧，沟道层与势垒层界面因极化产生二维电子气(2DEG)；栅极设于势垒层背离沟道层的一侧；源极和漏极间隔布设、分别与沟道层和势垒层的两侧欧姆接触。制备的极性氧化镓极化异质结HEMT器件，不需要通过δ调制掺杂产生2DEG，不仅结构更加简单，而且提高了沟道载流子的限域性和迁移率，能够有效提高器件性能，及工作的稳定性和可靠性。
一种极性氧化极化异质结 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种p型氧化镓薄膜及其制备方法-CN202310793238.3在审
发明人：刘兴林;魏强民;黄俊;杨冰 -专利权人： 湖北九峰山实验室
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种p型氧化镓薄膜及其制备方法，属于半导体材料技术领域。该制备方法包括以下步骤：在预先清洁的β‑Ga2O3衬底上生长金属M掺杂的β‑(MxGa1‑x)2O3(0.01≤x≤0.15)薄膜；所述金属M为Ir或Cu；将所述β‑(MxGa1‑x)2O3薄膜在缺氧环境下退火处理，然后采用含氮的具有氧化性的超临界流体处理，得到所述p型氧化镓薄膜。通过该方法能够有效地调整氧化镓价带顶的能量与带宽以及价带顶高度，同时降低价带顶中空穴的有效质量，并能提高氮的有效掺杂浓度和降低No的电离能，从而实现制备高质量的p型氧化镓薄膜。
一种氧化薄膜及其制备方法

[发明专利]压电MEMS换能器及其运行方法、制备方法-CN202311015626.5在审
发明人：黄湘俊;朱莉莉;石正雨;罗士忠;肖晶晶 -专利权人： 湖北九峰山实验室
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H04R19/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种压电MEMS换能器及其运行方法、制备方法，压电MEMS换能器包括：内设空腔的衬底、设置于衬底上的至少一个振膜结构；每个振膜结构包括：支撑薄膜、设置于支撑薄膜上侧、下侧或者上下两侧的压电复合结构；压电复合结构包括：至少一个压电层及多个电极层；电极层的数量为压电层的数量加一；压电层与电极层交替上下排列。本申请在内设空腔的衬底上设置至少一个振膜结构；通过对不同压电层的极化，以及对压电复合结构之间进行合理的电气连接，当压电MEMS换能器用作执行器或传感器时，可以获得相较于现有结构更大的振动偏移、驱动力以及发射声压级，或者获得更大的接收灵敏度以及更高的信噪比。
压电 mems 换能器及其运行方法制备

[发明专利]压电MEMS发声器、扬声器及发声器制作方法-CN202311014275.6在审
发明人：黄湘俊;朱莉莉;石正雨 -专利权人： 湖北九峰山实验室
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H04R19/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种压电MEMS发声器、扬声器及发声器制作方法，基底的底部中心区域具有空腔，其上表面具有绝缘层；至少一个压电复合单元设置在基底上表面的中心区域，其他压电复合单元设置在基底上表面的边缘区域；每个压电复合单元的预设位置具有金属层沉积形成的焊盘，其他区域沉积有钝化层；在与空腔对应的基底的上部，具有至少一个凹槽，每个凹槽内和开口位置的预设区域覆盖填充有柔性材料，具有至少一个凹槽的基底的上部区域形成振动薄膜。该发声器在基底的上部区域设置凹槽，有助于释放压电复合单元和振动薄膜的应力，在凹槽内覆盖填充柔性材料，可以防止声音泄露，同时可以降低振动薄膜的质量，进而提升声压级。
压电 mems 发声器扬声器制作方法

[发明专利]一种压电MEMS扬声器及其制备方法-CN202311016755.6在审
发明人：黄湘俊;朱莉莉;石正雨;罗士忠;肖晶晶 -专利权人： 湖北九峰山实验室
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H04R19/02 文献下载
摘要：本发明涉及扬声器技术领域，尤其涉及一种压电MEMS扬声器及其制备方法，所述压电MEMS扬声器包括：本体，所述本体上开设有空腔区域；振动薄膜，设于所述空腔区域上方并与所述本体上表面连接；悬臂梁弹簧结构，有多个，多个所述悬臂梁弹簧结构依次连接沿所述本体上表面周向设置；所述悬臂梁弹簧结构包括固定端和自由端。在本申请中在振动薄膜上设置第一压电复合结构、在悬臂梁弹簧上设置第二压电复合结构，根据第一压电复合结构与第二压电复合结构的电极化方向，将第一压电复合结构与第二压电复合结构串联或并联，从而提高MEMS扬声器的驱动力和机械特性，从而使得MEMS扬声器获得更大的声压级输出。
一种压电 mems 扬声器及其制备方法

[发明专利]多沟道氧化镓太赫兹耿氏二极管器件及其制备方法-CN202310774620.X在审
发明人：吴畅;周瑞;王凯 -专利权人： 湖北九峰山实验室
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N80/10 文献下载
摘要：本发明提供一种多沟道氧化镓太赫兹耿氏二极管器件及其制备方法，上述的二极管器件包括衬底、缓冲层、多沟道层、阳极及阴极；缓冲层设于衬底上，多沟道层设于缓冲层背离衬底的一侧；多沟道层为多个，多个多沟道层依次堆叠布设；任一多沟道层由沟道层、δ掺杂层和势垒层构成，沟道层设于衬底上，δ掺杂层设于沟道层和势垒层之间；阳极和阴极均垂直设于缓冲层上、且分别与多沟道层的两侧欧姆接触。该二极管器件具有更高的击穿电场，可以承受更大的输入电压，使其保障在THz工作波段的同时，实现器件的高输出功率，兼具高频率高输出功率优势，能够有效提高器件性能的稳定性和可靠性。
沟道氧化赫兹耿氏二极管器件及其制备方法

[发明专利]一种集成MOSCAP的波导结构及包含其的相位调制器-CN202310691460.2在审
发明人：胡浩;王红莉;胡昌宇;沈晓安 -专利权人： 湖北九峰山实验室
申请日： 2023-06-11 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种集成MOSCAP的波导结构及包含其的相位调制器。该波导结构，由波导、下电极层、绝缘体层和栅极组成，从下到上依次由所述下电极层、所述绝缘体层和所述栅极构成的三明治结构位于所述波导的上方；所述波导为无掺杂的单晶硅，所述下电极层为导电硅材料。采用该波导结构制备得到的相位调制器，保持了下电极层高迁移率且掺杂浓度和厚度高度更加可控，相对于现有的采用整个硅波导作为下电极，能够避免在非有效调制区域引入高载流子浓度以及造成额外的光学损耗，整体损耗低、功耗低，且具有较好的相位调制效果。
一种集成 moscap 波导结构包含相位调制器

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