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[发明专利]一种具有NP型复合空穴注入层的磷光有机发光二极管及其制备方法-CN201910401174.1有效
发明人：汪津;华杰;董贺;单美玲;刘思驿 -专利权人：吉林师范大学
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种具有NP型复合空穴注入层的磷光有机发光二极管及其制备方法，属于有机电致发光器件技术领域。所述有机发光二极管自下而上依次为基底层、空穴注入层、空穴传输层、超薄发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述空穴注入层为NP型复合空穴注入层，包括N型半导体材料C60层；所述超薄发光层的材料为磷光有机材料；本发明的有机发光二极管及其制备方法，其通过引入C60/MoO3复合结构作为空穴注入层，提高了器件的空穴注入能力，减小了阳极层和发光层之间的能级势垒，降低了驱动电压，从而提高了器件的发光效率；同时，所述有机发光二极管采用非掺杂结构，可以简化制备工艺，可重复性强，易于实现规模化生产。
一种具有 np 复合空穴注入磷光有机发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种基于II类断带能隙量子阱的红外电吸收调制器-CN202110790767.9在审
发明人：李俊;陈盟 -专利权人：厦门大学
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G02F1/017 文献下载
摘要：包含(i)至少一个吸收调制区，吸收调制区包含单周期或多周期的II类断带能隙量子阱结构；(ii)对II类断带能隙量子阱结构提供调制偏压的装置；一个周期单元的II类断带能隙量子阱结构由第一势垒、电子势阱、空穴势阱和第二势垒组成，电子势阱和空穴势阱置于第一势垒和第二势垒之间且不依赖相对叠放次序，电子势阱的体材料导带带边的能量低于空穴势阱的体材料价带带边的能量。
一种基于 ii 类断带能隙量子外电吸收调制器

[发明专利]具有电荷载流子的改进分布的光敏器件及其形成方法-CN201280068513.5在审
发明人：尚塔尔·艾尔纳 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：所述多量子阱结构包括至少三个量子阱区和至少两个势垒区。所述量子阱区中的第三个与所述量子阱区中的第二个之间的空穴能量势垒小于所述量子阱区中的第二个与所述量子阱区中的第一个之间的空穴能量势垒。形成这样的器件的方法包括：顺序地外延地沉积这样的多量子阱结构的层；以及选择所述层的组分和构造使得所述空穴能量势垒跨越所述多量子阱结构变化。
具有电荷载流子改进分布光敏器件及其形成方法

[发明专利]一种GaN基LED外延结构及其制备方法、发光二极管-CN202010089189.1在审
发明人：李成果;曾巧玉;张康;姜南;赵维;陈志涛 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：在p型掺杂层的极性与电子阻挡层的界面处存在高密度净极化负电荷，因此诱导电子阻挡层导带能级抬得更高，产生一个更高的势垒阻挡电子泄漏，同时降低空穴注入的阻挡势垒，实现电子阻挡效率和空穴注入效率的提高，从而提高了发光二极管的发光效率
一种 gan led 外延结构及其制备方法发光二极管

[发明专利]二极管-CN201610576542.2在审
发明人：文塔瓦·查旺 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：在具有柱区、势垒区、中间区、阴极区的二极管中，对寄生晶体管导通的情况进行抑制。在俯视观察时，二极管具有单元区域、中间区域、外周区域。单元区域具有：第一阳极区，其为p型，并且与阳极电极欧姆接触；柱区，其为n型，并且与阳极电极相接；势垒区，其为n型，并且从背面侧与第一阳极区和柱区相接；第一中间区，其为p型，并且从背面侧与势垒区相接。中间区域具有：第二阳极区，其为p型，并且与阳极电极欧姆接触；空穴抑制区，其与阳极电极相接；第二中间区，其为p型，并且从背面侧与第二阳极区和空穴抑制区相接，中间区域不具有势垒区。
二极管

