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[发明专利]一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器-CN202211303364.8在审
发明人：巫江;唐星宇;郭大千;沈凯;李创;任翱博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器，属于红外探测器技术领域，目的在于提供一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器，引入一种全新设计的空穴势垒结构，该空穴势垒降低了陷阱相关的隧穿，与吸收层之间的单级势垒Np结降低了SRH相关暗电流，和电子势垒组合形成互补势垒CBIRD结构，解决了现有技术中InAs/InAsSb T2SL探测器暗电流高、响应度/比探测率较低等问题。其包括衬底，衬底上表面从下至上依次设置有缓冲层、底部接触‑空穴势垒层、吸收层、电子势垒层、顶部接触层，底部接触‑空穴势垒层上表面设置底部接触电极，顶部接触层上表面设置有顶部接触电极。本发明适用于一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器。
一种互补 cbird 结构长波红外探测器

[发明专利]一种多量子阱结构、LED外延片及其制备方法-CN201910541344.6在审
发明人：柳颜欣;马旺;王成新 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种多量子阱结构，为9层的上下层叠加结构，9层按照从下往上的顺序依次为GaN势垒层、AlGaN势垒层、GaN势垒层、InGaN势阱层、低温InGaN势阱层、InGaN势阱层、GaN势垒层、AlGaN势垒层、GaN势垒层；本申请还提供了一种LED外延片；本申请还提供了一种LED外延片的制备方法；本发明能够有效降低阱垒界面间的应力，缓解能带的弯曲，AlGaN势垒层能有效加强对电子的阻挡，低温InGaN势阱层能够提高空穴和电子注入有源区效率和辐射复合效率，从根本上提高晶体质量和内量子效率，从而提高器件性能，将有源区的出光效率提高了37％左右。
势垒层势阱层多量子阱结构源区制备申请空穴辐射复合效率内量子效率出光效率电子注入叠加结构器件性能有效加强上下层阻挡缓解

[发明专利]一种发光器件和显示面板-CN201911012347.7有效
发明人：高宇;刘孟宇;张银;李飞霞 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：该发光器件包括层叠设置的第一电极、空穴传输层、发光层和第二电极；还包括空穴注入提升层；空穴注入提升层设置于空穴传输层和发光层之间；空穴注入提升层用于提升空穴的注入。通过设置发光器件包括空穴注入提升层，可以提升将空穴注入至发光层的能力，缓解能级势垒导致的空穴注入能力差的问题，从而降低了发光器件的开启电压，减小了发光器件的功耗，提高了发光器件的性能。
一种发光器件显示面板

[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法-CN201510995528.1在审
发明人：陈亚文;谢相伟;肖标 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，其自下而上依次包括：衬底、阳极层、空穴注入功能层、量子点发光层、电子传输层及阴极层，其中，所述空穴注入功能层由空穴注入层或空穴传输层中引入全氟离子聚合物形成。本发明通过在空穴注入层或者空穴传输层中引入全氟离子聚合物，形成功函数渐变的空穴注入层或者空穴传输层，可减小界面处的空穴注入势垒，提高空穴注入；另外，还可以简化器件结构，避免使用多层结构提高空穴注入，节约制备成本
一种量子发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种具有组分渐变量子阱结构的深紫外LED及制备方法-CN202011196368.1有效
发明人：张骏;岳金顺;梁仁瓅 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有组分渐变量子阱结构的深紫外LED及其制备方法，该具有组分渐变量子阱结构的深紫外LED由下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、组分渐变的量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN接触层；组分渐变的量子阱有源层包括依次交替排布的若干势阱层和若干势垒层，且沿n型AlGaN电子注入层到电子阻挡层的方向上，第m+1层势垒层的Al组分含量百分数大于第m层势垒层的Al组分含量百分数。本发明在生长量子阱有源层的过程中，使若干势垒层呈现出Al组分递增的趋势，从而使量子阱有源层的等效势垒高度提高，促进电子和空穴在量子阱有源层的复合，提高了深紫外LED的发光效率。
一种具有组分渐变量子结构深紫 led 制备方法

[发明专利]光电器件-CN202011637679.7在审
发明人：杨一行;周礼宽;王天锋 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层和阴极，所述量子点发光层中包含核壳结构的量子点材料，所述量子点材料的外壳层为ZnSeS，所述空穴传输层中空穴传输材料的迁移率高于本申请提供的光电器件，量子点的外壳层采用ZnSeS，对于量子点核壳结构中激子的束缚能力适中，外壳层对载流子的隧穿效应影响较小，要构建价ΔEEML‑HTL≥0.5eV的空穴注入势垒，所需的空穴传输材料的价带顶能级相对较浅。HTL材料的空穴迁移率大于等于1×10‑4cm2/Vs时，即可同时满足构建空穴注入势垒，和确保空穴传输注入量子点材料内的效率
光电器件

