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[发明专利]提高载流子注入效率的GaN基LED外延结构及其生长方法-CN202011195588.2有效
发明人：程立文;李侦伟;林星宇;曾祥华;杨达 -专利权人：扬州大学
申请日： 2020-10-31 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高载流子注入效率的GaN基LED外延结构及其生长方法，该发光层由势垒层和量子阱层交替构成，其中按生长顺序，最后一层势垒层采用Al组分即x值从0至0.15渐变的AlxGa1‑xN势垒层，其它势垒层为GaN势垒层，子阱层采用InyGa1‑y空穴势垒的提高，同时减少生长AlGaN时带来的严重的晶格缺陷和较大应力，以及其高温生长条件对发光层结构的高温损伤，提高芯片质量，采用，依然能实现有效提高电子势垒的作用，同时还能有效地降低空穴势垒，不但抑制了电子泄漏还进一步提高了空穴注入能力，从而提高了发光层中有效辐射复合速率，提高了GaN基LED的发光效率。
提高载流子注入效率 gan led 外延结构及其生长方法

[发明专利]光电器件-CN202011633951.4在审
发明人：杨一行;周礼宽;王天锋 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层和阴极，所述量子点材料的外壳层为CdZnS，所述空穴传输层中空穴传输材料的价带顶能级的绝对值小于等于5.9eV本申请提供的光电器件，在量子点材料的外壳层具体为CdZnS的前提下，根据CdZnS的能级特性，此时要构建价带顶能级差(ΔEEML‑HTL)大于等于0.5eV的空穴注入势垒，则空穴传输材料的价带顶能级需要小于等于5.9eV。通过构建的空穴注入势垒，降低空穴注入速率，平衡发光层中电子空穴的注入效率，避免载流子积累，提高发光效率。
光电器件

[发明专利]光电器件-CN202011637707.5在审
发明人：杨一行;周礼宽;王天锋 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层和阴极，所述量子点发光层中包含核壳结构的量子点材料，所述量子点材料的外壳层为ZnSeS，所述空穴传输层中空穴传输材料的价带顶能级的绝对值小于等于本申请提供的光电器件，在量子点材料的外壳层具体为ZnSeS的前提下，根据ZnSeS的能级特性，此时要构建价带顶能级差(ΔEEML‑HTL)大于等于0.5eV的空穴注入势垒，则空穴传输材料的价带顶能级需要小于等于5.7eV。通过构建的空穴注入势垒，降低空穴注入速率，平衡发光层中电子空穴的注入效率，避免载流子积累，提高发光效率。
光电器件

[发明专利]光电器件-CN202011638155.X在审
发明人：杨一行;周礼宽;王天锋 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层和阴极，所述量子点发光层中包含核壳结构的量子点材料，所述量子点材料的外壳层为ZnSe，所述空穴传输层中空穴传输材料的价带顶能级的绝对值小于等于本申请提供的光电器件，由于ZnSe外壳材料的价带能级相对较浅，若要构建价带顶能级差(ΔEEML‑HTL)大于等于0.5eV的空穴注入势垒，则空穴传输材料的价带顶能级应小于等于此时，ΔEEML‑HTL≥0.5eV，构建了空穴注入势垒，降低空穴注入速率，平衡发光层中电子空穴的注入效率，避免载流子积累，提高发光效率。
光电器件

[发明专利]一种倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件及其制造方法-CN201610213607.7有效
发明人：曹进;周洁;谢婧薇;魏翔;俞浩健 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、蓝色量子点发光层、空穴传输层以及阳极，空穴传输层包括层叠的第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层。第三空穴传输层的厚度为5nm～10nm。第二空穴传输层的HOMO能级大于第一空穴传输层的HOMO能级，从而在蓝光量子点发光层与阳极之间形成阶梯性势垒，达到逐步提高空穴传输层的空穴注入能力，满足蓝光光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入的要求。本发明的电致发光材料器件空穴注入势垒低、载流子直接注入机制高、发光效率高。本发明还提供了制备如上倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件的方法。
空穴传输层薄膜电致发光器件光量子倒置阳极发光层量子点载流子电致发光材料空穴注入能力空穴注入势垒空穴阴极电子传输层发光效率依次层叠阶梯性基底势垒制备制造

