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[发明专利]一种离子液体作为电荷注入层的钙钛矿发光二极管及其制备方法-CN201810531192.7在审
发明人：朱俊;陆红波;邱龙臻;王健越;魏雅平 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种离子液体作为电荷注入层的钙钛矿发光二极管及其制备方法，包括自下而上分别为衬底以及依次层叠设置的透明导电电极、金属氧化物电子传输层、离子液体层、钙钛矿发光层、空穴层和顶电极，原材料来源丰富，只需要通过简单的溶液法工艺制备，钙钛矿发光二极管发射光谱窄，色纯度高，引入离子液体作为电荷注入层，可以降低空穴注入势垒，提升器件性能。
钙钛矿电荷注入层发光二极管离子液体制备空穴注入势垒透明导电电极电子传输层金属氧化物离子液体层原材料来源发射光谱工艺制备提升器件依次层叠顶电极发光层空穴层溶液法色纯度衬底引入

[发明专利]一种nBn型渐变势垒的红外探测器-CN202211167708.7在审
发明人：巫江;钟浩;郭大千;沈凯;任翱博;崔欣悦 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种nBn型渐变势垒的红外探测器，属于红外探测器技术领域，目的在于提供一种nBn型渐变势垒的红外探测器，其基于渐变势垒的设计结构，在确保电子势垒足够高的情况下，通过渐变材料组分的方式减弱空穴势垒对空穴载流子传输造成的影响其包括衬底，所述衬底上表面从下至上依次设置有缓冲层、下接触层、吸收层、势垒层、上接触层，所述下接触层上表面设置第一电极，所述上接触层上表面设置有第二电极，所述吸收层为InAs0.91Sb0.09材料，所述势垒层为AlAs0.08Sb0.92本发明适用于一种nBn型渐变势垒的红外探测器。
一种 nbn 渐变红外探测器

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310438729.2无效
发明人：周明杰;黄辉;张振华;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构为：依次层叠的玻璃基底、阳极层、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；所述散射层包括空穴掺杂层与铁盐掺杂层；其中，所述空穴掺杂层的材质包括空穴掺杂材料与高功函数金属，所述铁盐掺杂层的材质包括铁盐与二氧化钛。本发明有机电致发光器件的空穴掺杂层提高其结构层的空穴传输速率和空穴注入能力，加强所述有机电致发光器件对光的散射。此外，所述有机电致发光器件的铁盐掺杂层提高光散射，使向两侧发射的光散射回到中间，降低与空穴注入层之间的势垒，从而有利于提高出光效率。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法-CN201811626635.7有效
发明人：眭俊;谢相伟;黄航;苏亮;田亚蒙 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：该含有吸电子基团有机分子组成的材料层，能降低阳极到量子点材料的空穴注入势垒，从而提高器件的空穴注入效率，使空穴跟电子的注入更平衡，最终提高器件的性能。
量子发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制作方法-CN201310593671.9有效
发明人：刘华容;魏世祯;谢文明 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：该外延片包括衬底、生长在衬底上的低温缓冲层、非掺杂的氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，从N型氮化镓层一侧开始的至少一个量子垒层采用AlxGa1-xN生长，0垒层采用本发明通过使靠近N型氮化镓层的量子垒层势垒较高，靠近P型氮化镓层的量子垒层势垒较低，在减小电子的溢流现象的同时可提高空穴的注入效率，使得更多的电子和空穴进入量子阱层中复合，从而提高发光二极管内量子效率。
一种发光二极管外延及其制作方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310438693.8无效
发明人：周明杰;黄辉;张振华;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构为：依次层叠的玻璃基底、阳极层、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；所述散射层包括金属掺杂层与三元掺杂层；其中，所述金属掺杂层的材质包括有机硅小分子与高功函数金属，所述三元掺杂层的材质包括有机硅小分子、空穴传输材料与金属氧化物。本发明有机电致发光器件的散热层中的金属掺杂层提高空穴的注入能力，加强光的散射，提高出光效率；三元掺杂层降低两层之间的空穴注入势垒，提高空穴传输速率，提高空穴注入效率，从而有利于提高出光效率。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种电致发光器件及其制备方法-CN201110384885.6有效
发明人：周明杰;王平;黄辉;张振华 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：该电致发光器件包括依次层叠的导电阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子缓冲层和阴极，所述阴极的材料为掺杂铯盐的金属，铯盐在阴极中掺杂质量百分比为1％～10％，该铯盐为碳酸铯、叠氮铯或氟化铯在银、铝、铂或金这几种功函数相对高的金属中掺杂了1％～10％的铯盐后，可以使阴极总的功函降低到3.2eV左右，从而使阴极与有机层之间的势垒降低到0.2eV左右，有效降低了电子的注入和传输势垒，有利于电子的注入和传输
一种电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种双胺衍生物及其有机电致发光器件-CN202310883474.4在审
发明人：韩春雪;陆影;周雯庭 -专利权人：长春海谱润斯科技股份有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C07C211/54 文献下载
摘要：本发明提供的双胺衍生物具有良好的空穴传输能力，合适的HOMO能级，有利于空穴的注入和传输，增加激子的有效复合，减少空穴传输和注入过程中需要克服的能量势垒，降低器件内部焦耳热的生成，具有较高的热稳定性，不易结晶，成膜性好的优点，将其作为空穴传输层材料，应用于有机电致发光器件中，能够提高器件的发光效率和延长使用寿命。
一种衍生物及其有机电致发光器件

