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[发明专利]P型沟道GaN基结构及电子器件-CN201910265671.3有效
发明人：黄森;王鑫华;刘新宇;魏珂;施雯 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种P型沟道GaN基结构及电子器件，P型沟道GaN基结构包括：一外延结构，该外延结构包含：衬底；非故意掺杂GaN缓冲层，形成于衬底之上；背势垒层，形成于非故意掺杂GaN缓冲层之上；以及沟道层，形成于背势垒层之上；其中，背势垒层的材料为与GaN晶格匹配的势垒层材料。通过采用晶格匹配的InAlN或InAlGaN背势垒代替常规AlGaN背势垒，在增强极化形成P沟道的同时，也能在此背势垒上生长出高质量的InGaN沟道，确保仅通过一次成型生长工艺便能制造出高空穴迁移率的P
沟道 gan 结构电子器件

[发明专利]光电器件-CN202011638940.5在审
发明人：杨一行;王天锋;周礼宽;吴龙佳 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括依次叠层设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，量子点发光层中包括核壳结构的量子点材料，量子点材料的外壳层材料与空穴传输材料的价带顶能级差大于等于本申请提供的光电器件，在量子点材料的外壳层材料与空穴传输材料之间构建了≥0.5eV的势垒来降低空穴的注入效率，同时通过表面羟基量≤0.4的氧化锌电子传输薄膜层，提高电子的传输注入效率，使发光器件中空穴与电子的注入速率平衡，提高电子与空穴复合效率，避免因载流子注入不平衡导致的电荷积累，提高发光器件发光效率和使用寿命。
光电器件

[发明专利]一种降低导通电阻的功率半导体器件结构及其制备方法-CN202110105602.3在审
发明人：李钊君;田鸿昌;何晓宁;陈晓炜;弓小武 -专利权人：陕西半导体先导技术中心有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：包括N‑漂移区，位于N‑漂移区上面的Pbody、N+源区、P+接触区，沟槽栅自Pbody区垂直深入至N‑漂移区，在N‑漂移区背面形成有P+集电区；在所述Pbody区与N‑漂移区接触面间引入有一层N型薄层空穴势垒层；所述N型薄层空穴势垒层的掺杂浓度高于N‑漂移区的掺杂浓度且低于Pbody区掺杂浓度。本发明通过N型薄层空穴势垒层的引入可以阻止集电极P+区内的空穴进入Pbody区，因而大量的空穴储存在N‑漂移区内，增大了漂移区的非平衡载流子浓度，导致器件正向导通时N‑漂移区电阻Rdrift降低，从而降低器件导通电阻
一种降低通电功率半导体器件结构及其制备方法

[发明专利]空穴传输材料及其制备方法、光电器件-CN202011164506.8在审
发明人：吴劲衡;何斯纳;吴龙佳 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请属于光电器件技术领域，尤其涉及一种空穴传输材料及其制备方法，以及一种光电器件。其中，空穴传输材料包括结合有亲核基团和/或亲电基团的二维烯半导体材料，所述二维烯半导体材料的HOMO能级为‑5eV～‑4.5eV。本申请空穴传输材料，不但具有强的自旋‑轨道耦合和一定的带隙，表现出优越的半导体特性，载流子迁移性能高；而且材料的HOMO能级与量子点发光层的空穴注入匹配，进一步提升了空穴的传输效率，化了空穴功能层与发光层之间的势垒，更有利于空穴注入到发光层中，提高发光层中电子与空穴的复合效率。
空穴传输材料及其制备方法光电器件

[发明专利]倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件-CN201610213606.2有效
发明人：曹进;周洁;谢婧薇;魏翔;俞浩健 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、蓝光量子点发光层、空穴平衡层、空穴传输层以及阳极。空穴传输层包括依次层叠的第三空穴传输层、第二空穴传输层和第一空穴传输层。空穴平衡层的厚度为5nm～10nm。第三空穴传输层、第二空穴传输层及第一空穴传输层的HOMO能级依次减小，从而在蓝光量子点发光层与阳极之间形成阶梯性势垒，达到逐步提高空穴传输层的空穴注入能力，满足蓝光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入的要求进一步的，空穴平衡层能够阻止高迁移率的第一空穴传输材料与蓝光量子点发光层的直接接触，避免造成发光猝灭。
倒置光量子薄膜电致发光器件