[发明专利]从空穴传输层发光的有机电致发光器件-CN97112943.6无效
发明人：师宋青;豪辛-丘格·李;汤姆斯·B·哈维三世;弗兰克·索 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 1997-06-05 - 公布日： 1998-03-18 - 主分类号： C09K11/00 文献下载
摘要：有机EL器件,顺序包括薄板状的阴极,电子传输层(ETL),空穴传输层(HTL)和阳极,其中制成ETL和HTL的材料这样选择,使得从HTL到ETL的空穴注入能量势垒远高于从ETL到HTL的电子注入能量势垒
空穴传输发光有机电致发光器件

[发明专利]发光器件及其制备方法-CN201711322687.0有效
发明人：余磊 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：该发光器件，包括空穴传输层，所述空穴传输层包括空穴传输材料和离子型过渡金属配合物。上述发光器件，能够降低空穴注入势垒，促进空穴的有效注入，平衡发光器件内载流子的注入与传输，进而提高发光器件的发光效率与器件寿命。
发光器件及其制备方法

[实用新型]一种具有非对称能带电子阻挡层的深紫外LED-CN202021907743.4有效
发明人：蔡端俊;黄生荣 -专利权人：厦门瑶光半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有非对称能带电子阻挡层的深紫外LED，自下至上依次包括衬底、缓冲层、n型接触层、有源层、非对称单向注入电子阻挡层、p型电导层和金属电极层；n型接触层接引有第一电极；金属电极层接引有第二电极该具有非对称能带电子阻挡层的深紫外LED，在p型电导层与有源层之间，插入非对称单向注入电子阻挡层，非对称单向注入电子阻挡层对电子具有高势垒阻挡作用，而对空穴为低势垒或无势垒，可实现单向空穴注入。该深紫外LED具有非对称的能带带阶，在导带底具有高带阶，在价带顶具有低带阶，形成非对称能带结构，使空穴无带阶阻挡，而电子受高带阶阻挡，可有效提高深紫外LED的电注入效率和光电转换效率。
一种具有对称能带电子阻挡深紫 led

[发明专利]光电器件-CN202011633955.2在审
发明人：王天锋;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层和阴极，所述空穴传输层中至少包含两种空穴传输材料，其中，至少一种空穴传输材料的价带顶能级的绝对值小于等于5.3eV，至少一种空穴传输材料的价带顶能级的绝对值大于5.3eV。本申请提供的光电器件中空穴传输层为混合材料，通过浅能级空穴传输材料、深能级空穴传输材料之间的相互搭配，实现对空穴传输材料与量子点外壳层之间的空穴注入势垒的精细调控，有利于构建≥0.5eV的能级势垒，降低空穴的注入效率，从而平衡发光层中空穴与电子的注入平衡，提高器件发光效率，同时避免电荷积累对器件寿命的影响。
光电器件

[发明专利]红外探测器及其制备方法-CN201710509150.9有效
发明人：黄勇;赵宇;熊敏;吴启花 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供一种红外探测器及其制备方法，所述红外探测器包括衬底、第一电极、第二电极及从下而上依次设置于所述衬底上的接触层、空穴势垒层、吸收层、电子势垒层，所述第一电极与所述接触层连接，所述第二电极与所述电子势垒层连接，所述空穴势垒层为InGaAs/InAsSb超晶格。所述红外探测器的制备方法包括：提供一衬底；从下而上依次在所述衬底上生长形成接触层、空穴势垒层、吸收层、电子势垒层，所述空穴势垒层为InGaAs/InAsSb超晶格；分别在所述接触层上沉积第一电极、在所述电子势垒层上沉积第二电极本发明提供的红外探测器的空穴势垒层为InGaAs/InAsSb超晶格，空穴势垒层中不含铝，降低了材料生长和加工的难度、提升了稳定性和可靠性。
红外探测器及其制备方法

