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[发明专利]倒置绿光量子点薄膜电致发光器件-CN201610213294.5有效
发明人：曹进;周洁;谢婧薇;魏翔;俞浩健 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒置绿光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、绿光量子点发光层、空穴传输层以及阳极。空穴传输层包括层叠的第一空穴传输层和第二空穴传输层。第一空穴传输层的厚度为5nm～15nm。第一空穴传输层的HOMO能级大于第二空穴传输层的HOMO能级，从而在绿光量子点发光层与阳极之间形成阶梯性势垒，达到逐步提高空穴传输层的空穴注入能力，满足绿光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入的要求。
倒置光量子薄膜电致发光器件

[发明专利]基于共振隧穿效应的近红外探测器-CN201510308843.2在审
发明人：王广龙;董宇;倪海桥;陈建辉;高凤岐;乔中涛;裴康明;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所;中国人民解放军军械工程学院
申请日： 2015-06-08 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明提供一种基于共振隧穿效应的近红外探测器，其主体结构是一个共振隧穿二极管，但将共振隧穿二极管通常采用的双势垒结构变更为三势垒结构，以此抑制探测器的散粒噪声，并在三势垒结构和集电极之间外延生长吸收层。探测器工作时加正向偏压，近红外光从集电极入射，并在吸收层产生光生电子一空穴对，光生空穴在电场作用下向三势垒结构方向漂移，并在双势垒结构和吸收层的界面处堆积，进而改变了三势垒结构两侧的电势，增大了隧穿电流
基于共振效应红外探测器

[发明专利]基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法-CN201811000562.0有效
发明人：谢圣文;牛智川;张宇;徐应强;邵福会;杨成奥;张一;尚金铭;黄书山;袁野;苏向斌 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本公开提供一种基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法，该基于数字合金势垒的量子阱结构包括：阱层和势垒层，阱层为体材料结构；势垒层分别形成于阱层的上下表面上，其为数字合金结构。本公开提供的基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法中量子阱结构中势垒层采用数字合金结构，阱层采用体材料结构，此种量子阱结构结合了数字合金和体材料两者的优势：数字合金的能带区别于体材料的能带，更大的电子带阶和空穴带阶可以更有效地将电子和空穴限制在阱内，减小了载流子的泄露，提高了量子效率。
基于数字合金量子结构外延及其制备方法

[发明专利]光电集成器件及其制备方法-CN202310400252.2在审
发明人：于军胜;白雲水;郜燕南;王子君 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H10K65/00 文献下载
摘要：本发明引入新的活性层材料，同时加入倍增层，实现光电流的大幅提升，又引入空穴阻挡层和超薄缓冲层，平衡电荷传输势垒，降低暗电流，同时调整空穴电子传输速率，使其相匹配，实现探测和发光性能的提高，电子注入层的加入，平衡了注入势垒，阻挡水氧入侵，提高了器件功能层在空气中的稳定性，并且分散了激子非辐射复合产生的热量，具有易集成、厚度薄、制程短、成本低的诸多优点。
光电集成器件及其制备方法

[发明专利]一种倒装全溶液量子点电致发光器件及其制备方法-CN201911041738.1在审
发明人：王坚;寸阳珂;麦超晃;罗宇;曹丽娟;黎佳立;俞丹牡;李妙姿;张斌斌;彭俊彪;曹镛 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装全溶液量子点电致发光器件及其制备方法，包括以下步骤：在阴极上依次形成电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，其中在制备空穴注入层时，先将表面活性剂Zonyl加入PEDOT:PSS溶液，充分混合后，在加入极性溶剂得到改性PEDOT:PSS溶液，将所述改性PEDOT:PSS溶液通过旋涂法制备空穴注入层。所述方法解决了溶液加工过程常见的空穴传输材料PEDOT:PSS在疏水性HTL上极难形成均匀的膜，造成器件制备失败的问题。在解决成膜问题的同时，改变了PEDOT:PSS功函数，减小了空穴注入势垒，平衡了空穴电子流，提高了器件性能。
空穴注入层量子点改性制备空穴阴极电致发光器件空穴传输材料空穴注入势垒表面活性剂电子传输层空穴传输层成膜问题充分混合极性溶剂器件性能器件制备溶液加工阳极发光层功函数疏水性倒装减小上极旋涂平衡失败