[发明专利]倒置绿光量子点薄膜电致发光器件-CN201610213595.8有效
发明人：曹进;周洁;谢婧薇;魏翔;俞浩健 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒置绿光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、绿光量子点发光层、空穴平衡层、空穴传输层以及阳极。空穴传输层包括依次层叠的第三空穴传输层、第二空穴传输层和第一空穴传输层。空穴平衡层的厚度为5nm～10nm。第三空穴传输层、第二空穴传输层及第一空穴传输层的HOMO能级依次减小，从而在绿光量子点发光层与阳极之间形成阶梯性势垒，达到逐步提高空穴传输层的空穴注入能力，满足绿光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入的要求进一步的，空穴平衡层能够阻止高迁移率的第一空穴传输材料与绿光量子点发光层的直接接触，避免造成发光猝灭。
倒置光量子薄膜电致发光器件

[发明专利]一种含掺杂宽势垒结构的黄绿光LED-CN201410538801.3有效
发明人：林鸿亮;李全素;徐培强;杨凯;张双翔;张银桥;王向武;李忠辉 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种含掺杂宽势垒结构的黄绿光LED，属于光电子技术领域，包括在GaAs衬底的一面生长的缓冲层、布拉格反射层、第一限制层、非掺杂超晶格第一有源层、掺杂宽势垒结构层、非掺杂超晶格第二有源层、第二限制层、GaP本发明可提高有源区的空穴注入，提升电子空穴复合效率，从而较大地提高产品光效，提升2%～4%芯片合格率，因此，本发明能够大量生产发光波长560～580nm范围的高效率及高产出良率的黄绿光波段的LED。
一种掺杂宽势垒结构黄绿 led

[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法-CN202011632279.7在审
发明人：严怡然 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括设置在阴极和阳极之间的量子点发光层，以及设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，所述空穴传输层与所述量子点发光层之间设置有界面层，所述界面层材料为LiPON；所述界面层的HOMO能级大于所述空穴传输层的HOMO能级且小于所述量子点发光层的HOMO能级。本发明中，所述界面层可有效降低空穴注入势垒，提高空穴注入速率，同时有效防止电子发生隧穿与空穴在非量子点发光区复合，从而提高器件的发光效率。
一种量子发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种双胺衍生物及其有机电致发光器件-CN202310154830.9在审
发明人：陆影;郭建华;董秀芹;韩春雪 -专利权人：长春海谱润斯科技股份有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C07C211/54 文献下载
摘要：本发明提供的氘代双胺衍生物具有高空穴传输能力，增加了空穴和电子的传输平衡，有效地阻挡电子穿过发光层，增大激子在发光层内的复合几率；与此同时，该双胺衍生物还具有高HOMO能级，降低空穴注入和传输的能量势垒，有利于空穴的注入和传输，并且该空穴传输层材料具有较高的玻璃化转变温度，不易结晶、成膜性好的优点，将其作为空穴传输材料应用于有机电致发光器件中，显著提高器件的发光效率和延长使用寿命。
一种衍生物及其有机电致发光器件

[发明专利]一种双胺衍生物及其有机电致发光器件-CN202310154640.7在审
发明人：陆影;郭建华;董秀芹;韩春雪 -专利权人：长春海谱润斯科技股份有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C07C211/54 文献下载
摘要：本发明提供的氘代双胺衍生物具有高空穴传输能力，增加了空穴和电子的传输平衡，有效地阻挡电子穿过发光层，增大激子在发光层内的复合几率；与此同时，该双胺衍生物还具有高HOMO能级，降低空穴注入和传输的能量势垒，有利于空穴的注入和传输，并且该空穴传输层材料具有较高的玻璃化转变温度，不易结晶、成膜性好的优点，将其作为空穴传输材料应用于有机电致发光器件中，显著提高器件的发光效率和延长使用寿命。
一种衍生物及其有机电致发光器件

