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[发明专利]一种QLED器件、显示装置及其制备方法-CN201710264527.9在审
发明人：钱磊;杨一行;曹蔚然;向超宇;陈崧 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：该QLED器件包括依次设置的衬底、底电极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及顶电极，还包括由空穴注入材料和界面修饰材料掺杂制成的空穴注入层，其中，界面修饰材料为p型导电材料。在本发明中，通过采用空穴注入材料和界面修饰材料掺杂制成空穴注入层，以此提高其空穴传输能力和电离能，降低空穴注入势垒，从而有效的提高电导，降低驱动电压，改善载流子的注入平衡，同时减少了器件的荷电，提高了器件的功率效率以及器件的使用寿命
界面修饰空穴注入材料空穴注入层材料掺杂显示装置制备载流子空穴传输能力空穴注入势垒应用技术领域电子传输层空穴传输层功率效率驱动电压使用寿命依次设置注入平衡底电极电离能顶电极发光层量子点衬底电导荷电

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310438679.8无效
发明人：周明杰;黄辉;张振华;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构为：依次层叠的玻璃基底、阳极层、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；所述散射层包括三元掺杂层；所述三元掺杂层的材质包括高功函数金属、荧光发光材料以及具有空穴注入能力的金属氧化物。本发明有机电致发光器件的散射层可提高空穴的注入能力，提高光色纯度，提高空穴的注入效率，同时，降低散射层与空穴注入层之间的空穴势垒，从而有利于提高出光效率。
有机电致发光器件及其制备方法

[实用新型]具有双层空穴注入层的有机发光器件结构-CN201320163823.7有效
发明人：段瑜;孙浩;王光华;万锐敏;季华夏 -专利权人：云南北方奥雷德光电科技股份有限公司
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：具有双层空穴注入层的有机发光器件结构，涉及一种有机电致发光器件(OLED)，更具体地，涉及到采用双层空穴注入层的有机电致发光器件。本实用新型具有双层空穴注入层的有机发光器件结构，该器件的结构依次是基板、阳极层、有机层、阴极层；有机层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，其特征在于空穴注入层包含第一空穴注入层和第二空穴注入层，第二空穴注入层是由后续的空穴传输层作为基质材料掺杂第一空穴注入层构成。本实用新型的有机电致发光器件能有效地提高器件的发光效率，通过这种双层空穴注入层所形成的阶梯势垒可有效提高载流子的注入能力，进而增强界面之间的电荷注入，改善器件效率。
具有双层空穴注入有机发光器件结构

[发明专利]一种基于双层空穴注入层的正型QLED器件及其制备方法-CN202110219357.9在审
发明人：杜祖亮;杜佳佳;蒋晓红;王啊强;王帅冰 -专利权人：河南大学
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于双层空穴注入层的正型QLED器件及其制备方法，涉及发光二极管技术领域。本发明提供的正型QLED器件包括：带ITO透明电极的玻璃基底和由下而上依次设置在所述ITO透明电极表面的第一空穴注入层、第二空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极层；所述第一空穴注入层和第二空穴注入层分别为本发明提供的正型QLED器件采用NiO/PEDOT:PSS双层空穴注入层，不仅能够解决对ITO电极的腐蚀问题，还能够有效降低空穴注入势垒，提高空穴注入效率，平衡载流子，进而提高正型QLED器件的效率和使用寿命
一种基于双层空穴注入 qled 器件及其制备方法

[发明专利]氧化过的铝上的多个空穴注入结构及其在有机发光装置中的应用-CN201910764556.0在审
发明人：李在晋;吕正红 -专利权人：湖畔光电科技(江苏)有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本公开提供了应用于有机电致发光装置中的包括一层或多层氧化物的多层空穴注入结构。层状结构包括包含过渡金属氧化物的诸如Al2O3的绝缘金属氧化物以降低空穴注入势垒并且能够实现夹在导电铝层与空穴传输层之间的空穴传输所述层状结构还可以包括顺序堆叠的包括第一导电层、绝缘金属氧化物和选自过渡金属氧化物的空穴注入层材料的三层结构。
氧化空穴注入结构及其有机发光装置中的应用

