专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果11755123个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]半导体结构-CN202011228789.8在审
  • V·N·K·尼拉帕拉;D·C·潘迪;N·考希克 - 美光科技公司
  • 2020-11-06 - 2021-06-18 - H01L27/108
  • 描述了涉及半导体结构的系统、设备和方法。实例设备包含在半导体衬底材料中形成的第一沟槽和第二沟槽,其中所述第一沟槽和所述第二沟槽邻近且由所述半导体衬底材料隔开。所述设备包含:在所述第一沟槽中形成到第一高度的金属材料,所述第一高度相对于所述半导体衬底材料小于在所述第二沟槽中形成的所述金属材料的第二高度:以及在所述第一沟槽中的所述金属材料上方形成到第一深度的多晶硅材料,所述第一深度相对于所述半导体衬底材料大于在所述第二沟槽中的所述金属材料上方形成的所述多晶硅材料的第二深度。在所述第一沟槽中形成的所述多晶硅材料的较大的第一深度减少了经由所述第一沟槽中的所述金属材料的电荷转移。
  • 半导体结构形成
  • [发明专利]半导体结构-CN202011251920.2在审
  • F·A·席赛克-艾吉;C·雅各布 - 美光科技公司
  • 2020-11-11 - 2021-06-18 - H01L21/8242
  • 本申请案涉及半导体结构。实例设备包含形成在衬底中的第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区通过所述沟道分离。所述实例设备进一步包含通过电介质材料与所述沟道分离的栅极,及形成在连接到所述栅极的高纵横比沟槽中的存取线。所述存取线包含形成在所述沟槽中的第一氮化钛TiN材料、形成在所述第一TiN材料上方的金属材料及形成在所述金属材料上方的第二TiN材料。
  • 半导体结构形成
  • [发明专利]半导体结构-CN202011211016.9在审
  • 胡申;刘鸿威;李晓;解志强;C·施塔勒;J·B·赫尔;A·A·卡恩德卡尔;T·A·菲古拉 - 美光科技公司
  • 2020-11-03 - 2021-06-22 - H01L27/108
  • 本申请案涉及半导体结构。实例设备包含形成衬底材料的工作表面。所述实例设备包含形成于所述衬底材料的所述工作表面上的两个半导体结构之间的沟槽。所述实例设备进一步包含形成于与分离第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域的沟道区域对置的所述半导体结构的相邻侧壁上的存取线。所述实例设备进一步包含形成于所述半导体结构的所述侧壁的一部分之上的时控形成抑制剂材料。所述实例设备进一步包含形成于所述半导体结构之上以围封所述存取线之间的非实心空间的电介质材料。
  • 半导体结构形成
  • [发明专利]结构方法-CN98115634.7无效
  • S·施瓦泽尔;M·恩格尔哈德特 - 西门子公司
  • 1998-07-02 - 1999-03-03 - H01L21/8229
  • 本发明涉及一种结构方法,至少可制备一种欲成结构的薄层,该方法包括步骤在衬底上制备欲成结构的薄层,在欲成结构的薄层上制备掩膜,对欲成结构的薄层进行干蚀刻,其中至少配有一种反应性物质。本发明方法的特征在于,当干蚀刻时,反应性物质和掩膜材料和/或衬底材料在掩膜和/或衬底表面上反应形成一种非挥发性化合物。
  • 结构形成方法
  • [发明专利]栅极结构方法-CN200910196206.5有效
  • 罗飞;邹立 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2009-09-23 - 2011-04-20 - H01L21/28
  • 一种栅极结构方法,包括:提供衬底;在所述衬底表面依次形成栅介质层、多晶硅层、金属硅化物层和硬掩膜层;在所述硬掩膜层表面形成光刻胶图形,所述光刻胶图形与栅极对应;以所述光刻胶图形为掩膜,采用等离子体刻蚀工艺,依次刻蚀硬掩膜层、金属硅化物层和多晶硅层,形成栅极;且所述金属硅化物层的宽度小于多晶硅层;对金属硅化物层、多晶硅层、栅介质层以及衬底进行退火。
  • 栅极结构形成方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top