[发明专利]有机EL元件-CN201080068393.X有效
发明人：原田健史;西山诚司;小松隆宏;竹内孝之;大内晓;冢本义朗;藤村慎也;坂上惠 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供一种有机EL元件，能够耐受有机EL显示面板的量产工艺，且能实现优异的空穴注入效率，在低电压驱动下具有高发光效率。具体而言，在基板（10）的一面依次层叠阳极（2）、空穴注入层（3）、缓冲层（6A）、发光层（6B）、阴极（8）而构成有机EL元件（1000）。在空穴注入层（3）的表面形成堤（12）以使得包围所述缓冲层（6A）以上的结构。空穴注入层（3）通过溅射成膜氧化钨薄膜来形成。此时，将氧化钨成膜为在其电子态中使比价电子带最低的结合能低1.8～3.6eV的结合能区域内存在占有能级，降低对所述缓冲层（6A）的空穴注入势垒。在空穴注入层（3）的上面形成凹部（4a），使该凹部的内面与功能层（缓冲层（6A）或发光层（6B））接触。
有机 el 元件

[发明专利]顶发射有机电致发光器件及其制备方法-CN201180070970.3无效
发明人：周明杰;王平;冯小明;黄辉 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种顶发射有机电致发光器件（OLED）及其制备方法，该顶发射有机电致发光器件包括依次层叠的衬底（101）、阳极层（102）、自组装分子修饰层（103）、空穴传输层（104）、发光层（105）、电子传输层（106）、电子注入层（107）和阴极层（108）。自组装分子修饰层（103）提高了阳极层（102）的功函数，降低了阳极层（102）和空穴传输层（104）之间的空穴注入势垒，使OLED器件的启动电压降低，并提高了OLED器件的发光效率。
发射有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法-CN201711473964.8在审
发明人：陈果;张鹏鹏;凌志天;司长峰;朱文清;张建华;魏斌 -专利权人：上海大学
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：所述有机电致发光器件由底向顶依次包括：阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极；所述电子注入层为掺杂碱金属盐的氧化锌薄膜，所述掺杂碱金属盐的氧化锌薄膜是利用掺杂碱金属盐的氧化锌氨水溶液旋涂在所述阴极之上制备而成的本发明利用掺杂碱金属盐的氧化锌薄膜作为电子注入层，能够降低电子注入层与电子传输层之间的能量势垒，从而提高器件的电流效率和发光亮度。
电子注入层碱金属盐有机电致发光器件氧化锌薄膜掺杂制备阴极电子传输层空穴传输层空穴注入层氨水溶液电流效率能量势垒阳极发光层氧化锌旋涂发光

[发明专利]一种高光效发光二极管及制备方法-CN202310677570.3在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种高光效发光二极管及制备方法，高光效发光二极管包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层；其中，有源层包括按预设周期交替沉积在n型GaN层上的势阱层和复合势垒层，复合势垒层包括AlGaN势垒层和氧杂质调控势垒层，氧杂质调控势垒层中氧杂质的浓度不高于5E+16 atoms/cm3。本发明在复合势垒层中插入硼掺氮化物结构的氧杂质调控势垒层，减少电子溢流至P层GaN层与空穴发生非辐射复合，提高有源层的载流子的发光效率。
一种高光效发光二极管制备方法

[发明专利]超晶格梯度能带空穴势垒层结构以及红外探测器-CN202010997397.1有效
发明人：刘永锋;张传杰 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明涉及空穴势垒层技术领域，提供了一种超晶格梯度能带空穴势垒层结构，包括n级超晶格层，每级超晶格层均包括由下向上依次生长的InAs层、第一GaSb层、AlSb层以及第二GaSb层，其中，所述InAs层的周期厚度为还提供一种红外探测器，包括上述的超晶格梯度能带空穴势垒层结构。drawing" imgFormat="JPEG" orientation="portrait" inline="yes" />处，即可实现能带渐变，无需改变超晶格的周期厚度，维持各层生长总时间不变，势垒层导带偏移小，价带偏移大，满足空穴势垒层的设计需求，结构调节灵活，材料容易实现外延生长。
晶格梯度能带空穴势垒层结构以及红外探测器