[发明专利]降低栅极漏电的p-GaN栅增强型GaN-HEMT器件及其制作方法-CN202110622461.2有效
发明人：施媛媛;张敏;倪志龙;王彪 -专利权人：上海西源新能源技术有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低栅极漏电的p‑GaN栅增强型GaN‑HEMT器件及其制作方法，其包括从下至上依次排布的衬底、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上设置有由AlN高势垒层、p‑GaN层和栅极组成的栅极结构；位于栅极结构两侧的AlGN势垒层上设置有源极和漏极；栅极与源极、栅极与漏极之间的AlGN势垒层上设置钝化层；栅极金属下方形成p‑GaN/AlN/AlGaN/GaN的p‑i‑n结势垒耗尽栅极下方沟道处二维电子气本发明在p‑GaN和AlGaN沟道层之间插入1～2nm的AlN高势垒层，由于该AlN高势垒层具有较低电子亲和势和较高的禁带宽度，从而能够使既能限制沟道电子向p‑GaN层输运，又能抑制p‑GaN层空穴向沟道注入
降低栅极漏电 gan 增强 hemt 器件及其制作方法

[发明专利]发光器件及其制作方法-CN201911401438.X有效
发明人：苏亮 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10K50/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光器件及其制作方法，该发光器件包括基板以及设置在基板上的阳极层、发光层和阴极层，发光层设置在阳极层和阴极层之间，阳极层和发光层之间设置有层叠设置的空穴注入层、界面层以及空穴传输层。本发明通过在空穴注入层和空穴传输层之间的界面设置界面层，采用的界面层的HOMO能级至少比空穴传输层的HOMO能级大0.2eV，能够有效地减小空穴注入势垒，促进阳极至空穴传输层之间行成欧姆接触，从而提高了QLED的空穴注入能力，并降低了QLED的阻抗，提高了QLED的效率和寿命。
发光器件及其制作方法

[发明专利]一种低功耗绝缘栅极区双极型晶体管-CN201910692880.6在审
发明人：刘俊杰;林信南;王曦;董树荣;卫荣汉 -专利权人：北方民族大学
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：特别涉及一种低功耗绝缘栅极区双极型晶体管，包括N‑漂移区，所述N‑漂移区的一侧设有集电极区，N‑漂移区的另一侧设有栅极区，在所述栅极区旁靠近集电极区的一侧设有发射极区，在所述发射极区靠近集电极区的一侧设有绝缘槽势垒，且所述绝缘槽势垒与发射极区贴合。本发明处于导通状态时，空穴分布在N‑漂移区，绝缘槽势垒不会阻断电子电流，但可以可以阻断大部分的空穴电流，这样就可以实现空穴存储，即N‑漂移区内的空穴密度会增加，那么从MOS沟道注入的电子可以增加，电导调制作用增强
漂移区发射极区集电极区绝缘槽势垒双极型晶体管空穴绝缘栅极低功耗栅极区半导体器件技术漂移晶体管器件导通电阻导通损耗导通状态电导调制电子电流开关损耗空穴存储空穴电流作用增强沟道贴合

[发明专利]一种光电器件及其制备方法、显示装置-CN202111322122.9在审
发明人：夏思雨 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10K85/10 文献下载
摘要：n型共轭的双硼氮桥联联吡啶类化合物有利于出入和传导载流子，降低空穴跃迁势垒、提高空穴传输速率，能够提高LUMO能级和电子注入势垒，降低电子传输速率，从而实现平衡电子传输速率与空穴传输速率的目的，提高器件效率
一种光电器件及其制备方法显示装置

[发明专利]含有空穴阻挡层的锑化镓基量子阱激光器的外延生长方法-CN201610660268.7在审
发明人：于春满;朱海军;张兴 -专利权人：成都斯科泰科技有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：一种含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4um量子阱激光器结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一N 型GaSb衬底；一N型GaSb缓冲层，该缓冲层生长在衬底上；一N型AlGaAsSb覆盖层，该覆盖层生长在N型GaSb缓冲层上；一AlGaAsSb下波导层，该下波导层生长在N型AlGaAsSb覆盖层上；一AlGaAsSb下势垒层，该下势垒层生长在AlGaAsSb下波导层上；一InPSb空穴阻挡层，该空穴阻挡层生长在AlGaAsSb下势垒层上；一InGaAsSb量子阱层，该量子阱层生长在InPSb空穴阻挡层上；一AlGaAsSb上势垒层，该上势垒层生长在InGaAsSb量子阱层上；一AlGaAsSb上波导层，该上波导层生长在AlGaAsSb上势垒层上；一P型AlGaAsSb覆盖层，该覆盖层生长在AlGaAsSb上波导层上；一P型GaSb欧姆接触层，该接触层生长在P型AlGaAsSb覆盖层上。
含有空穴阻挡锑化镓基量子激光器外延生长方法