[发明专利]一种在GaN HEMT器件中形成多功能p-GaN电极的方法及器件-CN202011500550.1在审
发明人：李亦衡;武乐可;夏远洋;张葶葶;朱友华;朱廷刚 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种在GaN HEMT器件中形成多功能p‑GaN电极的方法，包括形成外延结构，使二维电子气完全耗尽，对p‑GaN层进行蚀刻，保留用于形成栅极的p‑GaN区域，使二维电子气重新出现，沉积钝化层，在注入电极的位置对钝化层进行蚀刻至势垒层形成空穴，在空穴位置的势垒层上生长附加势垒层、p‑GaN层，并保持二维电子气不耗尽，形成栅极，形成源极、漏极，在p‑GaN层上注入电极，并使注入电极自动连接到漏极，在p‑GaN区域处形成电介质层。
一种 gan hemt 器件形成多功能电极方法

[发明专利]一种能精确控制IGBT空穴载流子注入的制造方法-CN201810536795.6在审
发明人：陈译;陈利;张军亮 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制造技术领域，特别提供一种能精确控制IGBT空穴载流子注入的制造方法。所采用的晶圆是通过直拉法得到的，对晶圆背面减薄后，再通过金属蒸发工艺或溅射工艺，将势垒金属Pt、Ir、AlSi附着于IGBT背面，减薄后的晶圆背面所含有的氧原子溶度将与原先衬底中所含的氧原子溶度基本保持一致所述背面肖特基结的形成工艺包括势垒金属层的形成和低温退火处理；所述退火处理的温度在400～550℃之间。通过低温退火使晶圆背面一部分的氧原子形成溶度在5×10¹³cm^‑3以上的热施主，在结合处与势垒金属构成肖特基结。本发明通过采用不同的势垒金属和低温处理的条件，能精确控制集电极区掺杂物活性化率，从而精确控制IGBT集电极区的空穴注入效率。
晶圆背面势垒金属氧原子溶度空穴载流子低温退火肖特基结减薄背面半导体器件制造金属蒸发工艺空穴注入效率势垒金属层低温处理活性化率集电极区退火处理掺杂物结合处热施主直拉法衬底溅射晶圆附着制造

[发明专利]一种氮化镓器件及其制造方法、半导体集成平台-CN202210170106.0在审
发明人：魏进;杨俊杰;吴妍霖 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供一种氮化镓器件及其制造方法、半导体集成平台，在衬底上可以依次堆叠第一势垒层、沟道层和第二势垒层，第一势垒层、沟道层和第二势垒层的材料为Ⅲ‑Ⅴ族化合物，且第一势垒层和第二势垒层的带隙大于沟道层的带隙，由于极化效应使第一势垒层和沟道层之间形成空穴积累层，沟道层和第二势垒层之间形成的二维电子气作为器件的沟道，之后可以形成第二势垒层上的源极以及与源极电连接的连接结构，连接结构完全贯穿第二势垒层且至少部分贯穿沟道层，这样连接结构将源极和空穴积累层连接在一起，使空穴积累层的电位和源极电位一致，空穴积累层作为二维电子气和衬底之间的屏蔽层，抑制衬底效应对二维电子气的调制作用，提高器件性能。
一种氮化器件及其制造方法半导体集成平台

[发明专利]一种提高有机电致发光器件性能的阳极修饰方法-CN201210283839.1有效
发明人：汪青;彭俊彪;王坚;陈亚文;艾娜;韩绍虎;董婷;胡典钢 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：一种提高有机电致发光器件性能的阳极修饰方法，用溶剂对空穴注入层进行接触处理。本发明利用溶剂对聚合物电致发光器件的空穴注入层进行简单的接触处理，可以提高空穴注入势垒，从而在阳极一侧有效阻挡空穴，实现有机发光层内电子和空穴的平衡，最终在不牺牲工作电压的基础上显著提高器件的亮度、效率和稳定性
一种提高有机电致发光器件性能阳极修饰方法