[发明专利]一种高效GaN基半导体发光二极管-CN201110316113.9无效
发明人：陆卫;夏长生;王少伟;张波;甄红楼;王兴军;陈效双 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所;蓝雨软件技术开发（上海）有限公司
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够增强高注入电流下发光效率的GaN基半导体发光二极管。本发明由衬底、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和电极组成，其中多量子阱发光层中靠近P型AlGaN电子阻挡层的最后一个势垒的带隙沿生长方向线性减小，其材料为此多量子阱结构中其它势垒材料与InN或GaN本发明结构简单、易操作，可以有效减少漏电流，增强空穴的注入效率，提高量子阱中电子和空穴的浓度以及均匀分布性，从而大幅提高其在高注入电流下的发光效率，作为高亮度、高功率器件结构在照明领域具有广泛的应用前景
一种高效 gan 半导体发光二极管

[发明专利]波长6微米的激光器的有源区和激光器-CN202111310275.1有效
发明人：程凤敏;张锦川;卓宁;翟慎强;王利军;刘俊岐;刘舒曼;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：该有源区包括：多个周期级联的子有源区；其中，每个周期的子有源区包括：第一注入区，第一注入区包括第一注入势垒；发光区，发光区包括：至少五个第一量子阱，位于上方的第一量子阱与第一注入区连接；以及至少四个第二注入势垒，相邻的两个第一量子阱之间至少设置一个第二注入势垒；第二注入区，第二注入区包括：至少四个沿预设方向依次连接的子注入区，子注入区包括沿预设方向连接的第三注入势垒和第二量子阱；其中，位于相对上方的子注入区的第三注入势垒与位于下方的第一量子阱连接，第二量子阱的厚度小于第一量子阱的厚度，第三注入势垒的厚度大于第二注入势垒的厚度。
波长微米激光器有源

[发明专利]一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构-CN201611036779.8在审
发明人：莫春兰;全知觉;江风益;陶喜霞;刘军林;王光绪 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：层叠于所述衬底上的GaN基半导体叠层，该半导体叠层至少包含一层N型AlInGaN基半导体层、一层P型AlInGaN基半导体层和夹于N、P层之间的多量子阱发光有源层；特征是在多量子阱发光有源层中，第n量子阱前的量子垒或第n‑1量子阱前的量子垒或第n、n‑1量子阱前的量子垒的禁带宽度大于其它量子垒的禁带宽度。本发明提高了电子注入主要发光阱的势垒，同时也提高了空穴溢出主要发光阱的势垒；可提高主要发光阱中的电子空穴匹配度，减少电子泄露，改善效率骤降效应，从而提高LED的量子效率。
一种 alingan 基多量子发光二极管外延结构

[发明专利]一种HOD器件及其应用-CN202210098602.X在审
发明人：谢梦兰;王静;庞惠卿 -专利权人：北京夏禾科技有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H10K50/15 文献下载
摘要：所述HOD器件包括：阳极，阴极，以及设置在阳极和阴极之间的空穴注入层，空穴传输层和电子阻挡层，所述空穴传输层由第一有机材料形成，选择特定的p型材料掺入第一有机材料或第二有机材料中形成所述空穴注入层。该HOD器件实现了阳极和有机材料之间的欧姆接触，避免了膜层之间的势垒，使用该HOD器件测量第一有机材料的空穴迁移率，能够得到更为准确的结果，更真实地反映有机材料的空穴迁移率。
一种 hod 器件及其应用

[发明专利]一种高空穴注入效率的发光器件及其制备方法-CN202310480393.X在审
发明人：陈崧;孙晓娟 -专利权人：苏州大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10K50/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种高空穴注入效率的发光器件及其制备方法，属于发光器件技术领域。本发明的高空穴注入效率的发光器件，包括依次设置的阳极、空穴注入层、界面功能层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极；空穴注入层的材料为功函数大于5.1eV的材料；界面功能层的材料的最高占据分子轨道HOMO能级比空穴传输层的材料深0.2eV以上，光学带隙大于2.6eV。本发明的发光器件通过在高功函的电极和空穴传输层之间引入具有合适电子能级和能级无序度的界面功能层降低甚至消除电极‑有机半导体之间的费米能级钉扎，有效的降低发光器件中空穴注入势垒，抑制界面处载流子积累，提升空穴注入效率
一种空穴注入效率发光器件及其制备方法