[发明专利]含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4μm量子阱激光器结构-CN201610660267.2在审
发明人：于春满;朱海军;张兴 -专利权人：成都斯科泰科技有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：一种含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4um量子阱激光器结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一N型GaSb衬底；一N型GaSb缓冲层，该缓冲层生长在衬底上；一N型AlGaAsSb覆盖层，该覆盖层生长在N型GaSb缓冲层上；一AlGaAsSb下波导层，该下波导层生长在N型AlGaAsSb覆盖层上；一AlGaAsSb下势垒层，该下势垒层生长在AlGaAsSb下波导层上；一InPSb空穴阻挡层，该空穴阻挡层生长在AlGaAsSb下势垒层上；一InGaAsSb量子阱层，该量子阱层生长在InPSb空穴阻挡层上；一AlGaAsSb上势垒层，该上势垒层生长在InGaAsSb量子阱层上；一AlGaAsSb上波导层，该上波导层生长在AlGaAsSb上势垒层上；一P型AlGaAsSb覆盖层，该覆盖层生长在AlGaAsSb上波导层上；一P型GaSb欧姆接触层，该接触层生长在P型AlGaAsSb覆盖层上。
含有空穴阻挡锑化镓基量子激光器结构

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN200910260838.3有效
发明人：颜胜宏;蔡孟伦;蔡清富 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：该发光元件包含n型束缚层；p型束缚层；以及有源层，位于n型束缚层与p型束缚层之间，有源层是由多个势垒层与多个阱层交错堆叠而形成的多重量子阱结构。于势垒层掺杂p型杂质以增加空穴数目，其中越靠近n型束缚层的势垒层掺杂浓度越低，越靠近p型束缚层的势垒层掺杂浓度越高，以形成具渐变式掺杂浓度的势垒层结构。上述的元件可增加空穴和电子结合的几率，提高发光效率。
发光元件及其制造方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310438727.3无效
发明人：周明杰;黄辉;张振华;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构为：依次层叠的玻璃基底、阳极层、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；所述散射层包括金属掺杂层与铁盐掺杂层；其中，所述金属掺杂层的材质包括高功函数金属与荧光发光材料，所述铁盐掺杂层的材质包括铁盐与空穴掺杂材料。本发明有机电致发光器件的散射层提高空穴的注入能力，提高光色纯度，提高器件的导电性，使空穴注入的势垒降低，从而提高空穴注入效率，从而有利于提高出光效率。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法-CN201310589289.0在审
发明人：周明杰;黄辉;张振华;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-11-20 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：有机电致发光器件的电子注入层的材质为锂盐、第一有机材料与第二有机材料按照质量比0.2:3:1～0.5:5:1混合形成的混合物。锂盐功函数较高，与电子传输层材料的LUMO能级比较接近，可降低电子传输层与金属阴极之间的电子的注入势垒，提高电子注入能力。第一有机材料可提高电子的传输速率同时降低与相邻层之间的电子注入势垒，并阻止空穴穿越到阴极而造成空穴淬灭。第二有机材料结晶后有序排列的晶体结构可对光进行散射，使向两边发射的光回到中间，提高出光效率。
一种有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种无应力层的二类超晶格红外探测器及制备方法-CN202210582015.8在审
发明人：张国祯;陈意桥;于天 -专利权人：苏州焜原光电有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种无应力层的二类超晶格红外探测器及制备方法，包括依次设置的P型电极、电子势垒层、吸收层、空穴势垒层和N型电极；其中，所述吸收层采用InAsSb/GaSb超晶格，所述空穴势垒层采用InAsSb本发明各层均与GaSb衬底晶格匹配，克服了层与层之间存在大失配的问题，可显著提高超晶格生长温度和超晶格材料质量，InAsSb/GaSb厚度组分决定了截止波长，InAsSb/AlAsSb厚度组分决定了空穴势垒高度，截止波长和空穴势垒的调节无需考虑层与层之间的失配问题，且没有复杂的界面问题，从而简化超晶格生长难度，提高超晶格红外探测器性能。
一种应力二类超晶格红外探测器制备方法