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[发明专利]一种面向全息超表面阵列的混合信道估计方法及其装置-CN202310842627.0在审
发明人：邸博雅;岳韶华;曾书豪 -专利权人： 北京大学
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H04L25/02 文献下载
摘要：本申请涉及通信技术领域，更为具体来说，本申请涉及一种面向全息超表面阵列的混合信道估计方法及其装置。所述方法包括：由第一端接收用户发送的导频信号，其中，第一端包括全息超表面阵列和馈源；对所述导频信号进行处理，得到基带导频信号；根据所述基带导频信号确定待估计的近场和远场混合多径信道，对所述待估计的近场和远场混合多径信道进行建模；针对近场和远场混合多径信道模型，基于功率扩散的正交匹配追踪算法估计出最优的信道状态信息值。本申请能解决近远场的功率扩散所导致的信道估计不精准及误差大的问题，使估计的信道值更为精准。
一种面向全息表面阵列混合信道估计方法及其装置

[发明专利]一种晶圆键合方法和键合结构-CN202310877128.5在审
发明人：王玮;林晨希;陈浪 -专利权人： 北京大学
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆键合方法和键合结构，涉及半导体技术领域，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆的第一表面上依次沉积阻挡层、种子层；在种子层上制备第一支撑层，在第一支撑层上，通过刻蚀制备得到多个待填充盲孔，待填充盲孔的底部为种子层；在待填充盲孔中填充与种子层匹配的金属材料，在金属材料上填充焊料，得到凸点；去除第一表面上除凸点以外的所有材料；在种子层上制备第二支撑层；在第二表面上制备嵌入多个金属衬垫的绝缘层；使第一晶圆与第二晶圆进行对准，使第一晶圆上的凸点与第二晶圆上的金属衬垫一一接触；键合第一晶圆与第二晶圆。
一种晶圆键合方法结构

[发明专利]一种碱金属镀膜气室的气压测量方法及装置-CN202310886318.3在审
发明人：吴腾;郭弘;彭翔;郑俊鹤 -专利权人： 北京大学
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01L11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碱金属镀膜气室的气压测量方法及装置，通过对碱金属镀膜气室磁共振线宽测量系统生成的每个轴向一阶磁场梯度的磁共振信号线宽进行二次函数拟合处理，得到第一二次系数；将基于Langevin扩散模型得到的碱金属原子运行的条件概率密度用于获取碱金属原子的位置自相关函数，并将基于位置自相关函数计算得到的微扰磁场的功率谱密度代入到弛豫时间计算公式中，得到弛豫时间；并将获取的磁共振线宽与轴向一阶梯度的第二二次系数与第一二次系数进行联立，得到碱金属原子扩散系数，用于计算得到碱金属镀膜气室内的背景气体气压；与现有技术相比，本发明无需打破碱金属镀膜气室，即可测量背景气体气压测量，能提高气压测量的便利性。
一种碱金属镀膜气压测量方法装置

[发明专利]一种高生物黏附性和高生物相容性的促周围神经损伤修复新型生物粘合剂的制备及应用-CN202310900040.0在审
发明人：王学清;程韫韬;张强;何冰;张华;代文兵;郭秦炜;杨帅 -专利权人： 北京大学;北京大学第三医院（北京大学第三临床医学院）
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： A61L24/08 文献下载
摘要：本发明属于医药及卫生技术领域，具体涉及一种高生物黏附性和高生物相容性的促周围神经损伤修复新型生物粘合剂的制备及应用，包括以下步骤：(1)、在壳聚糖上接枝乙酰半胱氨酸和多巴制备具有自交联性能的改性壳聚糖凝胶，为粘合层。(2)、制备具有高强度和强韧性的海藻酸钠和聚丙烯酰胺共价/非共价双交联凝胶，为基底层。(3)、将粘合层均匀涂布于基底层上，按照使用的要求切割成不同大小的块状物，即得到高生物黏附性和高生物相容性的促周围神经损伤修复新型生物粘合剂。
一种生物黏附相容性周围神经损伤修复新型粘合剂制备应用