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201610350858.X有效
发明人：舒立明;叶大千;张东炎;刘晓峰;高文浩;吴超瑜;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：非掺氮化物层、N型层、发光层、电子阻挡层、P型层；其中电子阻挡层由下至上依次为生长模式渐变的AlGaN层、P型氮化镓合并层，AlGaN层由二维生长模式向三维生长模式渐变，该结构在实现电子有效阻档的同时降低了空穴注入势垒，二维AlGaN层所形成的势垒对大部分电子实现了有效阻挡，渐变至三维生长模式时形成了孔洞；而P型氮化镓合并层在填充AlGaN层所形成孔洞时形成了空穴注入点，空穴倾向于从注入点遂穿至发光区，从而提高了空穴注入效率
发光二极管及其制作方法

[发明专利]功率器件及其制备方法、电子装置-CN202110852751.6在审
发明人：唐高飞;黄伯宁;王汉星;包琦龙;徐越 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：功率器件包括GaN缓冲层、第一势垒层、第二势垒层、阻挡层、第一p‑(Al)GaN部与栅极。GaN缓冲层、第一势垒层层叠设置，第一势垒层设有第一通孔，第二势垒层覆盖于第一势垒层背离GaN缓冲层的一侧，第二势垒层于第一通孔处形成沟槽，阻挡层设于第二势垒层背离GaN缓冲层的一侧，阻挡层设有第二通孔，第一p‑(Al)GaN部设于第二通孔并与第二势垒层接触，栅极设于第一p‑(Al)GaN部背离阻挡层的一侧。阻挡层能够在刻蚀p‑(Al)GaN时保护第二势垒层，减少刻蚀对第二势垒层的损伤，防止反向导通时空穴从第一p‑(Al)GaN部注入到第二势垒层中。
功率器件及其制备方法电子装置

[发明专利]一种光电探测器及其制备方法-CN202310751771.3在审
发明人：董栩婷;张畅;黄永;包军林;王亦飞;卢灏;解靖飞;常娟雄;陈财;龚子刚;万坤;邵语嫣;陈兴;王东;吴勇 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，其中的光电探测器包括：衬底以及依次设置于衬底上的缓冲层和沟道层；势垒层，设置于沟道层上，势垒层包括分别覆盖沟道层上的阴极位置区域和阳极位置区域的第一子势垒层和第二子势垒层，以及位于第一子势垒层和第二子势垒层之间且分别与第一子势垒层和第二子势垒层相连的第三子势垒层和第四子势垒层；第一钝化隔离层，填充于势垒层中的间隙内；阴电极和阳电极，分别设置于第一子势垒层和第二子势垒层上；空穴传输层，设置于阴电极以及第一钝化隔离层上，且空穴传输层与阳电极之间具有隔离间隙；透明导电层，设置于空穴传输层上。
一种光电探测器及其制备方法

[发明专利]基于P型掺杂AlScN/AlScN超晶格势垒层的高效发光二极管及制备方法-CN201910465077.9有效
发明人：张雅超;马德璞;许晟瑞;王学炜;张进成;马佩军;张春福;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于P型掺杂AlScN/AlScN超晶格势垒层的高效发光二极管及制备方法，主要解决现有p型区空穴注入效率低，量子阱当中存在电子泄漏的问题。xGa1‑xN/AlyGa1‑yN的多量子阱层和一个势垒层，且势垒层采用P型掺杂AlmSc1‑mN/AlnSc1‑nN超晶格结构，以实现与电子阻挡层间的电子耗尽，本发明减少了电子泄漏，降低了空穴注入势垒，提高了量子阱中空穴浓度，可用来制做高效率的紫外和深紫外发光设备。
基于掺杂 alscn 晶格势垒层高效发光二极管制备方法

[发明专利]具有屏蔽背栅效应的高侧及低侧GAN FET的单片集成-CN202211631318.0在审
发明人：李东燮;Q·法里德;S·赛特拉曼;J·乔;C·S·徐 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种电子装置(100)包含：缓冲结构(106、108、114)上方的氮化铝镓、氮化铝、氮化铟铝或氮化铟铝镓背势垒层(116)中的一者；所述背势垒层(116)上方的氮化镓层(118)；所述氮化镓层(118)上方的异质外延结构(120、121)；所述异质外延结构(120、121)上方的第一及第二晶体管(101、102)；及空穴注入器(126)，其具有在所述异质外延结构(120、121)上方的经掺杂氮化镓结构(124)及部分地在所述经掺杂氮化镓结构(124)上方的导电结构(131)，用于注入空穴以在所述背势垒层(116)及所述缓冲结构(106、108、114)的界面(115)附近形成空穴层，从而减轻第一晶体管
具有屏蔽效应 gan fet 单片集成