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[发明专利]一种面向模拟光计算的全光非线性激活器及其实现方法-CN202310905572.3在审
发明人： 任翱博;藤彩洪;巫江;李创 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向模拟光计算的全光非线性激活器及其实现方法，涉及光学非线性技术领域。该全光非线性激活器包括入射光提供装置、光环形器及与所述光环形器连接的非线性介质，所述入射光提供装置向所述光环形器输入入射光，所述光环形器用于向所述非线性介质传输正向入射的光信号并输出所述非线性介质反向传播的光信号，所述非线性介质用于产生所需的光学非线性响应。可以实现提供具有全光结构的光学非线性激活器，且非线性响应过程中不涉及光电转换，从而更充分的发挥光学优势，支撑全光神经网络的实现，同时稳定性高，响应速度快。解决了现有的光学非线性激活器存在稳定性、响应速度低且不符合高速计算要求的问题。
一种面向模拟计算非线性激活及其实现方法

[发明专利]一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法-CN202210035563.9有效
发明人：巫江;黄一轩;任翱博;沈凯 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N21/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法，属于浊度测试技术领域，目的在于提供一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法，解决现有浊度测试系统检测不便、检测时间地点受控制的问题。其包括MoSe2‑O2光电探测器、照明源、激光驱动器、探测器驱动器、低噪声放大器，所述低噪声放大器和探测器驱动器均与MoSe2‑O2光电探测器电信号连接，所述激光驱动器与照明源电信号连接。本发明适用于光电探测器浊度测试系统。
一种基于光电探测器浊度测试系统构建方法

[发明专利]一种基于神经网络与数据差分的锂电池热失控分层预警方法-CN202210562350.1有效
发明人：孙启皓;郑寅午;司致远;李辰骏;张语芯;汪子涵;沈凯;任翱博;巫江 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G08B31/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于神经网络与数据差分的锂电池热失控分层预警方法，属于电池消防技术领域，其通过神经网络修正低保真数据与差分预测，减少预测滞后的同时提高预测预防效果，具有较好的推广价值。
一种基于神经网络数据锂电池失控分层预警方法

[发明专利]一种高性能光电探测器的制备方法-CN202210036065.6有效
发明人：巫江;黄一轩;任翱博;沈凯 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能光电探测器的制备方法，属于光电材料与器件技术领域，目的在于提供一种高性能光电探测器的制备方法，解决现有二硒化钼光电探测器存在结构缺陷、不稳定性、低光响应的问题。其采用有效的O2等离子体处理来制备用于可见光和近红外探测的多层MoSe2光电探测器，经O2等离子体处理的MoSe2表现出显著改善的性能，在MoSe2内部产生强大的内建电场，有效地抑制了光载流子的复合，明显提升光电性能。本发明适用于高性能二硒化钼光电探测器的制备方法。
一种性能光电探测器制备方法

[实用新型]一种用于光电二极管的微弱电流检测电路-CN202320216909.5有效
发明人：巫江;何巧;任翱博;罗丽;黄一轩;徐可萱;周翔宇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于光电二极管的微弱电流检测电路，包括前级放大电路和后级放大电路，前级放大电路设置第一运算放大器，第一运算放大器的第一引脚通过电阻与后级放大电路电气连接，且第一引脚通过反馈电阻反向连接第一运算放大器的第四引脚，第一运算放大器的第三引脚接地，第四引脚与光电二极管的输出端电气连接；后级放大电路设置有第二运算放大器，第二运算放大器包括第一通道和第二通道，第一通道的第一引脚通过滤波电路与第二通道的第五引脚电气连接，且第一通道的第一引脚通过反馈电阻反向连接第一通道的第二引脚，第一通道的第三引脚与由第五电阻和第六电阻构成的并联电路电气连接并接地，第二通道的第六引脚与第七引脚电气连接。
一种用于光电二极管微弱电流检测电路

[发明专利]一种用于光学麦克风的三通道数据采集系统-CN202310114854.1在审
发明人：巫江;何巧;任翱博;罗丽;黄一轩;徐可萱;周翔宇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H04R3/00 文献下载
摘要：本发明公开了用于光学麦克风的三通道数据采集系统，包括依次级联的微弱电流放大电路、MCU、程控开关、串口电平转换模块和上位机，MCU通过串口电平转换模块与上位机双向通信连接，微弱电流放大电路包括第一微弱电流放大电路、第二微弱电流放大电路和第三微弱电流放大电路，三通道微弱电流放大电路分别接收三个光电探测器输出的微弱电流信号并转化为三路电压信号输出至MCU，MCU通过编程控制程控开关及MCU内置的第一ADC模块、第二ADC模块和第三ADC模块，分别接收微弱电流放大电路输出的三路电压信号并将其转换为数字信号，实现三通道数据同步采集，模数转换后的信号经滤波和编帧处理后存储在MCU内置的FLASH中，上位机通过串口发送指令后可读出FLASH中存储的数据。
一种用于光学麦克风通道数据采集系统