[发明专利]一种3D打印地外星壤及其模拟物的基板装置及其组装方法-CN202310727908.1在审
发明人：易新;王道宽;庞甲飞 -专利权人： 北京大学
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B29C64/245 文献下载
摘要：本公开提供了一种3D打印地外星壤及其模拟物的基板装置，该基板装置包括地外星壤或其模拟物的烧结块、金属框架结构和固定机构。所述金属框架结构具有至少一贯穿空腔，所述地外星壤或其模拟物的烧结块嵌于所述金属框架结构的贯穿空腔内；所述固定机构安装于所述金属框架结构上，用于固定所述地外星壤或其模拟物的烧结块与所述金属框架结构的相对位置。本公开还提供了一种3D打印地外星壤及其模拟物的基板装置的组装方法。本公开利用原位烧结的地外星壤及其模拟物的烧结块作为3D打印的基板材料，并与易于加工且可重复利用的金属框架结构组合成基板装置，从而达成在3D打印过程中快速更换基板和降低成本的目的，并可用于地外基地的建造，有效地实现地外资源的原位利用。
一种打印外星及其模拟装置组装方法

[发明专利]一种磷烷/氘代磷烷及其衍生物的制备方法-CN202210379814.5在审
发明人：张文雄;郝伟;庾江喜;刘威;皇甫鑫磊;胡静远;魏俊年;席振峰 -专利权人： 北京大学
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B25/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种磷烷(PH3)/氘代磷烷(PD3)及其它们的衍生物的制备方法。该方法是通过利用白磷与含质子(H+)/含氘代质子(D+)的化合物或混合物作为反应原料，来高效地制备磷烷或氘代磷烷。该工艺方法与以往的工业合成路线相比，具有反应条件温和，反应速度快，磷原子利用率高，能源消耗低、经济效益高且没有其他含磷副产物等优点。此外，在碱性条件下可以高效、高选择性地转化为相应的衍生物。
一种氘代磷烷及其衍生物制备方法

[发明专利]基于可降解聚合物和微流道制备本征碳纳米管阵列的方法-CN202210387265.6在审
发明人：曹宇;白兰;梁学磊;陈醒醒 -专利权人： 北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司;太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于可降解聚合物和微流道制备本征碳纳米管阵列的方法。采用含有可降解基团的共轭聚合物分离制备高纯度半导体碳纳米管溶液，并基于此溶液采用微流道两相限域自组装法同时在两片衬底上制备高密度碳纳米管阵列，随后使用弱酸性溶剂将碳纳米管表面包裹的可降解聚合物分解为小分子，经过后续清洗、退火等工序，使其完全从碳纳米管表面去除，得到高半导体纯度、高密度和表面无聚合物包裹的本征碳纳米管阵列，为实现碳纳米管的极限性能奠定了材料基础，有利于碳纳米管电子技术的早日应用。
基于降解聚合物微流道制备纳米阵列方法

[发明专利]一种本征型半导体碳纳米管的制备方法-CN202210387364.4在审
发明人：白兰;曹宇;梁学磊;陈醒醒 -专利权人： 北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司;太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种本征型半导体碳纳米管材料的制备方法。通过使用可降解共轭聚合物替代常用的分离聚合物，可实现半导体碳纳米管的分离提纯及表面聚合物的去除。本发明使用的聚合物在保证了半导体碳纳米管的分离产率和高纯度的基础上，在弱酸条件下即可快速降解，分解为小分子，从碳纳米管表面去除，使半导体碳纳米管表现其本征性能。因此，采用本发明的方法可制备得到具有其本征性能的半导体碳纳米管材料，且工艺简单，条件温和，稳定高效，可广泛应用于碳基电子领域。
一种半导体纳米制备方法

[发明专利]金属膜辅助转移石墨烯薄膜的方法及应用-CN202210400148.9在审
发明人：彭海琳;李雯;王赫群;孙禄钊;郑黎明;唐际琳;高欣 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B01D71/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用金属膜辅助转移石墨烯薄膜的方法及其应用。本发明的方法通过金属膜辅助无需任何有机高分子胶层辅助，可消除残胶影响，转移后石墨烯薄膜完整度高、洁净区域广，并可实现批量制备。本发明方法工艺简单、耗时短，制备的复合膜中石墨烯完整度高，可达90％‑99％。并且制备的石墨烯复合膜无需去除金属膜，可直接应用于氢同位素分离。
金属膜辅助转移石墨薄膜方法应用

[发明专利]一种叠层石墨烯基复合膜及其制备方法-CN202210417000.6在审
发明人：彭海琳;王赫群;李雯;郑黎明;高欣;闫明治 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B32B27/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种叠层石墨烯复合膜，包括有机柔性衬底和多层石墨烯，所述有机柔性衬底与石墨烯之间以及石墨烯相互之间通过特定溶液贴合；本发明还公开了一种将石墨烯薄膜转移至有机柔性衬底制备叠层石墨烯基复合膜的方法。该制作方法避免转移介质污染，避免石墨烯向有机柔性衬底转移过程中，对有机柔性衬底的损伤。该方法效率高、成本低、操作简单。所制得叠层石墨烯基复合膜完整度高(大于95％)、薄膜电阻均匀，并可实现批量制备。
一种石墨复合及其制备方法