[发明专利]互补势垒超晶格长波红外探测器-CN202110222852.5在审
发明人：崔素宁;蒋洞微;李勇;陈伟强;蒋俊锴;王国伟;徐应强;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本公开提供了一种互补势垒超晶格长波红外探测器自下而上顺次包括：衬底、缓冲层、n型InAsSb层、电子势垒层、吸收层、空穴势垒层、n型接触层和盖层；所述空穴势垒层自下而上包括：p型掺杂空穴势垒区和n型掺杂空穴势垒区；所述互补势垒超晶格长波红外探测器还包括上电极和下电极，上电极设置在所述盖层上；下电极设置在所述缓冲层上。
互补势垒超晶格长波红外探测器

[发明专利]有机电致发光器件、显示装置-CN201310718937.8有效
发明人：杨栋芳;皇甫鲁江;金馝奭 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明的有机电致发光器件，其包括阳极层、阴极层，以及设置在阳极层与阴极层之间的有机功能层，所述阳极层到有机功能层的注入势垒和阴极层到有机功能层的注入势垒均不超过1ev；所述发光层包括位于所述阳极层一侧的空穴载流子传输区、位于所述阴极层一侧的电子载流子传输区以及位于空穴载流子传输区和电子载流子传输区之间的发光区，其中，空穴载流子从空穴载流子传输区到发光区，以及电子载流子从电子载流子传输区到发光区均无势垒。
有机电致发光器件显示装置

[发明专利]量子点发光二极管、其制备方法及显示器件-CN201810270120.1在审
发明人：尤娟娟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：所述量子点发光二极管的量子点发光层靠近空穴传输层的一侧设置有电子传输材料形成的第一电子传输层；和/或所述量子点发光二极管的量子点发光层内掺杂有电子传输材料。由于在空穴传输层一侧添加了电子传输材料，空穴无需注入到量子点发光层中，而是在电子传输层与空穴传输层之间或者空穴传输层与量子点发光层之间，与电子复合形成激基复合物，所述激基复合物将能量传导至量子点发光层，从而避开了从空穴传输层到量子点发光层的注入势垒，增强了空穴的注入；同时增加了电子注入的势垒，减少了电子注入的个数，因此载流子注入更为平衡。
量子点发光层空穴传输层发光二极管电子传输材料空穴电子传输层激基复合物电子注入显示器件制备载流子电子复合能量传导注入势垒势垒掺杂避开平衡

[发明专利]一种具有电子散射与空穴加速量子垒层的半导体发光元件-CN202210235397.7在审
发明人：阚钦 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别是涉及一种具有电子散射与空穴加速量子垒层的半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、n型半导体，多量子阱、p型半导体，所述多量子阱为量子阱层和量子垒层组成的周期结构，量子垒层为具有电子散射与空穴加速量子垒层，形成与本征极化场方向相反的第二极化场；电子散射与空穴加速量子垒层形成第二极化场增强电子散射，降低电子的动能和漂移速度，使电子减速，提升量子阱对电子的捕获和限制效率，降低电子泄漏，并将空穴势垒拆分为2个以上的较低势垒，势垒高度低约10meV以上，极化场加速空穴往多量子阱跃迁，提升空穴注入效率，从而提升多量子阱的电子空穴辐射复合效率，进而提升发光效率。
一种具有电子散射空穴加速量子半导体发光元件

[发明专利]一种加强载流子注入效率的氮化物发光二极管以及制作方法-CN201110027942.5有效
发明人：江灏;王钢;黄善津 -专利权人：中山大学
申请日： 2011-01-26 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明为一种加强载流子注入效率的氮化物发光二极管以及制作方法，该二极管至少包括n型电子注入层、耦合多量子阱结构有源层和p型空穴注入层；所述耦合多量子阱结构有源层包括接近n型电子注入层的电子注入加强量子阱层，接近p型空穴注入层的空穴注入加强量子阱层以及在这两个注入加强量子阱层中间的复合量子阱区层；所述电子/空穴注入加强区层中的势垒宽度小于复合量子阱区层中的势垒宽度。本发明的优势在于利用有源层中量子阱的电子基态能量的变化分布，分别同时提高了电子和空穴载流子隧穿注入到有源区层的效率，从而增加了发光二极管的发光效率。
一种加强载流子注入效率氮化物发光二极管以及制作方法