[发明专利]光电器件-CN202011636866.3在审
发明人：杨一行;周礼宽;王天锋 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层和阴极，所述量子点发光层中包含核壳结构的量子点材料，所述量子点材料的外壳层为ZnS，所述空穴传输层中空穴传输材料的价带顶能级的绝对值小于等于本申请提供的光电器件，ZnS外壳材料的价带能级更深，要构建价带顶能级差(ΔEEML‑HTL)大于等于0.5eV，则空穴传输材料的价带顶能级需要小于等于6.0eV此时，ΔEEML‑HTL≥0.5eV，构建了空穴注入势垒，降低空穴注入速率，平衡发光层中电子空穴的注入效率，避免载流子积累，提高发光效率。
光电器件

[发明专利]低滚降准二维钙钛矿发光二极管及其制备方法-CN202010024260.8有效
发明人：杨绪勇;张婷 -专利权人：上海大学
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种低滚降准二维钙钛矿发光二极管及其制备方法，从下而上依次设置阴极、空穴传输层、空穴传输层与发光层界面修饰层、钙钛矿发光层、发光层与电子传输界面修饰层、电子传输层、电子注入层、阳极。本发明通过修饰空穴传输层与钙钛矿发光层的界面，不仅减小空穴层与发光层间的空穴注入势垒，改善空穴的注入效率，并且能阻挡空穴层对钙钛矿层的淬灭，提高钙钛矿层的发光效率。
低滚降准二维钙钛矿发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种半导体紫外光源器件-CN201310168615.0有效
发明人：张剑平;高英 -专利权人：青岛杰生电气有限公司
申请日： 2013-05-09 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体固态紫外光源器件，所述器件的外延结构中量子阱和量子垒在外延生长方向上存在组份梯度，量子阱和量子垒在外延生长方向上的组份梯度方向相反。本发明通过调整利用AlInGaN材料Al组份的变化来调节异质结构如多量子阱的能带结构，减少量子垒、阱的能带边倾斜，减少电子、空穴注入势垒，降低紫外LED的正向工作电压，提高量子阱的发光效率。
一种半导体紫外光源器件

[发明专利]倒置绿光量子点薄膜电致发光器件-CN201610213330.8有效
发明人：曹进;周洁;谢婧薇;魏翔;俞浩健 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒置绿光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、绿光量子点发光层、空穴平衡层、空穴传输层以及阳极。空穴传输层包括层叠的第二空穴传输层和第一空穴传输层。空穴平衡层的厚度为5nm～10nm。第二空穴传输层的HOMO能级大于第一空穴传输层的HOMO能级，从而在绿光量子点发光层与阳极之间形成阶梯性势垒，达到逐步提高空穴传输层的空穴注入能力，满足绿光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入的要求。进一步的，空穴平衡层能够阻止高迁移率的第一空穴传输材料与绿光量子点发光层的直接接触，避免造成发光猝灭。
倒置光量子薄膜电致发光器件

[发明专利]一种新型化合物-CN200710098873.0有效
发明人：邱勇;李银奎;董宏;王长宁 -专利权人：清华大学;北京维信诺科技有限公司;昆山维信诺显示技术有限公司
申请日： 2007-04-28 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： C07D409/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效空穴注入材料及含有该材料的有机电致发光器件。该材料的结构通式如下式(1)所示，其中，m选自1－3的整数，n和p分别独立选自0或1。本发明的有机电致发光材料具有很强的电荷注入能力，能有效改善界面间的电荷注入势垒，降低器件的启亮电压，改善器件的寿命和效率。
一种新型化合物

[发明专利]一种优化势垒区像素离子注入改善串扰的方法-CN201811246105.X有效
发明人：于欢;孙昌;钱俊;张武志 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提出一种优化势垒区像素离子注入改善串扰的方法，包括下列步骤：形成有效像素区、势垒区和暗像素区的CIS器件结构；对有效像素区和暗像素区进行阀值电压调整离子注入，在传输栅下形成P阱；对势垒区进行N型深阱离子注入，形成深度N型离子掺杂；在有效像素区形成的电子通过P阱和N阱之间PN结进入势垒区；在势垒区的晶体管的复位管打开时，将电子导出，从而抑制有效像素区和暗像素区之间的串扰。本发明提出一种优化势垒区像素离子注入改善串扰的方法，针对特定区域的强串扰，即高光溢出现象(blooming)的解决方法，并且只是通过优化CIS在势垒区(barrier)的像素的离子注入，效果明显，且方法简单
一种优化势垒区像素离子注入改善方法

[发明专利]空穴传输材料的修饰方法、发光器件及其制备方法-CN202010711473.8在审
发明人：姚振垒 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明属于显示器件技术领域，尤其涉及一种空穴传输材料的修饰方法，包括以下步骤：获取聚合物空穴传输材料；采用酸性化合物对聚合物空穴传输材料进行修饰处理，得到修饰后的空穴传输材料。本发明空穴传输材料的修饰方法，采用酸性化合物对聚合物空穴传输材料进行修饰处理，提高聚合物空穴传输材料的功函数，有利于降低空穴传输层中空穴注入势垒，从而降低空穴传输层与量子点发光层之间价带的能级差，进而提高量子点发层中空穴的注入效率，提高量子点发光层中电子与空穴的复合效率，提高发光器件的发光效率和稳定性，延长使用寿命。
空穴传输材料修饰方法发光器件及其制备

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