[发明专利]一种P沟道肖特基势垒二极管及其制作方法-CN202311194818.7在审
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种P沟道肖特基势垒二极管及其制作方法，属于半导体器件领域，二极管包括衬底、阳极和阴极，衬底之上从下往上依次设置有GaN缓冲层、AlGaN势垒层、p‑GaN层和BeO层，BeO层为在p‑GaN层的（0001）面上生长的（0001）BeO膜；阳极穿过BeO层及p‑GaN层到达AlGaN势垒层，且与p‑GaN层的侧面肖特基接触；阴极穿过BeO层与p‑GaN层欧姆接触。AlGaN/p‑GaN形成异质结时产生一定浓度的二维空穴气，BeO层提升二维空穴气的浓度，从而使器件的P沟道导通电流增大，由此得到高性能的P沟道肖特基势垒二极管。
一种沟道肖特基势垒二极管及其制作方法

[发明专利]发光二极管、制备发光二极管的方法和显示装置-CN202211204906.6在审
发明人：贺家煜;赵坤;李菲菲;宁策;胡合合;李正亮;姚念琦;黄杰;郭晖;刘烺 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了发光二极管、制备发光二极管的方法和显示装置，所述发光二极管包括阳极、以及发光层和阴极，所述阳极包括金属氮化物层，所述金属氮化物的功函数与所述发光层材料的势垒差小于0.4eV。由此，金属氮化物的功函数与发光层的能级相匹配，通过令发光二极管的阳极包括金属氮化物，可以降低阳极与发光层的势垒差，能够显著增强空穴的注入和传输能力，从而提高发光性能。
发光二极管制备方法显示装置

[发明专利]一种OLED发光器件-CN201910619616.X有效
发明人：李崇;蔡啸;张兆超;王芳 -专利权人：江苏三月科技股份有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10K50/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种OLED发光器件，包括第一电极、阳极界面缓冲层、空穴传输层、发光层和第二电极，阳极界面缓冲层覆盖于电极表面，空穴传输层邻接于界面缓冲层，所述阳极界面缓冲层含有传导空穴的主体材料和P掺杂材料，所述传导空穴主体材料的HOMO能级大于空穴传输层材料的HOMO能级。本发明界面缓冲层的设计，可以提升电极到有机材料的空穴注入效率，降低或消除缓冲层到空穴传输层界面载流子传导势垒差，提升阳极界面缓冲层与空穴传输层的界面稳定性，进而提升OLED发光器件的驱动稳定性。
一种 oled 发光器件

[发明专利]一种高性能OLED发光器件-CN201811132511.3有效
发明人：李崇;蔡啸;张兆超;谢丹丹 -专利权人：江苏三月科技股份有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能OLED发光器件，包括第一电极、阳极界面缓冲层、空穴传输层、发光层和第二电极，阳极界面缓冲层覆盖于电极表面，空穴传输层邻接于界面缓冲层，所述阳极界面缓冲层含有传导空穴的主体材料和P掺杂材料，所述传导空穴主体材料的HOMO能级大于空穴传输层材料的HOMO能级。本发明界面缓冲层的设计，可以提升电极到有机材料的空穴注入效率，降低或消除缓冲层到空穴传输层界面载流子传导势垒差，提升阳极界面缓冲层与空穴传输层的界面稳定性，进而提升OLED发光器件的驱动稳定性。
一种性能 oled 发光器件

[发明专利]倒置OLED器件结构-CN201510058560.7在审
发明人：廖良生;马杰;丁磊;汤洵 -专利权人：苏州大学
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种倒置OLED器件结构，在基板上旋涂一层聚合物薄膜，使基底表面平整化，然后制备OLED透明阴极薄膜，在阴极之上采用真空蒸镀的方法形成一层强氧化性材料作为电子注入层，然后蒸镀一层超薄金属或金属氧化物薄膜作为阴极缓冲层，其次依次为n型掺杂的电子传输层，电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极。该强氧化性材料电子注入层/金属或金属氧化物/n型掺杂的电子传输层的结构能够有效地降低倒置器件结构中空穴注入高势垒的问题，能够有效的降低器件的驱动电压，从而提高器件性能。
倒置 oled 器件结构