[发明专利]一种石英基石墨烯薄膜材料的制备方法-CN202210382014.9在审
发明人：刘忠范;孙靖宇;姜蓓 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯的生长方法，在目标衬底石英玻璃上直接生长石墨烯，避免了后续石墨烯转移带来的问题，将退火步骤与石墨烯生长步骤同步进行，制备得到了无岛状伴生结构、无褶皱的石墨烯，得到的石墨烯实现了原子级的平整，且制备方法简单，利于大规模生产。
一种石英基石薄膜材料制备方法

[发明专利]一种面向多值忆阻器阵列的写-校验电路及方法-CN202311141769.0在审
发明人：杨玉超;张权;闫龙皞;黄如;贺晓东;卜伟海 -专利权人： 北京大学;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种面向多值忆阻器阵列的写‑校验电路及方法，属于微电子技术领域；本发明电路包括控制状态机、高电压通路和读出电路，通过写‑校验电路中控制状态机控制高电压通路和读出电路，实现对多值忆阻器阵列的写‑校验，写‑校验电路的读出电路中钳位放大器、钳位三极管和读出电阻组成的钳位电路使得可以读出具有更大开关比的器件的电导值，实现多值器件的精确读出；同时写‑校验方法中等待功能的引入，减少脉冲施加次数，降低弛豫时间对编程精度的影响，可以用更高的精度实现器件的编程。
一种面向多值忆阻器阵列校验电路方法

[发明专利]一种二维半导体垂直场效应晶体管阵列及其制备方法-CN202311204378.9在审
发明人：戴伦;贾雄辉;程智轩;李艳平 -专利权人： 北京大学
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维半导体垂直场效应晶体管阵列及其制备方法。本发明基于二维半导体材料薄膜，二维半导体材料薄膜与源电极和漏电极的侧壁接触，沟道的长度仅由源电极与漏电极间的绝缘层的厚度决定；本发明不需要采用电子束曝光、深紫外光刻和极深紫外光刻等方法，即能够制备出沟道长度在纳米尺度的大面积场效应晶体管阵列；本发明通过源电极和漏电极的侧壁与二维半导体材料薄膜接触，能够降低器件制备成本，而且由于源电极和漏电极在垂直方向构建，并且源电极和漏电极分布在沟道的同一侧，因而减小了单个场效应晶体管的面积，进而能够提高器件密度。
一种二维半导体垂直场效应晶体管阵列及其制备方法

[发明专利]基于安卓设备的远程控制方法、装置、系统及电子设备-CN202311205122.X在审
发明人：王肖群;谭登峰;闫胜兵;郭心 -专利权人： 北京大学;北京仁光科技有限公司
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F9/451 文献下载
摘要：本发明涉及智能设备控制技术领域，提供一种基于安卓设备的远程控制方法、装置、系统及电子设备，其中的方法包括：基于信号源的界面信息采集本地输入事件；确定本地输入事件为鼠标右键事件；当鼠标右键事件构成一个完整事件组时，将鼠标右键事件封装为协议数据包；根据协议数据包控制信号源的界面。该方法通过对采集到的本地输入事件进行分析和识别，将包含鼠标右键按下事件和鼠标右键抬起事件的完整事件组封装为协议数据包，根据该协议数据包控制信号源，该过程不需要专门设置Android系统或修改Android系统内核，信号源能够提取到完整且连续的鼠标右键事件组，保证了鼠标右键事件的完整性和连续性，有效提升了鼠标右键控制灵敏度。
基于设备远程控制方法装置系统电子设备

[发明专利]一种三维存储器阵列及其制备方法-CN202310921868.4在审
发明人：蔡一茂;孙经纬;王宗巍;鲍盛誉 -专利权人：北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司;北京大学
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器阵列架构及其制备方法，属于微纳电子学技术领域。本发明提出的三维1T1R阵列中，每条源线SL由串联的一列晶体管组成，对应有一条字线WL连接到这一列晶体管的栅极，控制这一列晶体管的开关状态。本发明阵列工作时，被访问的器件所在一列晶体管开启，其余列的晶体管关闭；器件所在的SL和位线BL施加相应访问或操作电压，非选通的BL和SL电压保持一致，可以访问到阵列中的任意一个器件。相应的，同时选通多条BL或同时选通多条SL来实现并行访问。采用本发明可以将1T1R阵列的存储密度提升到和目前3D‑Nand Flash存储器相当的程度，远超过目前的1T1R阵列密度。
一种三维存储器阵列及其制备方法

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