[发明专利]一种柔性光电探测器阵列的制备方法-CN202111586089.0有效
发明人：巫江;沈凯;任翱博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性光电探测器阵列的制备方法，属于光电材料与器件技术领域，目的在于提供一种柔性光电探测器阵列的制备方法，解决现有钙钛矿探测器器件技术中材料空气稳定性较差、载流子输运较慢的不足，以及胶体量子点中存在大量团簇现象和目前传统探测器中无法与柔性衬底兼容的问题，其基于全无机金属卤素全无机钙钛矿量子点提出了一种有效的制备方法，通过低频和室温的超声处理以及精准的机械刻划方法实现了高性能的柔性光电探测器阵列。本发明适用于高光谱光电探测器的制备工艺。
一种柔性光电探测器阵列制备方法

[发明专利]一种红外探测器及其制备方法-CN202211396211.2在审
发明人：巫江;袁琪;崔欣悦;沈凯;李创;任翱博;郭大千 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外探测器及其制备方法，涉及红外探测器制造技术领域，具体为一种低暗电流、高量子效率的高性能红外探测器，解决了现有红外探测器在高工作温度下暗电流急剧增加、量子效率低、器件性能较差的问题，所述红外探测器从下至上依次为：衬底、缓冲层、底部接触层、吸收层、电子阻挡层、顶部接触层；所述红外探测器还包括与底部接触层欧姆接触的金属下电极，与顶部接触层欧姆接触的金属上电极；本发明通过在吸收层内部，设计一个或多个相同或不同类型的缓变结构的吸收层，各阶梯缓变结构之间的导带及价带位置均存在明显差异，可实现吸收层光生载流子的定向输运，降低器件暗电流，提高器件探测性能。
一种红外探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于分布式传感器的锂离子电池热失控预警系统-CN202210554991.2有效
发明人：孙启皓;司致远;郑寅午;李辰骏;张语芯;汪子涵;沈凯;任翱博;巫江 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：本发明提供一种基于分布式传感器的锂离子电池热失控预警系统，属于电池模组的监控技术领域。其通过分布式设置传感器，在电池模组端进行采集信息的初步过滤和处理，大大降低了系统功耗，通过控制器进行数据融合，进行早期预警，有助于提高电池使用的安全性，通过MCU和传感器结合，在传感器端先进行初步的数据处理以补偿随机误差、降低噪声、自校正等，大大提高传感器的精度；对于电池热失控能够起到较好的预警作用。
一种基于分布式传感器锂离子电池失控预警系统

[发明专利]一种无铝有源区垂直腔面发射激光器及其制备方法-CN202310011343.7在审
发明人：巫江;李妍;任翱博;赵飞云;唐枝婷 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铝有源区垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及垂直腔面发射激光器制造技术领域，解决了现有AlGaAs材料的垂直腔面发射激光器灾变性光学镜面损伤较大、最大功率输出受限、器件性能不佳的问题，包括衬底，及依次设在衬底上方的n型布拉格反射镜组、n型空间层、无铝有源区、p型空间层、p型布拉格反射镜组；无铝有源区为In1‑xGaxAsyP1‑y/InzGa1‑zP材料，x＝0.1～0.9，y＝0.1～0.9，z＝0.3～0.7。无铝有源区包括量子阱层和设在量子阱层两侧的势垒层，量子阱层为无Al材料改善了变性端面损坏，提升器件的最大输出功率；拉应变量子阱结构减小了阈值电流，性能优异。
一种有源垂直发射激光器及其制备方法

[发明专利]一种人工带隙结构光学谐振腔、其制备方法及一种激光器-CN202211576131.5在审
发明人：巫江;李传林;任翱博;唐枝婷;李妍 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01S5/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种人工带隙结构光学谐振腔、其制备方法及一种激光器，涉及激光器技术领域，解决了现有的拓扑人工带隙结构光学谐振腔物态调控存在制备成本高、工艺复杂的问题。光学谐振腔自上而下包括：包层结构、至少一个第一插层、结构板、至少一个第二插层、衬底，第一插层及第二插层的厚度为结构板厚度的1/20～1/4，第一插层及第二插层的材质为气体、绝缘体或半导体材料中的任一种。通过在人工带隙结构的顶部和底部增加插层，调控人工带隙结构朝向顶部和朝向底部的辐射，实现了整数拓扑荷的生成、演变(聚合)、分裂和湮灭，从而有效提升了对光学谐振腔的损耗和光学模式的控制能力，制备成本较低，工艺相对简单。
一种人工结构光学谐振腔制备方法激光器