[发明专利]倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件-CN201610213535.6有效
发明人：曹进;周洁;谢婧薇;魏翔;俞浩健 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、蓝光量子点发光层、空穴传输层以及阳极。空穴传输层包括依次层叠的第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层。第一空穴传输层的厚度为5nm～10nm。第一空穴传输层、第二空穴传输层及第三空穴传输层的HOMO能级依次减小，从而在蓝光量子点发光层与阳极之间形成阶梯性势垒，达到逐步提高空穴传输层的空穴注入能力，满足蓝光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入的要求
倒置光量子薄膜电致发光器件

[发明专利]倒置绿光量子点薄膜电致发光器件-CN201610213585.4有效
发明人：林洋;曹进;周洁;谢婧薇;魏翔;俞浩健 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒置绿光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、绿光量子点发光层、空穴传输层以及阳极。空穴传输层包括依次层叠的第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层。第一空穴传输层的厚度为5nm～10nm。第一空穴传输层、第二空穴传输层及第三空穴传输层的HOMO能级依次减小，从而在绿光量子点发光层与阳极之间形成阶梯性势垒，达到逐步提高空穴传输层的空穴注入能力，满足绿光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入的要求
倒置光量子薄膜电致发光器件

[发明专利]倒置型有机发光二极管显示器件及其制备方法-CN201310290051.8有效
发明人：洪飞 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-07-10 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供了倒置型有机发光二极管显示器件及其制备方法，包括：提供一基板，在基板上溅射一层导电材料作为阴极；在阴极上形成一电子传输层，电子传输层为多晶态；在电子传输层上形成一发光层，发光层为非晶态；在发光层上真空蒸镀一空穴传输层，空穴传输层为非晶态；在空穴传输层上真空蒸镀一空穴注入层，空穴注入层为非晶态；以及在空穴注入层上通过真空蒸镀或是溅射沉积阴极，本发明的传输速度可以得到极大的加强，并且阳极与空穴注入层的势垒也可以得到优化，电子和空穴均可以得到高速的传输，不但可以提高效率，而且能降低驱动电压。
倒置有机发光二极管显示器件及其制备方法

[发明专利]纳米颗粒及其制备方法、光电器件及其制备方法-CN202111666102.3在审
发明人：李龙基 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：该纳米颗粒包括量子点，量子点的配体含有可以与空穴传输材料侧链交联基团发生交联的基团。将该纳米颗粒应用在光电器件中，在空穴传输层和发光层之间制备含有该纳米颗粒和可交联空穴传输材料的混合层时，空穴传输材料和纳米颗粒能紧密交联在一起，可减小空穴传输材料的HOMO能级与量子点HOMO能级之间的势垒，有利于空穴从空穴传输材料注入量子点，使得电子和空穴的注入更加平衡，从而提高QLED器件的效率和寿命。
纳米颗粒及其制备方法光电器件

[发明专利]氮化镓非挥发性存储器件及其制备方法-CN202310678685.4在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：合肥美镓传感科技有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10B43/00 文献下载
摘要：该器件包括：衬底、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝氮化镓势垒层、绝缘层和钝化层，铝氮化镓势垒层和氮化镓沟道层接触的界面处形成有二维电子气，铝氮化镓势垒层和氮化镓缓冲层具有体陷阱，绝缘层背离铝氮化镓势垒层的一面复合有相对设置的选择栅极和控制栅极，靠近选择栅极的一端设有源极，靠近控制栅极的一端设有漏极；其中，在控制栅极和源极之间存在施加电压和选择栅极存在施加电位的情况下，氮化镓沟道层产生的热电子和空穴注入至氮化镓缓冲层和铝氮化镓势垒层的体陷阱中
氮化挥发性存储器件及其制备方法