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- [发明专利]半导体结构形成-CN202011228789.8在审
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V·N·K·尼拉帕拉;D·C·潘迪;N·考希克
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美光科技公司
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2020-11-06
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2021-06-18
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H01L27/108
- 描述了涉及半导体结构形成的系统、设备和方法。实例设备包含在半导体衬底材料中形成的第一沟槽和第二沟槽,其中所述第一沟槽和所述第二沟槽邻近且由所述半导体衬底材料隔开。所述设备包含:在所述第一沟槽中形成到第一高度的金属材料,所述第一高度相对于所述半导体衬底材料小于在所述第二沟槽中形成的所述金属材料的第二高度:以及在所述第一沟槽中的所述金属材料上方形成到第一深度的多晶硅材料,所述第一深度相对于所述半导体衬底材料大于在所述第二沟槽中的所述金属材料上方形成的所述多晶硅材料的第二深度。在所述第一沟槽中形成的所述多晶硅材料的较大的第一深度减少了经由所述第一沟槽中的所述金属材料的电荷转移。
- 半导体结构形成
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