[发明专利]量子级联激光器-CN201580011072.9有效
发明人：薮原秀彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：量子级联激光器的活性层具有多个发光区域和多个注入区域。各个发光区域具有注入势垒层、以及至少含有两个阱层并通过子带间跃迁发出红外光的发光量子阱层。各个注入区域具有抽出势垒层以及弛豫量子阱层，该弛豫量子阱层形成使来自上述发光区域的载流子的能量弛豫的能级。在各个发光量子阱层内邻接的两个阱层中，上述抽出势垒层侧的阱层比上述注入势垒层侧的第2阱层深。各个发光区域与各个注入区域交替层叠。
量子级联激光器

[发明专利]发光器件及其制备方法-CN202011639283.6在审
发明人：王天锋 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本申请属于显示设备技术领域，尤其涉及一种发光器件的制备方法，包括以下步骤：制备发光器件；其中，电子传输层中包括金属氧化物传输材料；量子点发光层中包括核壳结构的量子点材料，量子点材料的外壳层材料与空穴传输材料的价带顶能级差大于等于本申请发光器件的制备方法，构建量子点外壳层材料与空穴传输材料的间≥0.5eV的空穴注入势垒，降低空穴的注入效率，平衡空穴与电子的注入平衡，提高器件发光效率和使用寿命。同时，对发光器件进行紫外光照射处理，促进ETL与阴极和发光层的融合，提高电子迁移注入移率，降低量子点材料表面及QD‑ETL界面电荷积累，降低材料老化，提高器件寿命。
发光器件及其制备方法

[发明专利]一种量子阱结构的制备方法和量子阱结构-CN201811632413.6有效
发明人：叶炜浩 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明所提供的制备方法，包括：注入掺杂金属、势垒层阳离子前驱体和势垒层阴离子前驱体，在衬底的表面进行沉积，制备势垒层；先后注入量子点阴离子前驱体和量子点阳离子前驱体，在势垒层的表面进行沉积，制备半导体量子点；其中，掺杂金属原子缺电子，且掺杂金属的半径与势垒层阳离子的半径之差的绝对值为0.1～0.3埃。通过引入掺杂金属在势垒层表面形成均匀分布的成核点，改善了量子点在势垒层表面生长的均匀性，提高了量子阱的量子效率。
一种量子结构制备方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310706647.1在审
发明人：周明杰;黄辉;陈吉星;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：该有机电致发光器件包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，电子注入层包括层叠于电子传输层上的金属硫化物层，层叠于金属硫化物层上的富勒烯掺杂层及层叠于富勒烯掺杂层上的金属硫化物掺杂层上述有机电致发光器件的电子注入层可有效提高光线的透过率，提高膜层的成膜性，降低电子的注入势垒，提高电子的传输效率，提高光的反射效率，阻挡空穴穿越到阴极一端与电子发生复合而发生淬灭，从而提高该有机电致发光器件的发光效率
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]具有紫外探测性能的蓝光OLED器件及其制备方法-CN202310663113.9在审
发明人：白雲水;郜燕南;黄志刚;于军胜 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10K50/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有紫外探测性能的蓝光OLED器件及其制备方法，包括透明衬底，阳极，空穴注入层，空穴传输层，激子调控层，活性层，电子传输层和阴极层；在外加正向电压的驱动下，该有机双功能器件能够实现蓝光发射本发明引入新的活性层材料，同时加入激子调控层调整复合区域，实现探测和发光性能的提高，在阳极之后插入空穴注入层，降低阳极与空穴传输层之间的势垒，提高载流子迁移能力，具有易集成、厚度薄、制程短、成本低的诸多优点
具有紫外探测性能 oled 器件及其制备方法