[发明专利]一种高折射率拓展腔垂直腔面发射激光器、制备方法及其应用-CN202211508073.2在审
发明人：巫江;唐枝婷;任翱博;李传林;赵飞云;刘继林;李妍 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高折射率拓展腔垂直腔面发射激光器、制备方法及其应用，涉及半导体技术领域，解决了现有的垂直腔面发射激光器线宽较大，且现有技术窄线宽控制困难的问题。激光器自上而下包括，顶电极、p型布拉格反射镜组、氧化层、有源区、n型拓展层、n型布拉格反射镜组、衬底、底电极，所述n型拓展层为AlyGa1‑yAs，其中y为0.1～0.9。通过设置n型拓展层，并将n型拓展层设置为特定的材质，抑制了拓展层中电阻和自由载流子吸收，能够有效增长激光器的有效腔长，增大了谐振腔长，增大了输出功率，减小了线宽增强因子α，实现了压窄光谱线宽。
一种折射率拓展垂直发射激光器制备方法及其应用

[发明专利]一种衍射光栅、其制备方法及一种光学麦克风-CN202211632148.8在审
发明人：巫江;刘继林;任翱博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H04R23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种衍射光栅、其制备方法及一种光学麦克风，涉及集成光学器件技术领域，解决了现有的衍射光栅的光学稳定性较低、制备工艺复杂，不便于大规模制造生产的问题。衍射光栅，包括底部薄膜层及设在所述底部薄膜层上的至少一个光栅块，所述光栅块的周围的设有数个气孔，所述气孔开设于所述底部薄膜层上，每个所述气孔的直径为70～100微米，气孔边缘的厚度至光栅块边缘的厚度逐渐减薄。还提供衍射光栅的制备方法，包括以下步骤：提供底部薄膜层，在底部薄膜层上刻蚀至少一个光栅块得到第一预制件；在所述第一预制件的每个光栅块周围，均匀开设数个气孔得到衍射光栅。还提供了基于此种衍射光栅的一种光学麦克风。
一种衍射光栅制备方法光学麦克风

[发明专利]一种耦合腔垂直腔面发射激光器、制备方法及其应用-CN202211513751.4在审
发明人：巫江;唐枝婷;任翱博;刘继林;李传林;赵飞云;李妍 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种耦合腔垂直腔面发射激光器、制备方法及其应用，涉及半导体技术领域，具体为一种耦合腔垂直腔面发射激光器、制备方法及其应用，解决了现有的垂直腔面发射激光器由于有效腔长较短，光谱线宽较大使其应用受限的问题。所述激光器自上而下包括，第一布拉格反射镜组、氧化层、有源区、第二布拉格反射镜组、无源腔、第三布拉格反射镜组、衬底，所述第一布拉格反射镜组远离所述氧化层的一侧设有第一电极，所述无源腔靠近所述第二布拉格反射镜组的一侧的两端设有第二电极。性能优异，腔长较长，线宽能达到小于20MHz的水平，比传统垂直腔面发射激光器的线宽小2个数量级以上，所能应用的领域更广。
一种耦合垂直发射激光器制备方法及其应用

[发明专利]一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器-CN202211303364.8在审
发明人：巫江;唐星宇;郭大千;沈凯;李创;任翱博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器，属于红外探测器技术领域，目的在于提供一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器，引入一种全新设计的空穴势垒结构，该空穴势垒降低了陷阱相关的隧穿，与吸收层之间的单级势垒Np结降低了SRH相关暗电流，和电子势垒组合形成互补势垒CBIRD结构，解决了现有技术中InAs/InAsSb T2SL探测器暗电流高、响应度/比探测率较低等问题。其包括衬底，衬底上表面从下至上依次设置有缓冲层、底部接触‑空穴势垒层、吸收层、电子势垒层、顶部接触层，底部接触‑空穴势垒层上表面设置底部接触电极，顶部接触层上表面设置有顶部接触电极。本发明适用于一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器。
一种互补 cbird 结构长波红外探测器

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